Войти
 | |
| Имена | |
|---|---|
| Систематическое название ИЮПАК Теллурид ртути | |
| Другие названия Теллурид ртути, теллурид ртути (II) | |
| Идентификаторы | |
| Количество CAS | |
| 3D модель ( JSmol ) | |
| ECHA InfoCard | 100.031.905  |
| Номер ЕС | |
| PubChem CID | |
| Панель управления CompTox ( EPA) | |
ИнЧИ
| |
Улыбки
| |
| Характеристики | |
| Химическая формула | HgTe |
| Молярная масса | 328,19 г / моль |
| Появление | около черных кубических кристаллов |
| Плотность | 8,1 г / см 3 |
| Температура плавления | 670 ° С |
| Состав | |
| Кристальная структура | Сфалерит, cF8 |
| Космическая группа | Ж 4 3м, № 216 |
| Если не указано иное, данные приведены для материалов в их стандартном состоянии (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа). | |
 N проверить ( что есть ?)  Y N | |
| Ссылки на инфобоксы | |
Теллурид ртути (HgTe) представляет собой бинарное химическое соединение ртути и теллура. Это полуметалл, относящийся к II-VI группе полупроводниковых материалов. Альтернативные названия - теллурид ртути и теллурид ртути (II).
HgTe встречается в природе в виде минерала колорадоита.
Все свойства приведены при стандартной температуре и давлении, если не указано иное. Параметр решетки в кубической кристаллической форме составляет около 0,646 нм. Объемный модуль упругости составляет около 42,1 ГПа. Коэффициент теплового расширения составляет около 5,2 × 10 -6 / К. Статическая диэлектрическая проницаемость 20,8, динамическая диэлектрическая проницаемость 15,1. Теплопроводность низкая - 2,7 Вт м 2 / (м К). Связи HgTe являются слабыми, что приводит к низким значениям твердости. Твердость 2,7 × 10 7 кг / м 2.
Легирование N-типа может быть достигнуто такими элементами, как бор, алюминий, галлий или индий. Йод и железо тоже будут допировать n-тип. HgTe является естественным p-типом из-за вакансий ртути. Легирование P-типа также достигается введением цинка, меди, серебра или золота.
Связи HgTe слабые. Их энтальпия образования, около -32 кДж / моль, составляет менее трети от значения для родственного соединения теллурида кадмия. HgTe легко травится кислотами, такими как бромистоводородная кислота.
Объемный рост происходит из расплава ртути и теллура в присутствии высокого давления паров ртути. HgTe можно также выращивать эпитаксиально, например, распылением или эпитаксией из паровой фазы металлоорганических соединений.
Электронная микрофотография (справа) нанопроволоки HgTe, встроенной в углеродную нанотрубку, в сочетании с моделированием изображения (слева). Недавно теоретически и экспериментально было показано, что квантовая яма теллурида ртути демонстрирует уникальное новое состояние вещества - « топологический изолятор ». В этой фазе, когда основная часть является изолятором, ток может переноситься электронными состояниями, ограниченными близко к краям образца. В отличие от квантового эффекта Холла, здесь не требуется магнитное поле для создания этого уникального поведения. Кроме того, противоположно направленные краевые состояния несут противоположные проекции спина.
