eDRAM - eDRAM

редактировать

Встроенная память DRAM (eDRAM ) - это динамическая память с произвольным доступом (DRAM), интегрированная на тот же кристалл или многокристальный модуль (MCM) специализированной интегральной схемы (ASIC) или микропроцессора. Стоимость одного бита eDRAM выше по сравнению с эквивалентными автономными микросхемами DRAM, используемыми в качестве внешней памяти, но преимущества в производительности размещения eDRAM на том же чипе, что и процессор, перевешивают недостатки стоимости во многих приложениях. По производительности и размеру eDRAM располагается между кэш-памятью уровня 3 и обычной DRAM на шине памяти и эффективно функционирует как кэш уровня 4, хотя описания архитектуры могут не ссылаться на нее в этих терминах.

Встраивание памяти в ASIC или процессор позволяет использовать гораздо более широкие шины и более высокую скорость работы, а из-за гораздо более высокой плотности DRAM по сравнению с SRAM большие объемы памяти можно установить на более мелкие микросхемы, если используется eDRAM вместо eSRAM. eDRAM требует дополнительных этапов производственного процесса по сравнению со встроенной SRAM, что увеличивает стоимость, но трехкратная экономия площади памяти eDRAM компенсирует стоимость процесса, когда в конструкции используется значительный объем памяти.

Память eDRAM, как и вся память DRAM, требует периодического обновления ячеек памяти, что увеличивает сложность. Однако, если контроллер обновления памяти встроен вместе с памятью eDRAM, оставшаяся часть ASIC может обрабатывать память как простой тип SRAM, например, в 1T-SRAM. Также можно использовать архитектурные методы для уменьшения накладных расходов на обновление в кэше eDRAM.

eDRAM используется в различных продуктах, включая процессор IBM POWER7 и Процессор IBM z15 для мэйнфреймов (построенные мэйнфреймы используют до 4,69 ГБ eDRAM при использовании 5 таких дополнительных микросхем / ящиков, но все другие уровни, начиная с L1 и выше, также используют eDRAM, всего 6,4 ГБ eDRAM). Процессоры Intel Haswell со встроенной графикой GT3e, многие игровые консоли и другие устройства, такие как Sony PlayStation 2, Sony PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Nintendo Wii, Nintendo Wii U, Apple Inc. iPhone, Microsoft Zune HD и Microsoft Xbox 360 также используют eDRAM.

Использование eDRAM в различных продуктах
Название продуктаКоличество. eDRAM
IBM z15 00256+ MB
IBM's System Controller (SC) SCM, с кешем L4 для z1500960 MB
Intel Haswell, Iris Pro Graphics 5200 (GT3e)00128 MB
Intel Broadwell, Iris Pro Graphics 6200 (GT3e)00128 МБ
Intel Skylake, Iris Graphics 540 и 550 (GT3e)00064 МБ
Intel Skylake, Iris Pro Graphics 580 (GT4e)00064 или 128 МБ
Intel Coffee Lake, Iris Plus Graphics 655 (GT3e)00128 МБ
Intel Knights Landing (2-е поколение Xeon Phi )16384 МБ
PlayStation 200004 МБ
Xbox 36000010 МБ
Wii U00032 МБ

Некоторые служебные программы могут моделировать кеш-память eDRAM.

См. Также

память с высокой пропускной способностью

Ссылки
Внешние ссылки
Последняя правка сделана 2021-05-18 14:43:16
Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: support@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте