Войти
Тиристор RAM (T-RAM ) - это тип памяти с произвольным доступом, изобретенный и разработанный в 2009 году, который отличается от обычных конструкций памяти ячеек, сочетающих сильные стороны DRAM и SRAM : высокая плотность и высокая скорость. Эта технология, которая использует электрическое свойство, известное как отрицательное дифференциальное сопротивление, и называется тонкой Тиристор с емкостной связью используется для создания ячеек памяти, способных к очень высокой плотности упаковки. Благодаря этому память имеет высокую масштабируемость и уже имеет плотность хранения, которая в несколько раз выше, чем в обычной шеститранзисторной памяти SRAM. Ожидалось, что следующее поколение памяти T-RAM будет иметь такую же плотность, как DRAM.
Эта технология использует электрическое свойство, известное как отрицательный дифференциальный резистор, и характеризуется инновационным способом построения ячеек памяти, сочетающим эффективность DRAM с точки зрения пространства с эффективностью SRAM с точки зрения скорости. Очень похоже на текущую 6T-SRAM, или память SRAM с 6-ячеечными транзисторами, существенно отличается, поскольку CMOS-защелка SRAM, состоящая из 4 из 6 транзисторов каждой ячейки, заменена биполярной защелкой PNP -NPN одного тиристора.. В результате значительно уменьшается площадь, занимаемая каждой ячейкой, и, таким образом, получается хорошо масштабируемая память, которая уже достигла плотности хранения, в несколько раз превышающей текущую SRAM.
Тиристор-RAM обеспечивает наилучшее соотношение плотности и производительности между различными интегрированными модулями памяти, что соответствует производительности памяти SRAM, но обеспечивает в 2-3 раза большую плотность хранения и более низкое энергопотребление. Ожидается, что новое поколение памяти T-RAM будет иметь такую же плотность хранения, как и DRAM.
.
