Плотность поляризации

редактировать

В классическом электромагнетизме, плотность поляризации (или электрическая поляризация, или просто поляризация ) - это векторное поле, которое выражает плотность постоянных или индуцированных электрических дипольных моментов в диэлектрическом материале. Когда диэлектрик помещается во внешнее электрическое поле, его молекулы приобретают электрический дипольный момент, и диэлектрик считается поляризованным. Электрический дипольный момент, индуцированный на единицу объема диэлектрического материала, называется электрической поляризацией диэлектрика.

Плотность поляризации также описывает, как материал реагирует на приложенное электрическое поле, а также то, как материал изменяет электрическую поле, и может использоваться для расчета сил, возникающих в результате этих взаимодействий. Его можно сравнить с намагниченностью, которая является мерой соответствующей реакции материала на магнитное поле в магнетизме. Единица измерения SI составляет кулон на квадратный метр, а плотность поляризации представлена ​​вектором P.

Содержание
  • 1 Определение
  • 2 Другие выражения
  • 3 Закон Гаусса для поля P
    • 3.1 Дифференциальная форма
  • 4 Связь между полями P и E
    • 4.1 Однородные изотропные диэлектрики
    • 4.2 Анизотропные диэлектрики
  • 5 Плотность поляризации в уравнениях Максвелла
    • 5.1 Взаимосвязь между E, D и P
    • 5.2 Изменяющаяся во времени плотность поляризации
  • 6 Неопределенность поляризации
  • 7 См. Также
  • 8 Ссылки и примечания
Определение

Внешний электрический поле, приложенное к диэлектрическому материалу, вызывает смещение связанных заряженных элементов. Это элементы, которые связаны с молекулами и не могут свободно перемещаться по материалу. Положительно заряженные элементы смещаются в направлении поля, а отрицательно заряженные элементы смещаются противоположно направлению поля. Молекулы могут оставаться нейтральными по заряду, но при этом формируется электрический дипольный момент.

Для определенного элемента объема Δ V {\ displaystyle \ Delta V}\ Delta V в материале, который несет дипольный момент Δ p {\ displaystyle \ Delta \ mathbf {p}}\ Delta {\ mathbf p} , мы определяем плотность поляризации P:

P = Δ p Δ V {\ displaystyle \ mathbf {P} = { \ frac {\ Delta \ mathbf {p}} {\ Delta V}}}{ \ mathbf P} = {\ frac {\ Delta {\ mathbf p}} {\ Delta V}}

Обычно дипольный момент Δ p {\ displaystyle \ Delta \ mathbf {p}}\ Delta {\ mathbf p} изменяется от точки к точке внутри диэлектрика. Следовательно, плотность поляризации P диэлектрика внутри бесконечно малого объема dV с бесконечно малым дипольным моментом d p равна:

P = dpd V (1) {\ displaystyle \ mathbf {P} = {\ mathrm {d} \ mathbf {p} \ over \ mathrm {d} V} \ qquad (1)}{\ displaystyle \ mathbf {P } = {\ mathrm {d} \ mathbf {p} \ over \ mathrm {d} V} \ qquad (1)}

Чистый заряд, возникающий в результате поляризации, называется связанным зарядом и обозначается Q b {\ displaystyle Q_ {b}}Q_b .

Это определение плотности поляризации как «дипольного момента на единицу объема» широко распространено, хотя в некоторых случаях может приводить к двусмысленностям и парадоксам.

Другие выражения

Пусть внутри диэлектрика изолирован объем dV. Из-за поляризации положительный связанный заряд dqb + {\ displaystyle \ mathrm {d} q_ {b} ^ {+}}{\ mathrm d} q_ {b} ^ {+} будет смещен на расстояние d {\ displaystyle \ mathbf { d}}{\ mathbf d} относительно отрицательного связанного заряда dqb - {\ displaystyle \ mathrm {d} q_ {b} ^ {-}}{\ mathrm d} q_ {b} ^ {-} , вызывая дипольный момент dp = dqbd {\ displaystyle \ mathrm {d} \ mathbf {p} = \ mathrm {d} q_ {b} \ mathbf {d}}{\ mathrm d} {\ mathbf p} = {\ mathrm d} q_ {b} {\ mathbf d} . Подстановка этого выражения в (1) дает

P = dqbd V d {\ displaystyle \ mathbf {P} = {\ mathrm {d} q_ {b} \ over \ mathrm {d} V} \ mathbf {d} }{\ mathbf P} = {{\ mathrm d} q_ {b} \ over {\ mathrm d} V} {\ mathbf d}

Поскольку заряд dqb {\ displaystyle \ mathrm {d} q_ {b}}{\ mathrm d} q_ {b} , ограниченный в объеме dV, равен ρ bd V {\ displaystyle \ rho _ {b} \ mathrm {d} V}\ rho _ {b} {\ mathrm d} V уравнение для P принимает следующий вид:

P = ρ bd (2) {\ displaystyle \ mathbf {P} = \ rho _ {b} \ mathbf {d} \ qquad (2)}{\ mathbf P} = \ rho _ {b} {\ mathbf d} \ qquad (2)

где ρ b {\ displaystyle \ rho _ {b}}\ rho _ {b} - плотность связанного заряда в объеме под рассмотрение. Из приведенного выше определения ясно, что диполи в целом нейтральны, что ρ b {\ displaystyle \ rho _ {b}}\ rho _ {b} уравновешивается одинаковой плотностью противоположного заряда в объеме. Неуравновешенные платежи являются частью бесплатного сбора, описанного ниже.

Закон Гаусса для поля P

Для данного объема V, окруженного поверхностью S, связанный заряд Q b {\ displaystyle Q_ {b}}Q_b внутри него равно потоку P через S, взятому со знаком минус, или

- Q b = {\ displaystyle -Q_ {b} =}-Q_ {b} = \ oiint S {\ displaystyle {\ scriptstyle S}}{\ scriptstyle S} P ⋅ d A (3) {\ displaystyle \ mathbf {P} \ cdot \ mathrm {d} \ mathbf {A} \ qquad (3)}{\ mathbf {P} } \ cdot {\ mathrm {d}} {\ mathbf {A}} \ qquad (3)

Дифференциальная форма

По теореме о расходимости закон Гаусса для поля P может быть сформулирован в дифференциальной форме как:

- ρ b = ∇ ⋅ P {\ displaystyle - \ rho _ {b} = \ nabla \ cdot \ mathbf {P}}{\ displaystyle - \ rho _ {b} = \ nabla \ cdot \ mathbf {P}} ,

где ∇ · P - дивергенция поля P через заданную поверхность, содержащую границу плотность заряда ρ b {\ displaystyle \ rho _ {b}}\ rho_b .

Связь между полями P и E

Однородные, изотропные диэлектрики

Силовые линии D-поля в диэлектрической сфере с большей восприимчивостью, чем ее окружение, помещенной в ранее однородное поле. Линии поля поля E не показаны: они указывают в одних и тех же направлениях, но многие линии поля начинаются и заканчиваются на поверхности сферы, где есть связанный заряд. В результате плотность линий электрического поля внутри сферы ниже, чем снаружи, что соответствует тому факту, что внутри сферы электрическое поле слабее, чем снаружи.

В однородном, линейная, недисперсионная и изотропная диэлектрическая среда, поляризация выровнена и пропорциональна электрическому полю E:

P = χ ε 0 E, {\ displaystyle \ mathbf {P} = \ chi \ varepsilon _ {0} \ mathbf {E},}{\ displaystyle \ mathbf {P} = \ chi \ varepsilon _ {0} \ mathbf {E},}

, где ε 0 - электрическая постоянная, а χ - электрическая восприимчивость среды. Обратите внимание, что в этом случае χ упрощается до скаляра, хотя в более общем смысле это тензор . Это частный случай из-за изотропии диэлектрика.

Принимая во внимание эту связь между P и E, уравнение (3) принимает следующий вид:

- Q b = χ ε 0 {\ displaystyle -Q_ { б} = \ чи \ varepsilon _ {0} \}{\ displaystyle -Q_ {b} = \ chi \ varepsilon _ {0} \} \ oiint S {\ displaystyle \ scriptstyle {S}}{\ displaystyle \ scriptstyle {S}} E ⋅ d A {\ displaystyle \ mathbf {E} \ cdot \ mathrm {d} \ mathbf {A}}\ mathbf {E} \ cdot \ mathrm {d} \ mathbf { A}

Выражение в интеграле - это закон Гаусса для поля E, который дает полный заряд, оба свободных (Q f) {\ displaystyle ( Q_ {f})}(Q_ {f}) и граница (Q b) {\ displaystyle (Q_ {b})}(Q_ {b}) в томе V, заключенном в S. Следовательно,

- Q b знак равно χ Q всего = χ (Q е + Q b) ⇒ Q b = - χ 1 + χ Q f, {\ displaystyle {\ begin {align} -Q_ {b} = \ chi Q _ {\ текст {total}} \\ = \ chi \ left (Q_ {f} + Q_ {b} \ right) \\ [3pt] \ Rightarrow Q_ {b} = - {\ frac {\ chi} {1+ \ chi}} Q_ {f}, \ end {align}}}{\ displaystyle {\ begin {align} -Q_ {b} = \ chi Q _ {\ text {total}} \\ = \ chi \ left (Q_ {f} + Q_ { b} \ right) \\ [3pt] \ Rightarrow Q_ {b} = - {\ frac {\ chi} {1+ \ chi}} Q_ {f}, \ end {align}}}

которые могут быть записаны в терминах плотности свободного заряда и связанной плотности заряда (с учетом взаимосвязи между зарядами, их объемными плотностями заряда и заданным объемом) :

ρ b = - χ 1 + χ ρ f {\ display style \ rho _ {b} = - {\ frac {\ chi} {1+ \ chi}} \ rho _ {f}}{\ displaystyle \ rho _ {b} = - { \ frac {\ chi} {1+ \ chi}} \ rho _ {f}}

Так как внутри однородного диэлектрика не может быть свободных зарядов (ρ f = 0) {\ displaystyle (\ rho _ {f} = 0)}(\ rho _ {f} = 0) , из последнего уравнения следует, что в материале нет объемного связанного заряда (ρ b = 0) { \ Displaystyle (\ rho _ {b} = 0)}(\ rho _ {b} = 0) . А поскольку свободные заряды могут приближаться к диэлектрику как можно ближе к его верхней поверхности, из этого следует, что поляризация вызывает только поверхностную плотность заряда (обозначается σ b {\ displaystyle \ sigma _ {b}}\ sigma_b во избежание двусмысленности с плотностью связанного по объему заряда ρ b {\ displaystyle \ rho _ {b}}\ rho_b ).

σ b {\ displaystyle \ sigma _ {b}}\ sigma_b может быть связано в P по следующему уравнению:

σ b = n ^ out ⋅ P {\ displaystyle \ sigma _ {b} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out} } \ cdot \ mathbf {P}}{\ displaystyle \ sigma _ {b} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}} \ cdot \ mathbf { P}}

где n ^ out {\ displaystyle \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}}}{\ displaystyle \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}}} - это вектор нормали к поверхности S, направленный наружу (строгое доказательство см. плотность заряда )

Анизотропные диэлектрики

Класс диэлектриков, в которых плотность поляризации и электрическое поле не в одном направлении, известны как анизотропные материалы.

В таких материалах i-я компонента поляризации связана с j-й составляющей поляризации. Компонент электрического поля согласно:

P i = ∑ j ϵ 0 χ ij E j, {\ displaystyle P_ {i} = \ sum _ {j} \ epsilon _ {0} \ chi _ {ij} E_ {j},}{\ displaystyle P_ {i} = \ sum _ {j} \ epsilon _ {0 } \ chi _ {ij} E_ {j},}

Это соотношение показывает, например, что материал может поляризоваться в направлении x, применяя поле в направлении z, и так далее. Случай анизотропной диэлектрической среды описывается полем кристаллооптики.

. Как и в большинстве электромагнетизма, это соотношение имеет дело с макроскопическими средними величинами полей и дипольной плотности, так что мы имеем континуальное приближение диэлектрических материалов. который пренебрегает поведением в атомном масштабе. поляризуемость отдельных частиц в среде может быть связана со средней восприимчивостью и плотностью поляризации с помощью соотношения Клаузиуса-Моссотти.

В общем случае восприимчивость является функцией частоты ω приложенного поля. Когда поле является произвольной функцией времени t, поляризация представляет собой свертку преобразования Фурье χ (ω) с E (t). Это отражает тот факт, что диполи в материале не могут мгновенно реагировать на приложенное поле, и соображения причинности приводят к соотношениям Крамерса – Кронига.

Если поляризация P не является линейно пропорциональным электрическому полю E, среда называется нелинейной и описывается полем нелинейной оптики. В хорошем приближении (для достаточно слабых полей, предполагая отсутствие постоянных дипольных моментов), P обычно задается рядом Тейлора в E, коэффициенты которого равны нелинейные восприимчивости:

P i ϵ 0 = ∑ j χ ij (1) E j + ∑ jk χ ijk (2) E j E k + ∑ jk ℓ χ ijk ℓ (3) E j E k E ℓ + ⋯ {\ displaystyle {\ frac {P_ {i}} {\ epsilon _ {0}}} = \ sum _ {j} \ chi _ {ij} ^ {(1)} E_ {j} + \ sum _ { jk} \ chi _ {ijk} ^ {(2)} E_ {j} E_ {k} + \ sum _ {jk \ ell} \ chi _ {ijk \ ell} ^ {(3)} E_ {j} E_ {k} E _ {\ ell} + \ cdots}{\ displaystyle {\ frac {P_ {i}} {\ epsilon _ {0}}} = \ сумма _ {j} \ chi _ {ij} ^ {(1)} E_ {j} + \ sum _ {jk} \ chi _ {ijk} ^ {(2)} E_ {j} E_ {k} + \ сумма _ {jk \ ell} \ chi _ {ijk \ ell} ^ {(3)} E_ {j} E_ {k} E _ {\ ell} + \ cdots}

где χ (1) {\ displaystyle \ chi ^ {(1)}}\ chi ^ {(1)} - линейная восприимчивость, χ (2) {\ displaystyle \ chi ^ {(2)}}\ chi ^ {(2)} - восприимчивость второго порядка (описывающая такие явления, как эффект Поккельса, оптическое выпрямление и генерация второй гармоники ), и χ (3) {\ displaystyle \ chi ^ {(3)}}\ chi ^ {(3)} восприимчивость третьего порядка (описывающая третий порядок такие эффекты, как эффект Керра и электрическое поле-i вызванное оптическое выпрямление).

В сегнетоэлектрических материалах нет взаимно однозначного соответствия между P и E из-за гистерезиса.

Плотность поляризации в уравнениях Максвелла

Поведение электрических полей (E, D), магнитных полей (B, H), плотности заряда (ρ) и плотность тока (J) описываются уравнениями Максвелла в веществе.

Соотношения между E, D и P

С точки зрения объемных плотностей заряда, плотность свободного заряда ρ е {\ Displaystyle \ rho _ {f}}\ rho_f определяется выражением

ρ f = ρ - ρ b {\ displaystyle \ rho _ {f} = \ rho - \ rho _ {b}}\ rho _ {f} = \ rho - \ rho _ {b}

где ρ {\ displaystyle \ rho}\ rho - полная плотность заряда. Рассматривая связь каждого из членов приведенного выше уравнения с расходимостью их соответствующих полей (поля электрического смещения D, Eи P в этом порядке), это можно записать как :

D = ε 0 E + P. {\ displaystyle \ mathbf {D} = \ varepsilon _ {0} \ mathbf {E} + \ mathbf {P}.}\ mathbf {D} = \ varepsilon_0 \ mathbf {E} + \ mathbf {P}.

Это известно как материальное уравнение для электрических полей. Здесь ε 0 - это электрическая диэлектрическая проницаемость пустого пространства. В этом уравнении P представляет собой (отрицательное значение) поле, индуцированное в материале, когда «фиксированные» заряды, диполи, смещаются в ответ на общее нижележащее поле E, тогда как D - поле из-за оставшихся зарядов, известное как «бесплатные» заряды.

В общем, P изменяется как функция от E в зависимости от среды, как описано далее в статье. Во многих задачах удобнее работать с D и свободными зарядами, чем с E и полным зарядом.

Следовательно, поляризованная среда, кстати, теоремы Грина можно разделить на четыре компонента.

  • Связанная объемная плотность заряда: ρ b = - ∇ ⋅ P {\ displaystyle \ rho _ {b} = - \ nabla \ cdot \ mathbf {P}}{\ displaystyle \ rho _ {b} = - \ nabla \ cdot \ ma thbf {P}}
  • Плотность связанного поверхностного заряда: σ b = n ^ out ⋅ P {\ displaystyle \ sigma _ {b} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}} \ cdot \ mathbf {P}}{\ displaystyle \ sigma _ {b} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}} \ cdot \ mathbf { P}}
  • Бесплатная объемная плотность заряда: ρ f = ∇ ⋅ D {\ displaystyle \ rho _ {f} = \ nabla \ cdot \ mathbf {D}}{\ displaystyle \ rho _ {f} = \ nabla \ cdot \ mathbf {D}}
  • Плотность свободного поверхностного заряда: σ f = n ^ out ⋅ D {\ displaystyle \ sigma _ {f} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}} \ cdot \ mathbf {D}}{\ displaystyle \ sigma _ {f} = \ mathbf {\ hat {n}} _ {\ text {out}} \ cdot \ mathbf {D }}

Плотность поляризации, изменяющаяся во времени

Когда плотность поляризации изменяется со временем, зависящая от времени плотность связанного заряда создает поляризационную плотность тока

J p = ∂ P ∂ t {\ displaystyle \ mathbf {J} _ { p} = {\ frac {\ partial \ mathbf {P}} {\ partial t}}}\ mathbf {J} _p = \ frac {\ partial \ mathbf {P}} {\ partial t}

, так что полная плотность тока, которая входит в уравнения Максвелла, равна

J = J f + ∇ × M + ∂ п ∂ T {\ Displaystyle \ mathbf {J} = \ mathbf {J} _ {f} + \ nabla \ times \ mathbf {M} + {\ frac {\ partial \ mathbf {P}} {\ partial t}}}\ mathbf {J} = \ mathbf {J} _f + \ nabla \ times \ mathbf {M} + \ frac {\ partial \ mathbf {P}} {\ partial t}

где Jf- плотность тока свободного заряда, а второй член - это плотность тока намагничивания (также называемая плотностью связанного тока), вклад магнитных диполей атомного масштаба (если они есть).

Пример неоднозначности плотности поляризации в массивном кристалле. (а) Твердый кристалл. (b) Спаривая положительный и отрицательный заряды определенным образом, кристалл, кажется, имеет восходящую поляризацию. (c) Различное спаривание зарядов приводит к тому, что кристалл имеет направленную вниз поляризацию.

Поляризация внутри твердого тела, как правило, не определяется однозначно: она зависит от того, какие электроны спарены с какими ядрами. (См. Рисунок.) Другими словами, два человека, Алиса и Боб, глядя на одно и то же тело, могут вычислить разные значения P, и ни один из них не будет ошибочным. Алиса и Боб согласны с микроскопическим электрическим полем E в твердом теле, но не согласны с величиной поля смещения D = ε 0 E + P {\ displaystyle \ mathbf {D} = \ varepsilon _ {0} \ mathbf {E} + \ mathbf {P}}{\ displaystyle \ mathbf {D} = \ varepsilon _ {0} \ mathbf {E} + \ mathbf {P}} . Они оба обнаружат, что закон Гаусса верен (∇ ⋅ D = ρ f {\ displaystyle \ nabla \ cdot \ mathbf {D} = \ rho _ {f}}{\ displaystyle \ nabla \ cdot \ mathbf {D} = \ rho _ {f}} ), но они будут не согласны со значением ρ f {\ displaystyle \ rho _ {f}}\ rho_f на поверхности кристалла. Например, если Алиса интерпретирует объемное твердое тело как состоящее из диполей с положительными ионами вверху и отрицательными ионами внизу, но в реальном кристалле отрицательные ионы являются самой верхней поверхностью, тогда Алиса скажет, что на самой верхней поверхности имеется отрицательный свободный заряд. (Она могла бы рассматривать это как вид реконструкции поверхности ).

С другой стороны, даже если значение P не определено однозначно в массивном твердом теле, вариации в P определены однозначно. Если кристалл постепенно изменяется от одной структуры к другой, внутри каждой элементарной ячейки будет ток из-за движения ядер и электронов. Этот ток приводит к макроскопической передаче заряда от одной стороны кристалла к другой, и поэтому его можно измерить амперметром (как и любой другой ток), когда провода прикреплены к противоположным сторонам кристалла. Интеграл по времени тока пропорционален изменению P . Ток можно вычислить с помощью компьютерного моделирования (например, теории функционала плотности ); формула для интегрированного тока оказывается типом фазы Берри.

Неединственность P не вызывает проблем, потому что каждое измеримое следствие P фактически является следствием непрерывного изменения P . Например, когда материал помещается в электрическое поле E, которое нарастает от нуля до конечного значения, электронные и ионные положения материала слегка смещаются. Это изменяет P, и в результате получается электрическая восприимчивость (и, следовательно, диэлектрическая проницаемость ). В качестве другого примера, когда некоторые кристаллы нагреваются, их электронные и ионные положения немного сдвигаются, изменяя P . Результат - пироэлектричество. Во всех случаях интересующие свойства связаны с изменением в P.

. Хотя поляризация в принципе неуникальна, на практике она часто (не всегда) определяется соглашением специфическим, уникальным способом. Например, в идеально центросимметричном кристалле P обычно определяется по соглашению как ровно ноль. В качестве другого примера, в кристалле сегнетоэлектрика обычно существует центросимметричная конфигурация выше температуры Кюри, и P определяется там как соглашение быть нулевым. По мере того, как кристалл охлаждается ниже температуры Кюри, он постепенно переходит во все более и более нецентросимметричную конфигурацию. Поскольку постепенные изменения в P определяются однозначно, это соглашение дает уникальное значение P для сегнетоэлектрического кристалла даже ниже его температуры Кюри.

Другая проблема в определении P связана с произвольным выбором «единицы объема» или, точнее, с масштабом системы. Например, в микроскопическом масштабе плазму можно рассматривать как газ свободных зарядов, поэтому P должно быть равно нулю. Напротив, в макроскопическом масштабе ту же плазму можно описать как сплошную среду с диэлектрической проницаемостью ε (ω) ≠ 1 {\ displaystyle \ varepsilon (\ omega) \ neq 1}{\ displaystyle \ varepsilon (\ omega) \ neq 1} и таким образом чистая поляризация P≠ 0.

См. также
Ссылки и примечания
Последняя правка сделана 2021-06-02 09:37:44
Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: support@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте