Войти
Напряженный кремний Напряженный кремний - это слой кремния, в котором атомы кремния вытянуты за пределы своего обычного межатомного расстояния. Этого можно добиться, нанеся слой кремния на подложку из кремний-германия ( Si Ge ). Когда атомы в слое кремния выравниваются с атомами нижележащего слоя кремний-германия (которые расположены немного дальше друг от друга по сравнению с атомами массивного кристалла кремния), связи между атомами кремния становятся растянутыми, что приводит к напряжению. кремний. Перемещение этих атомов кремния дальше друг от друга снижает атомные силы, которые мешают перемещению электронов через транзисторы и, следовательно, лучшую мобильность, что приводит к лучшей производительности чипа и снижению потребления энергии. Эти электроны могут двигаться на 70% быстрее, позволяя напряженным кремниевым транзисторам переключаться на 35% быстрее.
Более недавние достижения включают в себя осаждение кремния с использованием деформированного металлоорганическое газофазной эпитаксии ( MOVPE ) с металлоорганическими соединениями в качестве исходных источников, например источников кремния ( силан и дихлорсилан ) и источников германии ( германа, германий четыреххлористых и isobutylgermane ).
Более современные методы создания деформации включают легирование истока и стока атомами с несогласованной решеткой, такими как германий и углерод. Легирование германием до 20% в истоке и стоке полевого МОП - транзистора с P-каналом вызывает одноосную деформацию сжатия в канале, увеличивая подвижность отверстий. Легирование углеродом всего лишь 0,25% в истоке и стоке полевого МОП-транзистора с N-каналом вызывает одноосную деформацию растяжения в канале, увеличивая подвижность электронов. Покрытие NMOS-транзистора сильно нагруженным слоем нитрида кремния - еще один способ создания одноосной деформации растяжения. В отличие от методов на уровне пластины для создания деформации в канальном слое до изготовления полевого МОП-транзистора, вышеупомянутые методы используют деформацию, индуцированную во время самого изготовления полевого МОП-транзистора, для изменения подвижности носителей в канале транзистора.
