Диод Шокли

редактировать

Диод Шокли
Электронный символ
Изобретен	Уильям Шокли
Конфигурация контактов	Анод и Катод

Скульптура, представляющая четырехслойный диод Шокли, на тротуаре перед новым зданием по адресу 391 San Antonio Rd., Mountain View, California, который был первоначальным местом лаборатории Shockley Semiconductor Laboratories, где была проведена первая работа в кремниевом устройстве в Кремниевой долине

диод Шокли (названный в честь физика Уильяма Шокли ) представляет собой четырехслойный полупроводниковый диод, который был одним из первых изобретенных полупроводниковых устройств. Это диод PNPN с чередующимися слоями материала P-типа и N-типа. Это эквивалент тиристора с отключенным затвором. Диоды Шокли производились и продавались Полупроводниковой лабораторией Шокли в конце 1950-х годов. Диод Шокли имеет характеристику отрицательного сопротивления.

Содержание

1 Рабочий
2 Использование
3 Типовые значения
4 Динистор
5 Ссылки
6 Внешние ссылки

Рабочий

В отличие от других полупроводниковых диодов, диод Шокли имеет более одного PN перехода. Конструкция включает четыре секции полупроводников, размещенных поочередно между анодом и катодом по схеме PNPN. Хотя он имеет несколько переходов, он называется диодом из-за того, что является устройством с двумя выводами. Диод Шокли остается в выключенном состоянии с очень высоким сопротивлением до тех пор, пока на его выводы не будет подано напряжение, превышающее пусковое напряжение. Когда напряжение превышает значение срабатывания триггера, сопротивление падает до чрезвычайно низкого значения, и устройство включается. Составляющие транзисторы помогают поддерживать состояние ВКЛ и ВЫКЛ. Поскольку конструкция напоминает пару соединенных между собой биполярных транзисторов, один PNP и другой NPN, ни один из транзисторов не может включиться до тех пор, пока не будет включен другой из-за отсутствия тока через переход база-эмиттер. После подачи достаточного напряжения и выхода из строя одного из транзисторов он начинает проводить и позволяет току базы течь через другой транзистор, что приводит к насыщению обоих транзисторов, удерживая оба в состоянии ВКЛ. При снижении напряжения до достаточно низкого уровня протекающий ток становится недостаточным для поддержания смещения транзистора. Из-за недостаточного тока один из транзисторов отключится, прервав ток базы другого транзистора, тем самым запечатывая оба транзистора в выключенном состоянии.

Использование

Общие приложения:

Триггерный переключатель для кремниевого выпрямителя
Осциллятор релаксации / пилообразный генератор

Нишевые приложения:

Аудиоусилитель

Типовые значения

Вольт-I диаграмма

Описание	Диапазон	Обычно
Прямое действие
Напряжение переключения В s	от 10 В до 250 В	50 В ± 4 В
Напряжение удержания V h	от 0,5 В до 2 В	0,8 В
Ток переключения I s	от нескольких мкА до некоторого мА	120 мкА
Ток удержания I H	от 1 до 50 мА	от 14 до 45 мА
Обратный режим
Обратный ток I R		15 мкА
Обратное напряжение пробоя V rb	от 10 В до 250 В	60 В

Динистор

Динистор

Слабосигнальные диоды Шокли больше не производятся, но однонаправленные тиристорные переключающие диоды, также известные как динистор, является функционально эквивалентным силовым устройством. Ранняя публикация о динисторах была опубликована в 1958 году. В 1988 году был изготовлен первый динистор на основе карбида кремния. Динисторы могут использоваться в качестве переключателей в генераторах микро- и наносекундных импульсов мощности.

Ссылки

Майкл Риордан и Лилиан Ходдесон; Хрустальный огонь: изобретение транзистора и рождение информационного века. Нью-Йорк: Нортон (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.

^«Фотогалерея музея транзисторов, 4-х слойный диод Шокли, транзистор». semiconductormuseum.com. Проверено 9 апреля 2019.
^"Фотогалерея музея транзисторов, 4 слоя диодного транзистора Шокли". semiconductormuseum.com. Проверено 9 апреля 2019.
^"Just Diodes In Hi-Fi Amplifier". 21 февраля 2007 г. Архивировано с оригинального 21 февраля 2007 г. Проверено 9 апреля 2019 г.
^Виллфрид Шуриг (1971), amateurreihe electronica: Kennlinien elektronischer Bauelemente. Teil II: Halbleiter Dioden (на немецком языке), Берлин: Deutscher Militärverlag, стр. 119
^Питтман П. (весна 1958 г.). «Применение динистого диода в выключенных контроллерах». 1958 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей. I : 55–56. doi : 10.1109 / ISSCC.1958.1155602.
^Челноков В.Е.; Вайнштейн, С. Н.; Левинштейн, М. Э.; Дмитриев, В. А. (1988-08-04). «Первый динистор SiC». Письма об электронике. 24 (16): 1031–1033. doi : 10.1049 / el: 19880702. ISSN 1350-911X.
^Аристов Ю.В.; Грехов, И.В. ; Коротков, С.В.; Люблинский А.Г. (22–26 сентября 2008 г.). «Динисторные переключатели для генераторов микро- и наносекундных импульсов мощности». Acta Physica Polonica A. Труды 2-й Евроазиатской конференции по импульсной энергии, Вильнюс, Литва, 22–26 сентября 2008 г. 115 (6): 1031–1033. doi : 10.12693 / APhysPolA.115.1031.

Внешние ссылки

На Викискладе есть материалы, связанные с диодами Шокли.