Войти
Статическая микросхема ОЗУ из клона Nintendo Entertainment System ( 2K × 8 бит) Статическая память с произвольным доступом (статическая RAM или SRAM ) - это тип памяти с произвольным доступом (RAM), который использует схему фиксации (триггер) для хранения каждого бита. SRAM - это энергозависимая память ; данные теряются при отключении питания.
Термин статический отличает SRAM от DRAM (динамическая память с произвольным доступом), которая должна периодически обновляться. SRAM быстрее и дороже, чем DRAM; обычно используется для кэша ЦП, тогда как DRAM используется для основной памяти компьютера.
Полупроводниковая биполярная SRAM была изобретена в 1963 году Робертом Норманом в Fairchild Полупроводник. MOS SRAM был изобретен в 1964 году Джоном Шмидтом в Fairchild Semiconductor. Это была 64-битная MOS p-канальная SRAM.
В 1965 году Арнольд Фарбер и Юджин Шлиг, работающие на IBM, создали зашитую ячейку памяти, используя затвор транзистора и туннельный диод защелка. Они заменили защелку двумя транзисторами и двумя резисторами , конфигурация, которая стала известна как ячейка Фарбера-Шлига. В 1965 году Бенджамин Агуста и его команда в IBM создали 16-битный кремниевый чип памяти на основе ячейки Фарбера-Шлига с 80 транзисторами, 64 резисторами и 4 диодами.
SRAM на кристалле микроконтроллера STM32F103VGT6 , как видно с помощью растрового электронного микроскопа. Изготовлено STMicroelectronics с использованием процесса 180 нанометров. 
Сравнительное изображение ячеек SRAM 180 нанометров на микроконтроллере STM32F103VGT6 , как видно на оптический микроскоп Хотя его можно охарактеризовать как энергозависимую память SRAM демонстрирует остаточную информацию.
Преимущества:
Недостатки:
Энергопотребление SRAM широко варьируется в зависимости от того, как часто к нему обращаются. Было предложено несколько методов управления энергопотреблением структур памяти на основе SRAM.
Многие категории промышленных и научных подсистем, автомобильной электроники и т.п. содержат статическую RAM, которая в этот контекст может упоминаться как ESRAM . Некоторое количество (килобайты или меньше) также встроено практически во все современные устройства, игрушки и т. Д., Которые реализуют электронный пользовательский интерфейс. Несколько мегабайт можно использовать в сложных продуктах, таких как цифровые камеры, сотовые телефоны, синтезаторы, игровые приставки и т. Д.
SRAM в его двухпортовой форме иногда используется для работы в реальном времени схемы цифровой обработки сигналов.
SRAM также используется в персональных компьютерах, рабочих станциях, маршрутизаторах и периферийном оборудовании: ЦП регистровые файлы, внутренние Кеши ЦП и внешний пакетный режим Кеши SRAM, буферы жесткого диска, буферы маршрутизатора и т. Д. ЖК-экраны и принтеры также обычно используют статическое ОЗУ для хранения отображаемого изображения (или подлежащего печати). Статическая RAM использовалась для основной памяти некоторых ранних персональных компьютеров, таких как ZX80, TRS-80 Model 100 и Commodore VIC-20.
Любители, особенно энтузиасты самодельных процессоров, часто предпочитают SRAM из-за простоты взаимодействия. С ней намного проще работать, чем с DRAM, поскольку здесь нет циклов обновления, а шины адреса и данных часто доступны напрямую. Помимо шин и соединений питания, для SRAM обычно требуется только три элемента управления: Chip Enable (CE), Write Enable (WE) и Output Enable (OE). В синхронную SRAM также включены часы (CLK).
Энергонезависимая SRAM (nvSRAM) имеет стандартные функции SRAM, но они сохраняют данные при потере питания, обеспечивая сохранение важной информации. Модули nvSRAM используются в широком спектре ситуаций - сетевых, аэрокосмических и медицинских, среди многих других - где сохранение данных имеет решающее значение, а батареи нецелесообразны.
Псевдостатическое RAM (PSRAM) имеет ядро памяти DRAM, объединенное со схемой самообновления. Внешне они выглядят как более медленная SRAM. У них есть преимущество плотности / стоимости по сравнению с истинным SRAM, без сложности доступа к DRAM.
В 1990-х годах асинхронная SRAM использовалась для быстрого доступа. Асинхронная SRAM использовалась в качестве основной памяти для небольших встраиваемых процессоров без кеша, используемых во всем: от промышленной электроники и измерительных систем до жестких дисков и сетевое оборудование, среди многих других приложений. В настоящее время синхронная SRAM (например, DDR SRAM) используется скорее аналогично синхронной DRAM - используется память DDR SDRAM, чем асинхронная DRAM. Интерфейс синхронной памяти намного быстрее, поскольку время доступа может быть значительно сокращено за счет использования конвейерной архитектуры. Кроме того, поскольку DRAM намного дешевле, чем SRAM, SRAM часто заменяется DRAM, особенно в случае, когда требуется большой объем данных. Однако память SRAM намного быстрее для произвольного (не блочного / пакетного) доступа. Следовательно, память SRAM в основном используется для кэша ЦП, небольшой внутренней памяти, FIFO или других небольших буферов.
SRAM может быть интегрирована как ОЗУ или кэш-память в микроконтроллеры (обычно от 32 байтов до 128 килобайт ), как первичные кеши в мощных микропроцессорах, таких как x86 и многие другие (от 8 КБ до многих мегабайт) для хранения регистров и частей конечных автоматов, используемых в некоторых микропроцессорах (см. файл регистров ), на специализированных ИС или ASIC (обычно в килобайтах) и в программируемой логической матрице и сложном программируемом логическом устройстве
Шеститранзисторная ячейка CMOS SRAM Типичная ячейка SRAM состоит из шести MOSFET. Каждый бит в SRAM хранится на четырех транзисторах (M1, M2, M3, M4), которые образуют два инвертора с перекрестной связью. Эта ячейка памяти имеет два стабильных состояния, которые используются для обозначения 0 и 1 . Два дополнительных транзистора доступа служат для управления доступом к ячейке памяти во время операций чтения и записи. В дополнение к такой шеститранзисторной (6T) SRAM, другие типы микросхем SRAM используют 4, 8, 10 (4T, 8T, 10T SRAM) или более транзисторов на бит. Четырехтранзисторная SRAM довольно распространена в автономных устройствах SRAM (в отличие от SRAM, используемой для кешей ЦП), реализована в специальных процессах с дополнительным слоем из поликремния, что обеспечивает очень высокое сопротивление. резисторы. Главный недостаток использования 4T SRAM - это увеличение статической мощности из-за постоянного тока, протекающего через один из понижающих транзисторов.
Четырехтранзисторная SRAM обеспечивает преимущества в плотности за счет сложности производства. Резисторы должны иметь малые размеры и большие номиналы. Иногда это используется для реализации более одного порта (для чтения и / или записи), что может быть полезно в некоторых типах видеопамяти и регистровые файлы, реализованные с помощью многопортовой схемы SRAM.
Как правило, чем меньше транзисторов требуется на ячейку, тем меньше может быть каждая ячейка. Поскольку стоимость обработки кремниевой пластины относительно фиксирована, использование ячеек меньшего размера и, таким образом, размещение большего количества битов на одной пластине снижает стоимость одного бита памяти.
Возможны ячейки памяти, которые используют менее четырех транзисторов, но такие ячейки 3T или 1T являются DRAM, а не SRAM (даже так называемым 1T-SRAM ).
Доступ к ячейке обеспечивается словарной строкой (WL на рисунке), которая управляет двумя транзисторами доступа M 5 и M 6, которые, в свою очередь, управляют должна ли ячейка подключаться к битовым линиям: BL и BL. Они используются для передачи данных как для операций чтения, так и для записи. Хотя не обязательно иметь две битовые линии, как сигнал, так и его инверсия, как правило, предоставляются для улучшения запаса шума.
Во время доступа для чтения битовые линии активно управляются высокими и низкими уровнями инверторами в ячейку SRAM. Это улучшает полосу пропускания SRAM по сравнению с DRAM - в DRAM битовая линия подключена к накопительным конденсаторам, а разделение заряда заставляет битовую линию качаться вверх или вниз. Симметричная структура SRAM также позволяет использовать дифференциальную сигнализацию, что упрощает обнаружение небольших перепадов напряжения. Еще одно отличие DRAM, которое способствует ускорению SRAM, заключается в том, что коммерческие микросхемы принимают все биты адреса одновременно. Для сравнения, обычные DRAM имеют адрес, мультиплексированный на две половины, то есть старшие биты, за которыми следуют младшие биты, на тех же выводах корпуса, чтобы уменьшить их размер и стоимость.
Размер SRAM с m адресными строками и n строками данных составляет 2 слова или 2 × n битов. Чаще всего размер слова составляет 8 бит, что означает, что один байт может быть прочитан или записан в каждое из двух разных слов в микросхеме SRAM. Несколько обычных микросхем SRAM имеют 11 адресных линий (таким образом, емкость 2 = 2048 = 3-х слов) и 8-битное слово, поэтому они называются «2k × 8 SRAM».
Размеры ячейки SRAM на ИС определяются минимальным размером элемента процесса, используемого для создания ИС.
Ячейка SRAM имеет три различных состояния: резервное (цепь бездействует), чтение (данные запрошены) или запись (обновление содержимого). SRAM, работающая в режиме чтения и записи, должна иметь «читаемость» и «стабильность записи» соответственно. Три различных состояния работают следующим образом:
Если словарная линия не установлена, транзисторы доступа M 5 и M 6 отключаются. ячейка из битовых линий. Два инвертора с перекрестной связью, образованные M 1 - M 4, будут продолжать усиливать друг друга, пока они подключены к источнику питания.
Теоретически для чтения требуется только подтверждение словарной строки WL и считывание состояния ячейки SRAM одним транзистором доступа и битовой линией, например М 6, BL. Однако разрядные линии относительно длинные и имеют большую паразитную емкость . Для ускорения чтения на практике используется более сложный процесс: цикл чтения начинается с предварительной зарядки обеих битовых линий BL и BL до высокого (логическая 1 ) напряжения. Затем утверждение словарной шины WL включает оба транзистора доступа M 5 и M 6, что вызывает небольшое падение напряжения одной разрядной шины BL. Тогда между линиями BL и BL будет небольшая разница в напряжении. Усилитель считывания определит, какая линия имеет более высокое напряжение, и, таким образом, определит, было ли сохранено 1 или 0 . Чем выше чувствительность усилителя считывания, тем быстрее выполняется считывание. Чем мощнее NMOS, тем легче выполнить раскрытие. Поэтому разрядные шины традиционно предварительно заряжаются до высокого напряжения. Многие исследователи также пытаются выполнить предварительную зарядку при немного более низком напряжении, чтобы снизить энергопотребление.
Цикл записи начинается с подачи записываемого значения в разрядные линии. Если мы хотим записать 0, мы бы применили 0 к битовым строкам, то есть установив BL в 1 и BL в 0 . Это похоже на применение импульса сброса к SR-защелке, который заставляет триггер изменять состояние. 1 записывается путем инвертирования значений битовых строк. Затем утверждается WL, и значение, которое должно быть сохранено, фиксируется. Это работает, потому что драйверы ввода битовой линии спроектированы так, чтобы быть намного сильнее, чем относительно слабые транзисторы в самой ячейке, поэтому они могут легко переопределить предыдущее состояние кросс-связанные инверторы. На практике транзисторы NMOS доступа M 5 и M 6 должны быть сильнее, чем любой из нижних NMOS (M 1, M 3) или верхние PMOS (M 2, M 4) транзисторы. Это легко получить, поскольку транзисторы PMOS намного слабее, чем NMOS, при том же размере. Следовательно, когда одна пара транзисторов (например, M 3 и M 4) только слегка отменяется процессом записи, противоположная пара транзисторов (M 1 и M 2) напряжение затвора также изменяется. Это означает, что транзисторы M 1 и M 2 можно легко заблокировать и так далее. Таким образом, инверторы с перекрестной связью увеличивают процесс записи.
RAM со временем доступа 70 нс будет выводить действительные данные в течение 70 нс с момента, когда адресные строки являются действительными. Но данные останутся и на время удержания (5–10 нс). Время нарастания и спада также влияет на действительные временные интервалы примерно 5 нс. Читая нижнюю часть диапазона адресов, биты в последовательности (цикл страницы) можно читать с значительно меньшим временем доступа (30 нс).
