Changxin Memory Technologies

редактировать
ChangXin Memory Technologies
Торговое название CXMT
Собственное имя長 鑫 存儲 技术 有限公司
РанееInnotron. Хэфэй Чан Синь. Хэйфэй Руи-ли Производство интегральных схем
ПромышленностьПолупроводники
Основание2016 г.; 4 года назад (2016)
ШтабХэфэй, Аньхой, П. R. Китай
Количество сотрудников3000
Веб-сайтcxmt.com

ChangXin Memory Technologies (CXMT, китайский : 长鑫 存储, ранее известная как Innotron Memory, Hefei Chang Xin или Heifei Rui-li Integrated Circuit Manufacturing) - это китайский завод по производству полупроводников, основанный в конце 2010-х годов и специализирующийся на производстве DRAM объем памяти.

С 2020 года ChangXin может производить RAM LPDDR4 и DDR4 по 19-нм техпроцессу.

Содержание
  • 1 История
  • 2 Услуги
  • 3 Ссылки
  • 4 Внешние ссылки
История

Вместе с (Fujian Jin Hua Integrated Circuit) и Innotron была одной из набор китайских полупроводниковых заводов, созданных в 2016 году для конкуренции с мировыми производителями компьютерной памяти. В начале 2017 года было объявлено о сделке на сумму 7,2 миллиарда долларов для завода по производству 125 000, 12-дюймовых (300 мм) пластин в месяц. Завод Innotron был завершен к середине 2017 года, а производственное оборудование было установлено на заводе в конце 2017 года. Испытания и серийное производство были запланированы на конец 2018 - начало 2019 года. Сообщалось, что в конце 2018 года генеральный директор Чжу Имин посетил ASML, чтобы обсудить покупку аппаратов для литографии в крайнем ультрафиолете.

Первоначально считалось, что Innotron выбрала память 8 Гб LPDDR4 в качестве своего первого продукта. В то время аналитики утверждали, что проблемы с патентами и интеллектуальной собственностью станут препятствием для ее конкуренции с крупными производителями. В середине 2018 г. Сообщается, что началось производство 19 нм 8 Гб LPDDR4. Первоначальная мощность Innotron составляла ~ 20 000 пластин в месяц, что является небольшим объемом производства для отрасли в целом.

В середине 2019 года Innotron сменила название компании Changxin Memory Technologies, как сообщается, внесла некоторые изменения в конструкцию попытка избежать возможных санкций, связанных с технологиями, в результате торговой войны между Китаем и США.

В декабре 2019 года в интервью EE Times компания заявила, что ее первая фабрика находится в производстве и производит 20 000 пластин в месяц, делая 8 Гбит LPDDR4 и DDR4 DRAM на 19 нм.

Сообщается, что к концу 2020 года компания увеличит производство до 3% мирового производства DRAM, или примерно 40 000 пластин в месяц.

Помещения

По состоянию на конец 2019 года в CXMT работает более 3000 сотрудников, и у компании есть фабрика с чистыми помещениями площадью 65000 квадратных метров. Более 70% сотрудников - инженеры, работающие над различными проектами, связанными с исследованиями и разработками. CXMT использует свой техпроцесс 10G1 (он же 19 нм) для производства микросхем памяти 4 и 8 Гб DDR4.

ОЗУ LPDDR4 было добавлено в портфель продуктов в 2020 году.

Ссылки
Внешние ссылки
Последняя правка сделана 2021-05-14 05:33:57
Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: support@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте