Обратный магнитострикционный эффект

редактировать

Обратный магнитострикционный эффект, магнитоупругий эффект или эффект Виллари - это изменение магнитной восприимчивости материала при воздействии механического напряжения.

Содержание
  • 1 Пояснение
    • 1.1 Качественное объяснение магнитоупругого эффекта
    • 1.2 Количественное объяснение магнитоупругого эффекта
    • 1.3 Магнитоупругий эффект в монокристалле
  • 2 Метод испытания магнитоупругих свойств магнитомягкого материалы
  • 3 Применение магнитоупругого эффекта
  • 4 Ссылки
  • 5 См. также
Пояснение

Магнитострикция λ {\ displaystyle \ lambda}\ lambda характеризует изменение формы ферромагнитного материала во время намагничивания, тогда как обратный магнитострикционный эффект характеризует изменение намагниченности образца M {\ displaystyle M}M(для данной напряженности намагничивающего поля H {\ displaystyle H}H) при приложении к образцу механических напряжений σ {\ displaystyle \ sigma}\ sigma .

Качественное объяснение магнитоупругого эффекта

При заданном одноосном механическом напряжении σ {\ displaystyle \ sigma}\ sigma плотность потока B {\ displaystyle B}B для данной напряженности намагничивающего поля H {\ displaystyle H}Hможет увеличиваться или уменьшаться. То, как материал реагирует на напряжения, зависит от его магнитострикции насыщения λ s {\ displaystyle \ lambda _ {s}}\ lambda_s . Для этого анализа сжимающие напряжения σ {\ displaystyle \ sigma}\ sigma считаются отрицательными, а растягивающие - положительными.. Согласно принципу Ле Шателье :

(d λ d H) σ знак равно (d B d σ) H {\ displaystyle \ left ({\ frac {d \ lambda} {dH}} \ right) _ {\ sigma} = \ left ({\ frac {dB} {d \ sigma}} \ right) _ {H}}\ left (\ frac {d \ lambda} {dH} \ right) _ {\ sigma} = \ left (\ frac {dB} {d \ sigma} \ right) _ {H}

Это означает, что когда произведение σ λ s {\ displaystyle \ sigma \ lambda _ {s}}\ sigma \ lambda_s положительно, плотность потока B {\ displaystyle B}B увеличивается под действием напряжения. С другой стороны, когда произведение σ λ s {\ displaystyle \ sigma \ lambda _ {s}}\ sigma \ lambda_s отрицательно, плотность потока B {\ displaystyle B}B уменьшается при стрессе. Этот эффект был подтвержден экспериментально.

Количественное объяснение магнитоупругого эффекта

В случае единственного напряжения σ {\ displaystyle \ sigma}\ sigma , действующего на одиночный магнитный домен, плотность энергии магнитной деформации E σ {\ displaystyle E _ {\ sigma}}E_ \ sigma может быть выражена как:

E σ = 3 2 λ s σ sin 2 ⁡ (θ) {\ displaystyle E _ {\ sigma} = {\ frac {3} {2}} \ lambda _ {s} \ sigma \ sin ^ {2} (\ theta)}E_ \ sigma = \ frac {3} {2} \ lambda_s \ sigma \ sin ^ 2 (\ theta)

где λ s {\ displaystyle \ lambda _ {s}}\ lambda_s - это магнитострикционное расширение при насыщении, а θ {\ displaystyle \ theta}\ theta - угол между намагниченностью насыщения и направлением напряжения. Когда λ s {\ displaystyle \ lambda _ {s}}\ lambda_s и σ {\ displaystyle \ sigma}\ sigma оба положительны (как в железе под напряжением), энергия минимальна для θ {\ displaystyle \ theta}\ theta = 0, то есть когда натяжение совпадает с намагниченностью насыщения. Следовательно, намагниченность увеличивается при растяжении.

Магнитоупругий эффект в монокристалле

На самом деле магнитострикция более сложна и зависит от направления осей кристалла. В железе оси [100] представляют собой направления легкого намагничивания, тогда как вдоль направлений [111] намагниченность незначительна (если только намагниченность не становится близкой к намагниченности насыщения, что приводит к изменению домена ориентация от [111] до [100]). Эта магнитная анизотропия подтолкнула авторов к определению двух независимых продольных магнитострикций λ 100 {\ displaystyle \ lambda _ {100}}\lambda_{100}и λ 111 {\ displaystyle \ lambda _ {111}}\ lambda_ {111} .

  • В материалах кубической магнитострикция вдоль любой оси может быть определена известной линейной комбинацией этих двух констант. Например, удлинение по [110] представляет собой линейную комбинацию λ 100 {\ displaystyle \ lambda _ {100}}\lambda_{100}и λ 111 {\ displaystyle \ lambda _ {111} }\ lambda_ {111} .
  • В предположении изотропной магнитострикции (т.е. намагниченность домена одинакова в любых кристаллографических направлениях), тогда λ 100 = λ 111 = λ {\ displaystyle \ lambda _ {100} = \ lambda _ {111} = \ lambda}\ lambda_ {100} = \ lambda_ {111} = \ lambda и линейная зависимость между упругой энергией и напряжением сохраняется, E σ = 3 2 λ σ (α 1 γ 1 + α 2 γ 2 + α 3 γ 3) 2 {\ displaystyle E _ {\ sigma} = {\ frac {3} {2}} \ lambda \ sigma (\ alpha _ {1} \ gamma _ {1} + \ альфа _ {2} \ gamma _ {2} + \ alpha _ {3} \ gamma _ {3}) ^ {2}}E_ \ sigma = \ frac {3} {2} \ lambda \ sigma (\ alpha_1 \ gamma_1 + \ alpha_2 \ gamma_2 + \ alpha_3 \ gamma_3) ^ 2 . Здесь α 1 {\ displaystyle \ alpha _ {1}}\ alpha_1 , α 2 {\ displaystyle \ alpha _ {2}}\ alpha_2 и α 3 {\ displaystyle \ alpha _ {3}}\ alpha_3 - направляющие косинусы намагниченности домена, а γ 1 {\ displaystyle \ gamma _ {1}}\ gamma_1 , γ 2 {\ displaystyle \ gamma _ {2}}\ gamma_2 ,γ 3 {\ displaystyle \ gamma _ {3}}\ gamma_3 направления связей в направлении кристаллографических направлений.
Метод испытания магнитоупругих свойств магнитомягких материалов

Метод, пригодный для эффективного испытания магнитоупругого эффекта в магнитных материалах, должен отвечать следующим требованиям:

  • магнитная цепь испытуемого образца должна быть замкнута. Разомкнутая магнитная цепь вызывает размагничивание, что снижает магнитоупругий эффект и усложняет его анализ.
  • распределение напряжений должно быть равномерным. Необходимо знать величину и направление напряжений.
  • должна быть возможность создания на образце обмоток намагничивания и измерения, что необходимо для измерения петли магнитного гистерезиса при механических напряжениях.

Были разработаны следующие методы испытаний:

  • растягивающие напряжения, прикладываемые к полосе магнитного материала в форме ленты. Недостаток: разомкнутая магнитная цепь испытуемого образца.
  • растягивающие или сжимающие напряжения, приложенные к рамочному образцу. Недостаток: можно тестировать только сыпучие материалы. Отсутствие напряжений в соединениях колонн образцов.
  • сжимающие напряжения, приложенные к сердечнику кольца в боковом направлении. Недостаток: неравномерное распределение напряжений в сердечнике.
  • растягивающие или сжимающие напряжения, приложенные в осевом направлении к кольцевому образцу. Недостаток: напряжения перпендикулярны намагничивающему полю.
Применение магнитоупругого эффекта

Магнитоупругий эффект может быть использован при разработке датчиков силы датчиков. Этот эффект использовался для датчиков:

Магнитоупругий эффект также следует рассматривать как побочный эффект случайного приложения механических напряжений к магнитному сердечнику индуктивного компонента, например fluxgates.

Ссылки
См. Также
Последняя правка сделана 2021-05-24 05:41:02
Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: support@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте