Войти
| Тип ОЗУ | |
| Разработчик | JEDEC |
|---|---|
| Тип | Синхронная динамическая память с произвольным доступом |
| Поколение | 5-е поколение |
| Предшественник | GDDR4 SDRAM |
| Преемник | GDDR6 SDRAM |
. GDDR5 SDRAM, сокращение от Graphics Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory, представляет собой современный тип синхронной графики память с произвольным доступом (SGRAM) с высокой пропускной способностью («удвоенная скорость передачи данных »), интерфейс, предназначенный для использования в видеокартах, игровые консоли и высокопроизводительные вычисления. Это тип GDDR SDRAM (графика DDR SDRAM ).
Как и его предшественник, GDDR4, GDDR5 основан на памяти DDR3 SDRAM, которая имеет вдвое больше строк данных по сравнению с DDR2 SDRAM. GDDR5 также использует 8-битные буферы предварительной выборки , аналогичные GDDR4 и DDR3 SDRAM.
GDDR5 SGRAM, соответствует стандартам, которые были изложены в спецификацию GDDR5 согласно JEDEC. SGRAM однопортовый. Однако он может открывать две страницы памяти одновременно, что имитирует двухпортовый характер других технологий VRAM. Он использует архитектуру 8N- prefetch и интерфейс DDR для достижения высокой производительности и может быть настроен для работы в режиме × 32 или × 16 (раскладушка), который обнаруживается во время инициализации устройства.. Интерфейс GDDR5 передает два 32-битных ширины слова данных за такт записи (WCK) на / от контактов ввода-вывода. В соответствии с 8N-предварительной выборкой, одиночный доступ для записи или чтения состоит из 256-битной передачи данных с двумя тактовыми циклами CK в ядре внутренней памяти и восьми соответствующих 32-битных передач данных половинного тактового цикла WCK в I / О штифты.
GDDR5 работает с двумя разными типами часов. Дифференциальные тактовые импульсы (CK) в качестве эталона для ввода адреса и команд и перенаправленные тактовые импульсы дифференциальной записи (WCK) в качестве эталона для чтения и записи данных, которые работают с удвоенной частотой CK. Если быть более точным, GDDR5 SGRAM использует всего три тактовых генератора: два тактовых сигнала записи, связанных с двумя байтами (WCK01 и WCK23), и один командный тактовый сигнал (CK). Взяв в качестве примера GDDR5 со скоростью передачи данных 5 Гбит / с на вывод, CK работает с частотой 1,25 ГГц, а обе тактовые частоты WCK - на частоте 2,5 ГГц. CK и WCK выравниваются по фазе во время последовательности инициализации и обучения. Это выравнивание обеспечивает доступ для чтения и записи с минимальной задержкой.
Один 32-битный чип GDDR5 имеет около 67 сигнальных контактов, а остальные - это питание и земля в корпусе 170 BGA.
GDDR5 была раскрыта Samsung Electronics в июле 2007 года. Они объявили, что начнут массовое производство GDDR5 начиная с января 2008 года.
Hynix Semiconductor представила первую в отрасли 60-нм память GDDR5 класса «1 Гб» (1024 бит) в 2007 году. Она поддерживала пропускную способность 20 Гб / с на 32-битной шине, что позволяет конфигурации памяти 1 Гб при 160 Гбайт / с всего с 8 цепями на 256-битной шине. В следующем году, в 2008 году, Hynix превзошла эту технологию, выпустив память GDDR5 класса 50 нм «1 Гб».
В ноябре 2007 года Qimonda, дочерняя компания Infineon, продемонстрировала и опробовала GDDR5, а также выпустила документ о технологиях, лежащих в основе GDDR5. По состоянию на 10 мая 2008 г. Qimonda объявила о массовом производстве 512 Мб компонентов GDDR5 со скоростью 3,6 Гбит / с (900 МГц ), 4,0 Гбит / с ( 1 ГГц) и 4,5 Гбит / с (1,125 ГГц).
20 ноября 2009 года Elpida Memory объявила об открытии Мюнхенского центра дизайна, ответственного за графическую память DRAM (ГДДР ) проектирование и инжиниринг. Elpida получила GDDR проектные активы от Qimonda AG в августе 2009 года после банкротства Qimonda. В дизайн-центре работает около 50 сотрудников, и он оснащен высокоскоростным оборудованием для тестирования памяти для использования при проектировании, разработке и оценке графической памяти. 31 июля 2013 года Elpida стала полностью дочерней компанией Micron Technology и, основываясь на текущих общедоступных профессиональных профилях LinkedIn, Micron продолжает управлять Центром графического дизайна. в Мюнхене.
Hynix 40 нм класса «2 Гб» (2 × 1024 бит) GDDR5 был выпущен в 2010 году. Он работает на эффективной тактовой частоте 7 ГГц и обрабатывает до 28 ГБ / с. Микросхемы памяти GDDR5 «2 ГБ» позволяют использовать видеокарты с 2 ГБ или более встроенной памяти с пиковой пропускной способностью 224 ГБ / с или выше. 25 июня 2008 года AMD стала первой компанией, которая поставила продукты, использующие память GDDR5, со своей серией видеокарт Radeon HD 4870 , включающей модули памяти Qimonda на 512 МБ. с пропускной способностью 3,6 Гбит / с.
В июне 2010 года Elpida Memory анонсировала решение для памяти GDDR5 объемом 2 Гбайт, которое было разработано в Мюнхенском центре дизайна. Новый чип может работать с эффективной тактовой частотой до 7 ГГц и будет использоваться в видеокартах и других приложениях памяти с высокой пропускной способностью.
Компоненты GDDR5 «4 Гб» (4 × 1024 бит) стали доступны в третий квартал 2013 года. Первоначально выпущенный Hynix, Micron Technology быстро последовал за их реализацией в 2014 году. 20 февраля 2013 года было объявлено, что PlayStation 4 будет использовать шестнадцать 4 Гб микросхемы памяти GDDR5, всего 8 Гб GDDR5 @ 176 Гбит / с (CK 1,375 ГГц и WCK 2,75 ГГц) в качестве комбинированной системной и графической RAM для использования с его Система с процессором AMD на микросхеме, состоящая из 8 ядер Jaguar, 1152 шейдерных процессоров GCN и AMD TrueAudio. Разборка продукта позже подтвердила внедрение памяти GDDR5 на базе 4 Гб в PlayStation 4.
В феврале 2014 года в результате приобретения Elpida, Micron Technology добавила 2 Гб и 4 Гб GDDR5 продукции в Портфель компании графической памяти решений.
По состоянию на 15 января 2015 года Samsung объявила в пресс-релизе, что приступила к массовому производству «8 <80».>Гб "(8 × 1024 бит) микросхемы памяти GDDR5 на основе 20-нм производственного процесса. Чтобы удовлетворить спрос на дисплеи с более высоким разрешением (например, 4K ), которые становятся все более популярными, требуются микросхемы с более высокой плотностью, чтобы облегчить большие буферы кадра для интенсивных графических вычислений, а именно Компьютерные игры и прочее 3D-рендеринг. Увеличенная полоса пропускания новых модулей высокой плотности равна 8 Гбит / с на вывод × 170 выводов в корпусе BGA x 32 бита на цикл ввода / вывода, или эффективная пропускная способность 256 Гбит / с на чип.
6 января 2015 года Micron Technology президент Марк Адамс объявил об успешной выборке 8 Гб GDDR5 о финансовых результатах компании за первый квартал 2015 года. Затем 25 января 2015 года компания объявила о начале коммерческих поставок GDDR5 с использованием техпроцесса 20 нм. Официальный анонс 8-гигабайтной памяти GDDR5 от Micron появился в виде записи в блоге Кристофера Кидо на веб-сайте компании 1 сентября 2015 года.
В январе 2016, стандартизованная JEDEC GDDR5X SGRAM. GDDR5X нацелена на скорость передачи от 10 до 14 Гбит / с на вывод, что вдвое больше, чем у GDDR5. По сути, он предоставляет контроллеру памяти возможность использовать либо режим двойной скорости передачи данных с предварительной выборкой 8n, либо режим четырехкратной скорости передачи данных с предварительной выборкой 16n. GDDR5 имеет только режим двойной скорости передачи данных с предварительной выборкой 8n. GDDR5X также использует 190 контактов на чип (190 BGA ). Для сравнения: стандартный GDDR5 имеет 170 контактов на чип; (170 BGA ). Поэтому для этого требуется модифицированная печатная плата..
Micron Technology начала отбор образцов микросхем GDDR5X в марте 2016 года и начала массовое производство в мае 2016 года. карта с использованием GDDR5X, Pascal GeForce GTX 1080 6 мая 2016 г. Позже, вторая видеокарта с GDDR5X, Nvidia Titan X, 21 июля 2016 г. GeForce GTX 1080 Ti 28 февраля 2017 г. и Nvidia Titan Xp 6 апреля 2017 г.
