Игорь Грехов

Игорь Грехов
Действительный член РАН (2017)
Родился	(1934-09-10) 10 сентября, 1934. Смоленск, СССР
Гражданство	Россия
Образование	МГТУ им. Баумана
Известен	вкладом в физику и инженерию силовых полупроводниковых приборов
Награды	Ленинская премия (1966). Государственная премия СССР (1987). Государственная премия России (2002)
Научная карьера
Сфера	Силовая электроника
Учреждения	Институт Иоффе
Докторант	[ru ]

Внешний образ
Игорь Грехов (фото)

Игорь Всеволодович Грехов (русский : Игорь Всеволодович Грехов, родился 10 сентября 1934 года в Смоленске ) - советский и Российский физик и инженер-электрик, действительный член Российской Академии наук . Он известен как один из основоположников индустрии силовых полупроводниковых устройств в Советском Союзе. Его заслуги в области импульсных силовых устройств и преобразовательной техники отмечены присуждением Ленинской премии, двух Государственных премий и нескольких Государственных орденов России. В течение нескольких десятилетий возглавлял лабораторию Физико-технического института им. Иоффе в Санкт-Петербурге.

• 1 Профессиональная карьера
• 2 Основные достижения
• 3 Награды
• 4 Репрезентативные публикации
• 5 Источники

Грехов родился в семье учителя в Смоленске, но детство его прошло в городе Симферополь, Крым.

После окончания средней школы Грехов изучал электротехнику в МГТУ им. Баумана. Затем несколько лет (1958–1962) проработал в промышленности, работал инженером-исследователем и заведующим лабораторией на заводе «Электровипрямитель» в Саранске (Мордовия, СССР).

В 1962 году Грехов поступил на работу в Институт Иоффе в Ленинграде и с тех пор более полувека проработал в институте, последовательно занимая должности младшего, рядового и старшего научного сотрудника., руководитель группы и заведующий сектором исследований. В 1967 и 1975 годах он получил соответственно докторскую степень. и доктор наук степени по физике полупроводников. В 1982–2019 годах Грехов возглавлял лабораторию Силовой электроники. В период с 2004 по 2014 год он также занимал должность заведующего отделом твердотельной электроники института. Наряду с исследовательской деятельностью он читал курс полупроводниковых приборов в качестве профессора кафедры Св. Петербургский политехнический университет (1984–1994).

В 1991 году Грехов был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, а в 2008 году стал действительным членом Российской академии наук.

Исследования Грехова всегда были сосредоточены на физике твердотельных устройств, с особым моментом, связанным с их применением в силовой электронике. Его интересы охватывают все этапы: от теоретических исследований до изготовления пробных образцов до координации массового производства силовых устройств, включая преобразователи. Его новаторский вклад в 1960-е и 1970-е годы обеспечил технологический прорыв для полупроводниковой промышленности и дал начало ее новой отрасли - разработке силовых полупроводниковых устройств - в Советском Союзе.

Наиболее важными результатами являются:

• Наблюдение эффекта равномерного переключения кремниевой тиристорной структуры при возбуждении импульсами YAG: Nd-лазера., создание быстрых мощных переключателей (10 кВ, 30 кА, время нарастания импульса 20 нс) на основе этого эффекта;
• Открытие фронтов ударной ионизации в высоковольтных pn-переходах, запускаемых крутым импульсом напряжения; это явление используется в сверхбыстрых переключателях, таких как точилки лавинных диодов или быстроионизационные динисторы, с временем нарастания импульса менее 100 пс;
• Изобретения (1982–1983) открывающий переключатель нового типа, называемый дрейфовый восстанавливающий диод (DSRD), способный работать в диапазоне импульсной мощности от единиц до сотен мегаватт, и динистор обратного включения (RSD), позволяющий коммутировать Токи мегапиксельного диапазона в пределах десятков микросекунд. Самый мощный полупроводниковый переключатель, использующий RSD, сейчас используется в Российском федеральном ядерном центре ;
• . Прогнозирование нового физического эффекта туннельного формирования фронта ионизации в кремниевых устройствах. Было показано, что этот фронт отвечает за чрезвычайно быстрое (~ 20 пс) переключение устройств;
• Техническая идея нового устройства, конкурирующего с IGBT, - встроенного тиристора с внешним управлением полевым эффектом. Это устройство имеет характеристики, аналогичные характеристикам IGBT, но не требует такого усовершенствованного технологического оборудования для производства;
• Создание устройств из карбида кремния (SiC) для силовой электроники, в частности SiC- на основе размыкающих ключей.

Исследования в лаборатории Грехова включают и некоторые другие проблемы физики полупроводниковых приборов: туннельные явления в МИС -структурах, сегнетоэлектрические памяти, пористый кремний и сверхпроводящая керамика.

• 1966 - Ленинская премия
• 1975 - Заслуженный изобретатель РСФСР
• 1981 - Орден Дружбы народов
• 1987 - Государственная премия СССР
• 1999 - Орден Почета (Россия)
• 2002 - Государственная премия России
• 2006 - Премия Правительства РФ
• 2010 - Орден Дружбы (Россия)
• 2010 - Премия Правительства Санкт-Петербурга

[с. источники для подробностей]

• I. В. Грехов, Импульсная генерация энергии в нано- и субнаносекундном диапазоне с помощью ионизирующих фронтов в полупроводниках: состояние дел и перспективы на будущее, IEEE Transactions on Plasma Science, 38: 5 (2010), 1118–1123.
• И. В. Грехов, Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника, Вестник Российской академии наук, 78: 1 (2008), 22–30.
• I. Грехов, Г.А. Месяц, Наносекундные полупроводниковые диоды для импульсной коммутации мощности, УФН, 48: 7 (2005), 703–712.
• P. Родин, У. Эберт, В. Хундсдорфер, И. Грехов, Туннельные фронты ударной ионизации в полупроводниках, Journal of Applied Physics, 92: 2 (2002), 958–964.
• I. В. Грехов, Новые принципы коммутации большой мощности с полупроводниковыми приборами, Твердотельная электроника, 32:11 (1989), 923–930.

Всего Грехов является соавтором четырех книг, около 200 патентов и более 600 научные статьи.