Войти
Уровень членства Fellow является наивысшим уровнем членства и не может быть подан непосредственно членом - вместо этого кандидата должны выдвигать другие. Этот уровень членства присваивается Советом директоров IEEE в знак признания высокого уровня продемонстрированных выдающихся достижений.
| Год | Сотрудник | Цитата |
|---|---|---|
| 1968 | Джеймс Майндл | За лидерство и вклад в области микроэлектроники и интегральных схем |
| 1968 | Джеймс Бьярд | За выдающийся вклад в области оптоэлектроники |
| 1970 | Герберт Кремер | За изобретение дрейфового транзистора и других полупроводниковых устройств |
| 1971 | Ричард Андерсон | За вклад в полупроводники и инженерное образование |
| 1972 | Джордж Хаддад | За вклад в разработку твердотельных и квантовых электронных устройств и инженерное образование |
| 1972 | Мартин Лепсельтер | За вклад в развитие транзисторов и интегральных схем |
| 1974 | Марвин Уайт | За вклад в теорию и развитие твердотельных электронных устройств, особенно памяти tr анзисторы и матрицы формирования изображений с зарядовой связью |
| 1975 | Льюис Терман | За вклад в разработку и разработку полупроводниковой компьютерной памяти и логических схем |
| 1977 | Дж. Земель | За вклад в твердотельную электронику и разработку полупроводниковых соединений IV-VI для инфракрасных фотопроводящих приложений |
| 1978 | Дэвид Барб | За вклад в теорию, понимание и разработка устройств с зарядовой связью. |
| 1978 | Джон Осепчук | За вклад в микроволновую технологию и безопасность в микроволновой печи. |
| 1979 | Джеймс Гоэлл | За технический вклад и лидерство в области оптических волокон, интегральных оптических схем и миллиметровых волноводов |
| 1979 | Альфред Мак Рэй | За лидерство в разработке технологии ионной имплантации и ее применения в производстве полупроводниковых приборов |
| 1981 | A Ballato | За вклад в теорию пьезоэлектрических кристаллов и частоты контроль. |
| 1981 | Роберт Мейер | За вклад в анализ и разработку высокочастотных усилителей |
| 1982 | Фред Блюм | За лидерство в и вклад в разработку высокоскоростных электронных и оптоэлектронных устройств с использованием соединений III-V |
| 1982 | Уильям Холтон | За техническое лидерство в исследованиях и разработках полупроводников |
| 1982 | Саймон Миддельхук | За вклад в теорию тонких магнитных пленок, а также в магнитные и полупроводниковые технологии, а также за лидерство в инженерном образовании |
| 1982 | Брюс Вули | За вклад в разработку интегральных схем для систем связи |
| 1983 | Б. Джаянт Балига | За вклад в развитие силовых полупроводниковых устройств |
| 1983 | К. Берглунд | За вклад в физику и устройства интерфейса металл-оксид-полупроводник |
| 1983 | Ричард Иден | За вклад в разработку быстродействующих интегральных схем из арсенида галлия и фотоприемников из сплава III-V. |
| 1983 | Джерри Фоссам | За вклад в теорию и технологию кремниевых солнечных элементов и транзисторов |
| 1983 | Х. Трой Нэгл | За вклад в промышленную электронику, сбор данных и контрольно-измерительные приборы. |
| 1983 | Такуо Сугано | За вклад в разработку полупроводниковых технологий и устройств, а также в инженерное образование. |
| 1984 | Х. Кейси | За вклад в исследования соединений III-V в понимании эмиссии на основе основных оптических свойств и поведения примесей |
| 1984 | Роберт Даттон | За вклад в компьютерное моделирование кремниевых устройств и производственных процессов |
| 1984 | Сирил Хилсум | За новаторские теоретические предсказания эффектов отрицательного сопротивления фотоэлектронов в арсениде галлия |
| 1985 | Майкл Адлер | За вклад в CAD-моделирование силовых полупроводниковых устройств |
| 1985 | Артур Фойт | За вклад в методы ионной имплантации для изготовления полупроводниковых приборов. |
| 1985 | Раджиндер Хосла | За вклад в создание твердотельных изображений и лидерство в области микроэлектроники |
| 1985 | Джеймс МакГэррити | За вклад в понимание физических механизмов, вызывающих радиационные повреждения в МОП-устройствах |
| 1985 | Джеймс Пламмер | За вклад в понимание процессов производства кремния, физики устройств и высоковольтных интегральных схем |
| 1986 | Дэвид Ферри | За вклад в изучение транспорта носителей заряда в полупроводниках и физику субмикронных полупроводниковых приборов. |
| 1986 | Кеннет Гэллоуэй | За вклад в изучение радиационных эффектов в микроэлектронике |
| 1986 | Ричард Джегер | За вклад в разработку устройств технология для высокопроизводительных аналоговых и цифровых компьютерных систем. |
| 1986 | Майкл Томпсетт | За инновации и лидерство в области применения устройств с зарядовой связью для обработки изображений, памяти и обработки сигналов |
| 1986 | Kensall Wise | За лидерство в области интегрированных твердотельных датчиков и инженерное образование |
| 1986 | Х Ю | За лидерство и вклад в передовые технологии для схем СБИС |
| 1987 | P Daniel Dapkus | За разработку процесса химического осаждения из газовой фазы для выращивания полупроводниковых гетероструктур из соединений III-V |
| 1987 | John Hauser | За вклад в понимание транспорта носителей заряда в полупроводниках и развитие каскадных солнечных элементов. |
| 1987 | Так Нин | За вклад в понимание эффектов горячих электронов на полевых МОП-транзисторах и достижения в биполярной технологии |
| 1987 | Ка Салама | За вклад в разработку силовых полупроводниковых приборов и проектирование интегральных схем |
| 1988 | Ричард Мюллер | За вклад в твердотельные датчики и обучение твердотельным датчикам. State Electronics |
| 1988 | Роберт Биериг | За лидерство в исследованиях устройств на основе GaAs и технологии MMIC |
| 1988 | Джеймс Харрис | Для Вклад в создание сложных полупроводниковых материалов и устройств |
| 1988 | Лоуренс Казмерски | За вклад в технологию фотоэлектрических устройств, а также в определение характеристик электронных материалов и устройств |
| 1989 | Луи Паррилло | За вклад в разработку КМОП и биполярных интегральных схем |
| 1989 | Майкл Шур | За вклад в разработку высокоскоростных устройств и интегральных схем |
| 1989 | Паллаб Бхаттачарья | За вклад в синтез и описание соединений и гетероструктур III-V и их применение в электронных и оптических устройствах |
| 1989 | Рэймонд Боксман | За достижения в Теория вакуумной дуги и ее приложения |
| 1989 | Мадху Гупта | За вклад в определение характеристик и моделирование шума в высокочастотных полупроводниковых приборах и микроволновых интегральных схемах |
| 1989 | Роберт Хартман | За вклад в надежность полупроводниковых лазеров для волоконно-оптических систем связи |
| 1989 | Джон Кассакян | За вклад в образование и исследования в силовая электроника |
| 1989 | Кришна Панде | За вклад в разработку полупроводниковых материалов и устройств III-V, особенно за продвижение полевого транзистора на основе фосфида индия, металл-диэлектрик-полупроводник технология |
| 1989 | Кришна Сарасват | За вклад в металлизацию и межкомпонентные соединения f или СБИС. |
| 1989 | Руди Ван Де Плассе | За вклад в разработку аналоговых интегральных схем |
| 1989 | Э Виттоц | За вклад в разработка микросхем на микросхемах. |
| 1990 | Гарольд Феттерман | За вклад в расширение оптических технологий в субмиллиметровом и миллиметровом диапазонах волн |
| 1990 | Х Джори | Для технических за лидерство в разработке гиротронов |
| 1990 | Джон Оуэнс | За вклад в понимание и применение магнитостатических волн в микроволновых диапазонах частот |
| 1990 | Дмитрий Антониадис | За вклад в моделирование и моделирование производственного процесса и полевые квантовые транспортные устройства |
| 1990 | Шоджиро Асаи | За вклад в развитие технологии полупроводниковых устройств. |
| 1990 | C Bajorek | За лидерство в разработке и производстве магнитных устройств хранения данных и высокоскоростных коммутационных устройств для компьютеров |
| 1990 | Джо Кэмпбелл | За вклад в полупроводниковые фотодетекторы для световой связи. |
| 1990 | Дж. Доннелли | За разработку методов имплантации значков и их применение в полупроводниковых фотонных устройствах |
| 1990 | Ричард Фэйр | Для вклад в понимание диффузии примеси в кремнии, компьютерное моделирование процессов в кремнии и разработки электронных устройств |
| 1990 | Рэнди Гейгер | За вклад в разработку дискретных и интегрально-аналоговых схем |
| 1990 | Сунг Мо Кан | За технический вклад и лидерство в разработке систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем и систем |
| 1990 | Дэвид Майерс | За новаторство в разработке ионно-лучевой модификации сверхрешеток с напряженным слоем и материалов с квантовыми ямами на основе соединения-полупроводника для новых электронных и оптоэлектронных устройств |
| 1990 | Уильям Зайдлер | За вклад в исследования электромагнитных импульсных эффектов |
| 1990 | Джеральд Стрингфеллоу | Для разработки и под статус процесса металлоорганической эпитаксии из паровой фазы для полупроводниковых устройств III-V |
| 1990 | Денни Танг | За вклад в разработку и масштабирование высокоскоростных кремниевых биполярных устройств |
| 1991 | Джон Бин | За вклад в кремниевую молекулярно-лучевую эпитаксию |
| 1991 | Натан Блюзер | За вклад в датчики инфракрасного изображения и детекторы на гетеропереходах |
| 1991 | Джеральд Борсук | За техническое лидерство в твердотельных и вакуумных электронных устройствах и за вклад в разработку микроэлектронных фотодетекторов для обработки оптических сигналов |
| 1991 | Гайлон Брем | За вклад в разработку микроволновых схем и полупроводниковую обработку GaAs-монолитных СВЧ интегральных схем |
| 1991 | Э. Коэн | За лидерство в продвижении монолитные интегральные схемы микроволнового и миллиметрового диапазонов |
| 1991 | Peter Cottrell | Для разработки моделирования методом конечных элементов для r МОП и биполярные транзисторы, а также для измерения и моделирования эффектов горячих электронов в МОП устройствах |
| 1991 | Филип Хауэр | За вклад в понимание и развитие силовых полупроводниковых устройств |
| 1991 | Ренука Джиндал | За вклад в область теории и практики шума твердотельных устройств |
| 1991 | Теодор Каминс | За вклад материалам, процессам, проектированию и образованию в области полупроводниковой электроники |
| 1991 | Марк Кушнер | За вклад в фундаментальное понимание низкотемпературной плазмы |
| 1991 | Роберт Лехени | За вклад в объединение оптических и электронных устройств, использующих преимущества материалов InP для телекоммуникационных приложений |
| 1991 | Ники Лу | За вклад в полупроводники дизайн и технология памяти |
| 1991 | Аджит Рохатги | За теоретический и экспериментальный вклад в разработку и производство высокоэффективных солнечные элементы ency |
| 1991 | Джордж Сай-Халас | За вклад в миниатюризацию устройств и новые концепции устройств |
| 1991 | Анджей Стройвас | За вклад в статистически автоматизированное производство интегральных схем |
| 1991 | Орлин Трапп | За вклад в производственное обучение в области анализа надежности и отказов полупроводников |
| 1992 | Брайан Экленд | За вклад в разработку заказных интегральных схем для систем обработки сигналов |
| 1992 | Джеймс Коулман | За вклад в полупроводниковые лазеры за счет инновационных Методы эпитаксиального выращивания и конструкции устройств |
| 1992 | Серджио Кова | За вклад в приборостроение ядерной электроники, в частности, концепцию и демонстрацию кремниевых однофотонных детекторов |
| 1992 | Милтон Фэн | За вклад в разработку имплантированных GaAs и InGaAs миллиметровых MESFET-транзисторов |
| 19 92 | Тихиро Хамагучи | За вклад в понимание эффектов горячих электронов в полупроводниках и развитие модулирующей спектроскопии |
| 1992 | Амр Мохсен | |
| 1992 | Хисаши Шичидзё | За вклад в технологию полупроводниковой памяти |
| 1992 | Майкл Стросцио | За вклад в понимание квантовых и релятивистских явлений в твердых телах. государственная и лазерная плазма |
| 1992 | Эли Яблонович | За вклад в физику полупроводниковых оптических устройств. |
| 1993 | Дэвид Блэкберн | За вклад в понимание и описание электротермических свойств и связанных с ними механизмов отказа силовых полупроводниковых устройств |
| 1993 | Джеймс Купер | Для времяпролетных исследований переноса сильного поля на границе кремний / диоксид кремния и демонстрации долговременного накопления заряда в широкозонных полупроводниках |
| 1993 | Гилберт Деклерк | За лидерство и вклад в физику МОП-устройств, технологию ПЗС и технологии обработки СБИС |
| 1993 | Уилбур Джонстон | За вклад в оптоэлектронные материалы и технологию устройств |
| 1993 | Димитриос Павлидис | За вклад в разработку и технологию гетеропереходных транзисторов и монолитных СВЧ интегральных схем |
| 1993 | Зигфрид Зельберхерр | За новаторская работа в области численного анализа полупроводниковых устройств и процессов их изготовления |
| 1993 | Стивен Сентуриа | Для вклад в применение технологии микротехнологии к микросенсорам и микроакусторам, а также к характеристике микроэлектронных материалов |
| 1993 | Пол Соломон | За вклад в теорию масштабирования полупроводниковых устройств |
| 1993 | Ричард Тру | За вклад в единую теорию переноса электронного пучка в мощных микроволновых системах |
| 1994 | Гордон Дэй | За технический вклад и лидерство в области измерения световых волн и оптоволоконных датчиков |
| 1994 | Ричарда Циолковски | За вклад в теорию локализованных волн и их реализацию в импульсных решетках, а также за вклад в вычислительную электромагнетизм. |
| 1994 | Аристос Христу | За вклад в надежность силовых микроволновых устройств |
| 1994 | Джованни Де Микели | За вклад в синтез алгоритмы проектирования электронных схем и систем |
| 1994 | Лоуренс Дворски | За вклад в пьезоэлектрические резонаторы и резонаторы линий передачи и полосовые фильтры для телекоммуникационных приложений |
| 1994 | Рональд Гутманн | За вклад в микроволновую полупроводниковую технологию |
| 1994 | Эвелин Ху | За вклад в развитие процессов сухого травления с высоким разрешением в полупроводниковых соединениях |
| 1994 | Джеймс К. Хван | За вклад в развитие производства молекулярно-лучевой эпитаксии и устройств и материалов для гетероструктур |
| 1994 | Марк Лундстрем | За вклад в физику и моделирование гетероструктурных устройств |
| 1994 | Мартин Пекерар | За вклад и лидерство в области рентгеновских лучей и микролитографии |
| 1994 | Джеймс Спратт | За вклад в разработку и производство радиационно-стойких интегральных схем и достижения в технологии полупроводников |
| 1994 | Роберт Шварц | За вклад в разработку быстродействующих интегральных схем для систем оптической связи. |
| 1994 | Ричард Темкин | За лидерство в разработке и применении когерентных источников миллиметрового и инфракрасного диапазона |
| 1994 | Вен Ван | За вклад в создание сложных полупроводниковых устройств за счет инновационного роста кристаллов |
| 1994 | Питер Зори | За вклад в развитие и понимание полупроводниковых и газовых лазеров |
| 1995 | Тяо-юань Хуан | За изобретение и демонстрацию полностью перекрывающихся МОП-транзисторов с легким стоком |
| 1995 | Андре Джеклин | За вклад в понимание и развитие полупроводниковые приборы большой мощности. |
| 1995 | Чжи-юань Лу | За вклад в полупроводниковую технологию и за лидерство в развитии Тайваньской индустрии интегральных схем |
| 1995 | Цо- ping Ma | За вклад в понимание интерфейса оксидных полупроводников и эффектов горячих носителей |
| 1995 | Seiki Ogura | |
| 1995 | John Pierro | За вклад в твердотельные СВЧ малошумящие усилители и разработку интегральных схем |
| 1995 | Вилли Сансен | За вклад в систематическое проектирование аналоговых интегральных схем |
| 1995 | Питер Стэкер | За лидерство и вклад в разработку и разработку устройств и схем микроволнового и миллиметрового диапазона |
| 1996 | Гарри Чарльз | За руководство в технологии упаковки электроники для космических, морских и биомедицинских электронных систем |
| 1996 | Санджай Банерджи | За вклад в физику полупроводниковых устройств, используемых в трехмерных интегральных схемах, и низкотемпературная кремний-германиевая эпитаксия с использованием химического осаждения из газовой фазы без термического воздействия. |
| 1996 | Дэвид Карлсон | За вклад в открытие методов получения тонких пленок гидрированного аморфного кремния |
| 1996 | Джозеф Кроули | За вклад в образование и практику в области электростатических процессов, а также за фундаментальный вклад в электрогидродинамику. |
| 1996 | Supriyo Datta | За вклад в понимание электронного транспорта в сверхмалых устройствах |
| 1996 | Дж. Майкл Голио | Для вклад в определение характеристик, определение параметров и моделирование микроволновых транзисторов |
| 1996 | Roger Howe | За плодотворный вклад в технологии микротехнологии |
| 1996 | Hiroyoshi Komiya | За вклад в разработку и эксплуатацию полностью автоматизированной линии по производству полупроводников |
| 1996 | Жан-п Лебертон | За вклад в нелинейный электронный перенос и размерное квантование в полупроводниках квантовые ямы, квантовые проволоки и квантовые точки, а также теория показателя преломления в сверхрешетках |
| 1996 | Алан Льюис | За вклад в физику и схемы передовых дополнительных металлооксидных полупроводниковых устройств дизайн для крупногабаритной микроэлектроники и очень крупномасштабной интеграции. |
| 1996 | Эфраим Сухир | За вклад в применение механики и инженерии надежности к физическому проектированию и анализу микроэлектронных и волоконно-оптических систем |
| 1996 | Тору Тоябе | За вклад в численное моделирование устройств и физику устройств металл-оксид-полупроводник |
| 1997 | Герберт Беннетт | За вклад в моделирование тяжелого легирования и физику переноса в semiconductors |
| 1997 | Ховард Калтер | За вклад в развитие DRAM. |
| 1997 | Ларри Карли | За вклад в разработку аналоговых интегральных схем и автоматизированное аналоговое проектирование |
| 1997 | Анджей Филипковски | За вклад в инженерное образование |
| 1997 | Дэниел Флитвуд | За вклад в область электронных устройств и материалов |
| 1997 | Джозеф Джакино | За вклад в микромеханические и микроэлектромеханические системы управления |
| 1997 | Стивен Хиллениус | За вклад в область твердотельной технологии и ее приложений в интегральных схемах |
| 1997 | Кадзухико Хондзё | За вклад в разработку интегральных схем на основе арсенида галлия |
| 1997 | Хироши Иваи | За вкладкой в ультра- устройство CMOS BiCMOS с малой геометрией. |
| 1997 | Мицумаса Коянаги | За изобретение ячеек DRAM с пакетным конденсатором |
| 1997 | Хишам Масуд | За вклад в понимание кинетика окисления кремния, сверхтонкие диэлектрики затвора и граница раздела Si-SiO2. |
| 1997 | Ричард Снайдер | За вкладкой в устройства мощных миниатюрных фильтров с полосой задерживания и чрезвычайно широкополосных полосовых фильтров для микроволновых приложений |
| 1997 | Вт Trybula | За вклад в развитие и продвижение технологий производства электроники. |
| 1997 | Осаму Вада | За его вклад в полупроводниковую оптоэлектронную интегральную схему (OEIC) III-V |
| 1997 | Ченг Вэнь | За вклад в изобретение и инструменты методов СВЧ интегральных схем на основе сополярных волноводов |
| 1998 | Марк Лоу | За вклад в моделирование и симуляцию процессов интегральных схем |
| 1998 | Асад Мадни | За вклад в проектирование и настройки приборов для систем радиоэлектронной борьбы |
| 1998 | Аллен Барнетт | За вклад и техническое руководство в разработке и коммерциализация фотоэлектрических солнечных элементов. |
| 1998 | Ричард Чепмен | За устройство визуализации HgCdTe и вклад в технологию CMOS |
| 1998 | Юнг-Кай Чен | За вклад в генерацию ультракоротких импульсов с использованием полупроводниковых лазеров, интегральных лазерных модулей и высокочастотных InPHBAT |
| 1998 | Майкл Драйвер | За вклад в широкополосные силовые цепи из арезенида галлия. |
| 1998 | Тадаёши Эномото | За вклад в мультимедийных интегральных схем |
| 1998 | Эрик Фоссум | За вклад в датчики изображения и обработка изображений на кристалле |
| 1998 | Барри Гилберт | Для разработки улучшенной электронной упаковки для высокопроизводительных интегральных схем на основе арсенида галлия. |
| 1998 | Ричард Киль | За вклад в гетероструктурные полевые транзисторы и схемы |
| 1998 | Конили Киркпатрик | За лидерство в разработке производства электронного материалов и устройств категории III-V и их применение в военных и коммерческих системах |
| 1998 | Карлтон Осберн | За вклад в кремниевую технологию, включая самовыравнивающиеся силициды, пробой диэлектриков, и явления горячих электронов |
| 1998 | Марк Пинто | За вклад в компьютерное проектирование электронных устройств. |
| 1998 | М Айман Шибиб | За вклад в физику устройств с эффектами сильного легирования и высоковольтных интегральных для телекоммуникационных коммутационных систем |
| 1999 | Дэвид Ламбет | За научный, образовательный и профессиональный вклад в области магнетизма, систем хранения данных и мобильных устройств |
| 1999 | Кристофер Сильва | За вклад в применение теории нелинейных схем и систем к обработка сигналов связи. |
| 1999 | Джорджио Баккарани | За вклад в теорию масштабируемых кремниевых устройств. |
| 1999 | Джеймс Дейтон | За вклад в микроволновых устройств |
| 1999 | Дэн Гебель | За достижения в источниках плазмы и технология для импульсных переключателей и микроволновых источников |
| 1999 | Юэ Куо | За технологию и процессы тонкопленочных транзисторов. |
| 1999 | Майкл Меллок | За вкладышем в устройствах из карбида кремния |
| 1999 | Тору Накамура | За вклад в развитие высоких технологий. -скоростные биполярные интегральные схемы |
| 1999 | Heiner Ryssel | Для внедрения технологии ионной имплантации в немецкую полупроводниковую промышленность |
| 1999 | Nihal Sinnadurai | За вкладкой в сферу экономичной и надежной упаковки микроэлектроники |
| 1999 | Эндрю Стекл | За вклад в имплантацию сфокусированного ионного пучка и производство полупроводниковых устройств |
| 1999 | Дуайт Стрейт | За вклад в систему и производство материалов и устройств для гетеропереходов |
| 1999 | Кэри Янг | За вклад в образование в области микроэлектроники и понимание межфазные свойства устройств на основе кремния |
| 1999 | Ян Янг | За вклад в создание микропроцессорных схем и развития технологий |
| 2000 | Питер Асбек | За приложение гетероструктурных биполярных транзисторов и приложений |
| 2000 | E Fred Schubert | За вклад в легирование полупроводников и устройства с резонансным резонатором |
| 2000 | Богдан Виламовски | За вкладыш в промышленную электронику и устройство статической индукции |
| 2000 | Джеффри Бокор | За вклад в оптику EUV литография и глубоко-субмикронные полевые МОП-транзисторы |
| 2000 | Леонард Брилсон | За вклад в понимание и контроль полупроводниковых интерфейсов и электрических контактов с помощью методов атомного масштаба |
| 2000 | Кайо Феррейра | За вкладыш в реактивных электродвигателях и генераторов для современных электрических самолетов |
| 2000 | Тор Фьелдли | За вклад в моделирование полупроводниковых устройств. и разработка AIM spice |
| 2000 | Роберт Колбас | За вклад в понимание и развитие лазера на гетероструктурах с квантовыми ямами rs и излучатели света. |
| 2000 | Джон Хейг Марш | За вклад в развитие интегрированной оптики на основе полупроводниковых устройств с квантовыми ямами |
| 2000 | Масатоши Мигитака | За вклад в исследования и за кремниевых высокотемпературных интегральных |
| 2000 | Арто Нурмикко | За вкладкой в лазерную науку и устройства оптоэлектроники |
| 2000 | Григорий Нусинович | За вкладкой в теорию гиротронных генераторов и усилителей и мазеров с циклотронным авторезонансом |
| 2000 | Дэвид Пулфри | За вклад в моделирование биполярных полупроводниковых устройств с гетеропереходом |
| 2000 | Рональд Шримпф | За вклад в понимание и моделирование физических механизмов, управляющих реакцией полупроводниковых устройств на радиационное воздействие |
| 2000 | Юань-чен Сун | За вклад в передовую технологию CMOS |
| 2000 | Наоки Йокояма | За вкладыш в развитие самонастройки для интегральные схемы MESFET на основе арсенида галлия. |
| 2001 | Эдвард Резек | За вклад в создание монолитных микроволновых интегральных и оптоэлектронных устройств на основе GaAs и InP |
| 2001 | Ричард Аренкиль | Для вкладки в измерение времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах |
| 2001 | Барри Берк | За вкладыш в технологиях развития устройств с зарядовой связью для передачи изображений и обработки сигналов |
| 2001 | Их-чин Чен | За лидерство в разработке передовых КМОП-технологий |
| 2001 | Сорин Кристоловяну | За вклад в устройство кремний-на -изолятора физика, технология и характеристики |
| 2001 | Сан Ху Дхонг | За вкладышем в высокоскоростных процессоров и микросхем памяти |
| 2001 | Самир Эль-Газали | За вклад в анализ и моделирование микроволновых устройств и схем. |
| 2001 | Сезар Гонсалес | За вклад в алгоритмы кодирования MPEG и лидерство в их использовании. |
| 2001 | Адитья Гупта | За вклад в развитие технологий микроволновых монолитных интегральных схем и лидерство в разработке производственных процессов |
| 2001 | Йошиаки Хагивара | За новаторскую работу и твердотельных устройств формирования изображения. |
| 2001 | Вэй Хван | За вкладышем в технологии ячеек высокой плотности и высокоскоростной динамической оперативной памяти |
| 2001 | Кей Мэй Лау | За вклад в создание материалов и устройств на основе полупроводниковых гетероструктур III-V |
| 2001 | Чин Ли | За новаторские исследования в области технологии безфлюсового соединения и вклад в инструменты теплового проектирования для электронных устройств и корпусов. |
| 2001 | Барух Левуш | За лидерство в разработке теоретических и вычислительных моделей ресурсов свободных электронов |
| 2001 | Кенджи Ниши | За вклад в моделирование полупроводниковых процессов и устройств и программного обеспечения для их моделирования |
| 2001 | Джон Орлофф | За вклад в технологию Focussed Ion Beam Technology |
| 2001 | Стивен Пирто | За вкладкой в приложение и применение Цифровые схемы Джозефсона для электронных систем. Зарегистрируйтесь, чтобы узнать больше о приложении и применении в составных полупроводниковых устройствах |
| 2001 | Джон Пшибиш | ., особенно радаров, спутниковой связи и сетей коммутации данных |
| 2001 | Мухаммад Рашид | За лидерство в образовании силовой электроники и вклад в методологии анализа и проектирования твердого тел. -государственные преобразователи энергии |
| 2001 | Кришна Шенай | За понимание в создании, разработке и применении силовых полупроводниковых устройств и схем |
| 2001 | Риту Шривастава | За вкладкой в технологии высокопроизводительной памяти CMOS и продукты |
| 2001 | Джеймс Штурм | За вклад в создание новых полупроводниковых устройств на основе кремния и электроники больших площадей |
| 2001 | Ян Юань Ван | За лидерство в исследованиях и образовании полупроводников в Китае |
| 2002 | Мин Ву | За вклад в оптические микро-электромеханические системы и высокоскоростную оптоэлектронику |
| 2002 | Нараин Арора | За вклад в разработку компактных моделей полевых МОП-транзисторов для моделирования схем |
| 2002 | Иоахим Бургхартц | За вклад в создание интегрированных высокоскоростных и радиочастотных кремниевых устройств и компонентов |
| 2002 | Кех-юнг Чен | За вклад в полупроводниковую гетероструктуру структурные материалы и устройства с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии |
| 2002 | Нико Де Рой | За вклад в микроэлектрические / механические системы и передачу технологий на рынок |
| 2002 | Evangelos Eleftheriou | За вклад в коррекцию и кодирование, а также за обнаружение максимального правдоподобия с прогнозированием шума при магнитной записи. |
| 2002 | Дж. Хаслетт | За вклад в высокотемпературные приборы и шум в твердотельной электронике |
| 2002 | Ченнупати Джагадиш | За вклад в интеграцию полупроводниковых оптоэлектронных устройств III-V |
| 2002 | Ральф Джеймс | За вклад и лидерство в разработке широкозонных полупроводниковых устройств, используемых для обнаружения и визуализации рентгеновского и гамма-излучения |
| 2002 | Аллан Джонстон | За вклад в понимание эффектов космического излучения в оптоэлектронике |
| 2002 | Леда Лунарди | За вклад в развитие высоких технологий. производительность 1,55 мкм монолитно-интегрированный фотоприемник для оптической связи |
| 2002 | Lawrence Pileggi | За вклад в моделирование интегральных схем |
| 2002 | Wolfgang Porod | За вклад в концепцию схем и архитектуру для наноэлектроники |
| 2002 | Раджендра Сингх | За вклад в и техническое лидерство в обработке материалов и производстве полупроводниковых устройств |
| 2002 | Манфред Тумм | За вклад в разработку и применение гиротронных генераторов, сверхразмерных преобразователей микроволнового режима и компонентов линий передачи |
| 2002 | Тошиаки Цучия | За вклад в понимание физики надежности МОП-устройств и разработку КМОП-технологий, устойчивых к горячим носителям |
| 2002 | Чарльз Ту | За вклад в молекулярно-лучевую эпитаксию новых полупроводников III-V группы |
| 2002 | Ян Ван Дер Шпигель | За вклад в создание биологически мотивированных сенсоров и систем обработки информации |
| 2002 | Тошиаки Ячи | За вклад в создание силовых полупроводниковых и микромагнитных устройств. |
| 2003 | Джамал Дин | За вклад в моделирование, шум и извлечение параметров в кремниевых транзисторах и высокоскоростных фотодетекторах |
| 2003 | Дэвид Франк | За вклад в создание твердотельных устройств и сверхмалых КМОП-устройств. |
| 2003 | Уильям Галлахер | За вклад в разработку туннельных переходов оксид-барьер для сверхпроводящих и магнитных устройств |
| 2003 | Дэвид Харам | За вклад в разработку SiGe-гетеропереходных биполярных транзисторов и технологий BiCMOS |
| 2003 | Нэн Джокерст | За вклад в интеграцию и упаковку оптоэлектронных устройств для реализации оптических соединений и интерфейсы. |
| 2003 | Хой-Синг Квок | За новаторские исследования в области технологии жидкокристаллических дисплеев |
| 2003 | Бёрн Лин | За вклад в литографию теория, инструменты, маски и технологии производства |
| 2003 | Тадаши Нишимура | За лидерство в разработке передовых КМОП-устройств и технологических процессов |
| 2003 | Умберто Равайоли | За вклад в моделирование электронных устройств методом Монте-Карло |
| 2003 | Марк Родвелл | За вклад в высокоскоростные электронные устройства и интегральные схемы |
| 2004 | Стивен Гудник | За вклад в основы транспорта носителей и полупроводниковые устройства |
| 2004 | Гэри Броннер | За вклад в технологию динамической памяти с произвольным доступом |
| 2004 | Константин Булучя | За вклад в разработку транзисторов в области силовой электроники |
| 2004 | Касимер Де Кусатис | За вклад в волоконную оптику системы передачи данных |
| 2004 | Роберт Эклунд | Для лидерства в разработке и производстве субмикронных КМОП-технологий |
| 2004 | Хирому Фуджиока | За вклад в электронно-лучевые испытания полупроводниковых устройств и |
| 2004 | Эрик Хейне | За вкладыш в полупроводниковые детекторные системы и радиационно-стойкую считывающую электронику детектора |
| 2004 | Шуджи Икеда | За вкладкой в систему и производство статических устройств произвольного доступа память |
| 2004 | Колин Макэндрю | За вкладыш в компактное и статистическое моделирование полупроводниковых устройств |
| 2004 | Саваки Нобухико | За вклад в разработку полупроводниковых материалов и устройств с нитридом III группы |
| 2004 | Хироши Нозава | За вклад в энергонезависимую полупроводниковую память |
| 2004 | Микаэль Остлинг | За вклад в развитие технологии полупроводников и образование |
| 2004 | Ежи Рузилло | За вклад в ультратонкое окисление в микроэлектр оэнергетике. nic Manufacturing |
| 2004 | Виктор Рыжий | За вклад в инфракрасных фотоприемников с квантовыми ямами и инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками. |
| 2004 | Дэвид Скотт | За вклад в технологии и схемы CMOS и BICMOS |
| 2004 | Дуглас Веррет | За лидерство в коммерциализации биполярных технологий и технологий BiCMOS |
| 2004 | Shin-tson Wu | За вкладками в жидкокристаллические дисплеи и настраиваемые фотонные устройства |
| 2005 | Джейсон К Ву | За вклад в аппаратную реализацию армирования и обучения без учителя |
| 2005 <Дональд Вунш | За вклад в аппаратную реализацию армирования и обучения без учителя | |
| 2005 | Supriyo Bandyopadhyay | За вклад в применение наноструктур в устройства. |
| 2005 | Роберт Бауманн | За вклад в понимание надежности наземных механизмов механизмов в коммерческой электронике |
| 2005 | Дуэйн Бонинг | За вклад в моделирование и контроль в производстве полупроводников |
| 2005 | Клифтон Фонстад | За лидерство в создании полупроводниковых гетероструктурных устройств. |
| 2005 | Уильям Френсли | За вклад в создание квантовых полупроводниковых устройств нанометрового масштаба |
| 2005 | Гвидо Грозенекен | За его вклад в физическое понимание и моделирование надежности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов |
| 2005 | Джордж Хейтер | За вклад в микроволновые схемы, включая линейные усилители и сумматоры пространственного разнесения |
| 2005 | Тадао Ишибаши | За вкладыш в систему высокоскоростных и оптоэлектронных полупроводниковых устройств |
| 2005 | Нобл Джонсон | За вкладыш в борьбу с примесями в полупроводниках |
| 2005 | Масааки Кузухара | За вклад в устройство различной мощности Группы III-V. |
| 2005 | Джой Ласкар | За вклад в моделирование и модули высокочастотной связи |
| 2005 | Картикея Майарам | За вклад для моделирования сопряженных устройств и |
| 2005 | Дейрдра Мелдрам | За вклад в автоматизацию генома |
| 2005 | Хисайо Момосе | За вклад в сверхтонкие затворные оксидные металлооксидные полупроводниковые транзисторы с эффектом поля |
| 2005 | Ютака Омори | За вклад в развитие системы и полупроводниковых светоизлучающих материалов и устройств |
| 2005 | Синдзи Окадзаки | За вкладкой повышения разрешения в оптической и электронно-лучевой литографии. |
| 2005 | Fang-zheng Peng | За вклад в многоуровневой топологии преобразователя мощности, управления и приложений. |
| 2005 | Марк Роддер | За вкладышами глубоких субмикронных комплементарных металлооксидных полупроводников |
| 2005 | Энрико Санджорджи | За вкладки к моделированию и описанию горячих носителей и нестационарных транспортных эффектов в небольших кремниевых устройствах |
| 2005 | Филлип Смит | За вклад в микроволновые транзисторы с высокой подвижностью электронов |
| 2005 | Юзер Васи | За лидерство в образовании в области микроэлектроники |
| 2005 | Софи Вердонкт-Вандебрук | За лидерство в разработке систем документации |
| 2005 | Лоис Уолш | За лидерство в надежности электронных устройств |
| 2005 | Казуо Яно | За вклад в создание устройств и схем на основе наноструктурированного кремния и усовершенствованной логики КМОП |
| 2006 | Андреас Андреу | За вклад в энергоэффективные сенсорные микросистемы |
| 2006 | Уильям Чен | За вклад в технологии упаковки и сборки |
| 2006 | Стив Чанг | За вклад в надежность сверхтонких оксидных металлооксидных полупроводниковых устройств (CMOS) |
| 2006 | Hector De Los Santos | За вклад в развитие радиочастот (RF) и микроволновые микроэлектромеханические системы (МЭМС) устройства и приложения |
| 2006 | Саймон Делеонибус | За вкладками в технологии наноразмерных комплементарных металлооксидных полупроводниковых устройств (КМОП). |
| 2006 | Мартин Джайлс | За вклад в технологии компьютерного моделирования (TCAD) моделирования процессов и устройств. |
| 2006 | Хидеки Хаяси | За вклад и лидерство в технологиях сложных полупроводниковых устройств |
| 2006 | Ларри Хорнбек | За изобретения, разработки и применения цифрового микрозеркального устройства |
| 2006 | Цинь Хуан | За вкладышами в технологии отключаемых эмиттеров и их применение |
| 2006 | Гэри Мэй | За вклад в производство полупроводников и инженерное образование |
| 2006 | Дэвид Зайлер | За лидерство в развитии критической метрологии и измерительной науки на микро- и наноуровнях |
| 2006 | Уша Варшней | За технический лидерство в сенсорных технологиях и системах |
| 2006 | Кацуёси Вашио | За вкладыш в создание высокоскоростного кремния и кремниево-германиевые биполярные Би-комплементарные металлооксидные полупроводники (КМОП) устройства и технологии схем |
| 2006 | Burnell West | За вклад в высокопроизводительное автоматическое испытательное оборудование |
| 2006 | Поль Франзон | За вклад в разработку кодов чипов. |
| 2007 | Джованни Гионе | За вклад в численное физическое моделирование пассивных и активных интегрированных микроволновых компонентов |
| 2007 | Виктор Чен | За вклад в частотно-временной анализ радиолокационных изображений и извлечения характеристик цели |
| 2007 | Квонг-Кит Чой | За вклад в технологию инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами |
| 2007 | Т. Пол Чоу | За вклад в интеллектуальные силовые полупроводниковые устройства |
| 2007 | Чарвака Дуввури | За вклад в устройства электростатического разряда и методы защиты интегральных схем заявки |
| 2007 | Филип Хочан | За вклад в развитие недорогих флип-чипов |
| 2007 | Такаюки Кавахара | За вклад в низковольтные маломощные схемы оперативной памяти |
| 2007 | Бумман Ким | За вклад в линейные усилители мощности, силовые приборы на основе арсенида галлия и микроволнового диапазона, а также устройства миллиметрового диапазона олитические микроволновые интегральные схемы |
| 2007 | Tsu-jae King | Для применения тонких кремний-германиевых пленок в металлооксидных полупроводниковых транзисторах и микроэлектромеханических системах |
| 2007 | Митико Миура-маттауш | За вклад в наноразмерное моделирование компактного полевого транзистора из оксида металла и полупроводника |
| 2007 | Кларк Ту-куонг Нгуен | За вклад в физику и технология микроэлектромеханических систем |
| 2007 | Джаясимха Прасад | За вклад в создание сложных полупроводниковых биполярных транзисторов с гетеропереходом |
| 2007 | Паскуалина Сарро | За вклад микромашинным сенсорам, исполнительным элементам и микросистемам |
| 2007 | Ян-куин Су | За вклад в исследования и образование в области оптоэлектроники и нанофотоники |
| 2007 | Джон Вуд | За вклад в нелинейное микроволновое устройство, моделирование поведения и технологии |
| 2008 | Джон Боске | За вклад в Vacu гм электроника и микроволновая обработка материалов |
| 2008 | Akintunde Akinwande | За вклад в развитие технологии цифровых самонастраивающихся затворов и вакуумных микроэлектронных устройств |
| 2008 | Джо Брюэр | За вклад в технологию энергонезависимой памяти и архитектуру процессора цифровых сигналов |
| 2008 | Карлос Диас | За вклад в технологию КМОП глубинного субмикронного литья |
| 2008 | Гэри Феддер | За вклад в процессы интегрированных микроэлектромеханических систем и методологии проектирования |
| 2008 | MichaelFu | За вклад в оценку стохастического градиента и оптимизацию моделирования |
| 2008 | Паоло Гаргини | За лидерство в глобализации и реализации дорожной карты технологии для полупроводников |
| 2008 | Фернандо Гуарин | За вклад в развитие полупроводниковых материалов и надежности |
| 2008 | Хироки Хамада | За вклад в красную полупроводниковую продукцию. проводящие лазерные диоды и поликристаллические кремниевые тонкопленочные транзисторы |
| 2008 | Грегг Хигаши | За вклад в влажную химическую обработку кремния |
| 2008 | Minghwei Hong | За вклад в создание полупроводниковых МОП-транзисторов категории III-V |
| 2008 | Гарольд Хосак | За вклад в устройства резонансного туннелирования и визуализации |
| 2008 | Eishi Ibe | За вклад в анализ нейтронно-индуцированных программных ошибок для полупроводниковых запоминающих устройств |
| 2008 | Ming-dou Ker | За вклад в электростатическую защиту в интегральных схемах, и оптимизация производительности микросистем СБИС |
| 2008 | Ракеш Кумар | За предпринимательское лидерство в области интегральных схем |
| 2008 | Массимо Рудан | За вклад в теорию и моделирование переноса тока в полупроводниковых устройствах |
| 2008 | Джюо-мин Шю | За лидерство в отрасли микроэлектроники |
| 2008 | Майкл Симпсон | Для управления Мнения к нанотехнологиям в инженерных устройствах и биологии |
| 2008 | Хой-Джун Ю | За вклад в разработку маломощных и высокоскоростных СБИС |
| 2008 | Пол Кит Лай Ю | За вклад в полупроводниковые волноводные модуляторы и детекторы |
| 2009 | Гомер Алан Мантуз | За вклад в моделирование силовых электронных устройств |
| 2009 | Ив Байенс | За вклад в создание широкополосных и миллиметровых каналов для оптической и беспроводной связи |
| 2009 | Александр Брагинский | За лидерство в исследованиях и разработка в области магнетизма и прикладной сверхпроводимости |
| 2009 | Cor Claeys | За вклад в физику полупроводниковых устройств, разработку дефектов и определение характеристик низкочастотного шума |
| 2009 | Викрам Далал | За вклад в создание тонкопленочных фотоэлектрических материалов и устройств для преобразования энергии |
| 2009 | Николас Эконому | За лидерство в разработке и коммерциализации целенаправленных io n Beam Systems |
| 2009 | Тахир Гани | За вклад в разработку глубоких субмикронных металлооксидных полупроводниковых транзисторов для микропроцессоров |
| 2009 | Сёдзи Кавахито | За вклад в сопряжение датчиков, обработку сигналов датчиков и многоуровневую сигнализацию |
| 2009 | Константин Лукин | За вклад в исследования радаров шума и хаотических сигналов |
| 2009 | Тимоти Мэлони | За вклад в защиту полупроводниковых компонентов от электростатического разряда |
| 2009 | Джо Кферсон | За вклад в физику и технику надежности и применение в интегральных схемах |
| 2009 | Маттиас Пасслак | За вклад в технологию металл-оксид-полупроводник III-V |
| 2009 | Адам Скорек | За вклад к электротермическому анализу промышленных процессов |
| 2009 | Роберт Уоллес | За вклад в создание диэлектрических материалов с высоким коэффициентом k затвора для интегральных схем |
| 2009 | Альберт Ван | За вклад в конструкцию для надежности и систему на кристалле |
| 2009 | Шань Ван | За вклад в магнитные материалы и устройства |
| 2009 | Ричард Уизерс | За разработку сверхпроводящих и криогенных радиочастотных схем для датчиков ядерного магнитного резонанса |
| 2009 | Зипинг Ю | За вклад в моделирование и моделирование современных полупроводниковых устройств |
| 2009 | Энрико Занони | За вклад в надежность составных полупроводниковых устройств |
| 2009 | Джон Золпер | За лидерство в области сложной полупроводниковой электроники |
| 2010 | Амитава Чаттерджи | За вклад в разработку дополнительных металлооксидных полупроводниковых устройств и встроенную защиту от электростатического разряда |
| 2010 | Марио Дагенаис | За вклад в фотонную корреляцию, полупроводниковые устройства и интеграционные технологии |
| 2010 | Лонг-шэн Фан | За вклад в Micro Electro-Mechanical Sy стержни |
| 2010 | Йогеш Гианчандани | За вклад в создание кремниевых микроактюаторов и микроплазмы на кристалле |
| 2010 | Масаси Хоригучи | Для вклад в создание схем для запоминающих устройств с высокой плотностью и малым энергопотреблением |
| 2010 | Димитрис Иоанну | За вклад в надежность и определение характеристик устройств и материалов на основе кремния на изоляторе |
| 2010 | Юсуф Леблебичи | За вклад в надежность и методы проектирования интегральных схем и систем |
| 2010 | Патрик Ленахан | За вклад в понимание радиационного повреждения и надежность металлооксидных полупроводниковых устройств |
| 2010 | Чинг Фу Линь | За вклад в широкополосные полупроводниковые оптические устройства |
| 2010 | Kaizad Mistry | За вклад в создание высокопроизводительных дополнительных технологий металл-оксидных полупроводников и их надежность |
| 2010 | Arokia Nathan | За вклад в технологии тонкопленочных транзисторов |
| 2010 | Квок Нг | За вклад в оптимизацию внутренних паразитных факторов в конструкции металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов |
| 2010 | Ясухиса Омура | Для Вклад кремния в изоляторы в технологии, анализ и моделирование |
| 2010 | Гэри Паттон | За вклад в кремниево-германиевые биполярные транзисторы с гетеропереходом |
| 2010 | Джин Ку Ри | За вклад в создание монолитных интегральных схем на основе арсенида галлия, микроволнового и миллиметрового диапазонов |
| 2010 | Томас Скотницки | За вклад в развитие эффекта поля металл-оксид-полупроводник модели транзисторов и передовые полупроводниковые технологии |
| 2010 | Роберт Уайт | За вклад в цифровое управление питанием в энергосистемах для вычислительного и телекоммуникационного оборудования |
| 2010 | Шумпей Ямазаки | За вклад и лидерство в индустриализации энергонезависимой памяти и технологий тонкопленочных транзисторов |
| 20 10 | Джордж Зентаи | За вклад в развитие цифровых рентгеновских аппаратов |
| 2011 | Пол Бергер | За вклад в понимание, разработка и изготовление кремниевых резонансных устройств и схем межзонного туннелирования |
| 2011 | Пол Дэвис | Для разработки биполярных интегральных схем |
| 2011 | Асен Асенов | За вклад в понимание и прогнозирование изменчивости полупроводниковых устройств посредством моделирования и моделирования |
| 2011 | Альберт Чин | За вклад в создание высококалиевых диэлектриков и металлических затворных электродов за дополнительный металл-оксидный полупроводник |
| 2011 | Jen-inn Chyi | За вклад в создание полупроводниковых оптоэлектронных устройств III-V |
| 2011 | Бернард Диени | За вклад в развитие наномагнетизма и спин-электронных устройств, включая спиновые клапаны |
| 2011 | Вероник Ферле-Кавруа | За вклад в понимание радиационного воздействия на электронные устройства |
| 2011 | Дай Хисамото | За вклад в создание дополнительных металлооксидных полупроводниковых устройств |
| 2011 | Марк Итцлер | За лидерство в лавинные фотодиодные технологии |
| 2011 | Ын Ким | За вклад в микроэлектромеханические системы |
| 2011 | Дирк Б.М. Клаассен | За вклад в полупроводниковое оборудование моделирование и моделирование |
| 2011 | Thomas Kuech | За вклад в развитие электронных материалов для эпитаксиальных устройств |
| 2011 | Сантош Куринец | За руководство в интеграции инновационных исследований в области микроэлектроники в инженерное образование |
| 2011 | Джеймс Лу | За вклад в технологию трехмерных интегральных схем |
| 2011 | Паоло Лугли | За вклад в создание наноструктурированных материалов и устройств |
| 2011 | Крис Мак | За вклад в микролитографию полупроводников |
| 2011 | Владимир Митин | За вклад в датчики и детектор s |
| 2011 | Кеннет О. | За вклад в сверхвысокочастотные комплементарные металлооксидные полупроводниковые схемы |
| 2011 | Ir Puers | За вклад в имплантируемые микроэлектромеханические системы |
| 2011 | Чжэн Шэнь | За вклад в разработку боковых силовых металл-оксидных полупроводниковых полевых транзисторов |
| 2011 | Джеймс Стэтис | За вклад в дополнительную надежность металлооксидных полупроводников и оксидов затвора |
| 2011 | Деннис Сильвестр | За вклад в создание энергоэффективных интегральных схем |
| 2011 | Цзе Сюэ | За вклад в живучесть и качество обслуживания в компьютерных сетях |
| 2011 | Джеффри Велсер | За лидерство в новых технологиях устройств для компьютерных приложений |
| 2012 | Клиффорд Кинг | За вклад в кремниево-германиевые гетеропереходные устройства и технологии |
| 2012 | Джон Суэле | За вклад к пониманию тонких диэлектрические пленки затвора |
| 2012 | Анант Агарвал | За вклад в технологию силовых устройств из карбида кремния |
| 2012 | Каустав Банерджи | За вклад в моделирование и проектирование межсоединений на интегральных схемах в нанометровом масштабе |
| 2012 | Зейнеп Челик-Батлер | За вклад в понимание явлений шума и флуктуаций в твердотельных устройствах |
| 2012 | Луиджи Коломбо | За вклад в создание инфракрасных детекторов и диэлектриков с высоким коэффициентом k |
| 2012 | Дж. Дэвид | За вклад в разработку лавинных фотодиодов и ударной ионизации в полупроводники |
| 2012 | Дональд Гарднер | За вклад в создание межсоединений интегральных схем и технологии интегральных индукторов |
| 2012 | Надим Хаддад | За разработку радиационно-стойкие полупроводниковые устройства и продукты для космического применения |
| 2012 | Wilfried Haensch | За вклад в физику полевых транзисторов на основе металл-оксидных полупроводников. и масштабирование |
| 2012 | Фрэнсис Куб | За лидерство в разработке широкозонной полупроводниковой силовой электроники |
| 2012 | Олег Муханов | За лидерство в исследованиях и разработках сверхпроводящей цифровой электроники |
| 2012 | Андреас Нойбер | За вклад в физику пробоя поверхности диэлектрика в сильных электрических полях |
| 2012 | Энтони Оутс | За вклад в разработку и понимание надежности межсоединений в интегральных схемах |
| 2012 | Шунри Ода | За вклад в кремниевые устройства с квантовыми точками |
| 2012 | Уильям Палмер | За лидерство и вклад в системы и источники микроволновых и миллиметровых волн |
| 2012 | Си-Линг Пан | За вклад в оптоэлектронику и жидкокристаллические устройства для сверхбыстрой и терагерцовой фотоники |
| 2012 | Unil Perera | За вклад в квантовые структуры для инфракрасного и терагерцового обнаружения |
| 2012 | Валлури Ра o | За вклад в технологии определения характеристик микропроцессоров и логических схем |
| 2012 | Джонни Син | За вклад в разработку и коммерциализацию силовых полупроводниковых устройств |
| 2012 | Крис Ван Де Валле | За вклад в теорию интерфейсов, легирование и дефекты в полупроводниках |
| 2012 | Эдвард Ю | За вклад для определения характеристик и применения полупроводниковых наноструктур |
| 2013 | Артур Моррис | Для разработки и коммерциализации КМОП радиочастотных микромеханических систем |
| 2013 | John Verboncoeur | За вклад в вычислительную физику плазмы и приложения для плазменных устройств |
| 2013 | Рамачандра Ачар | За вклад в анализ межсоединений и целостности сигналов в высокоскоростных конструкциях |
| 2013 | Роберт Эйткен | За вклад в тестирование и диагностику интегральных схем |
| 2013 | Картер Армстронг | Для техническое лидерство в разработке мощных источников микроволнового и миллиметрового излучения, особенно их силовых модулей |
| 2013 | Дэвид Камминг | За вклад в интегрированные датчики и микросистемные технологии |
| 2013 | Суман Датта | За вклад в развитие высокопроизводительных передовых кремниевых и полупроводниковых технологий |
| 2013 | Такатомо Эноки | За вклад в создание сложных полупроводников высокоскоростные интегральные схемы для оптических и беспроводных систем связи |
| 2013 | Кеннет Хансен | За техническое лидерство в беспроводной связи |
| 2013 | Рави Махаджан | За вклад в технологию электронной упаковки и терморегулирование микропроцессоров |
| 2013 | Киан Матхуна | За лидерство в разработке источников питания с использованием микромагнетизма на кремнии |
| 2013 | Карлос Мазуре | За лидерство в области кремния в изоляторах и технологиях памяти |
| 2013 | Гауденцио Менегессо | За вклад в физику надежности сложных полупроводниковых устройств |
| 2013 | Субхасиш Митра | За вклад в разработку и испытание интегральные схемы |
| 2013 | Масааки Нива | За вклад в технологию КМОП с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и металлического затвора |
| 2013 | Дэвид Перро | За вклад в разработку и применение силовых электронных преобразователей очень высокой частоты |
| 2013 | Джон Робертсон | За вклад в понимание диэлектриков high-k и металлических электродов затвора для КМОП-технологии |
| 2013 | Джон Спарго | За лидерство в сверхпроводящей электронике и смежных технологиях |
| 2013 | Р.П. Такур | За лидерство в разработке и внедрении Технология одиночных пластин в производстве полупроводников |
| 2013 | Thomas Theis | За лидерство в развитии полупроводниковых технологий |
| 2013 | Chen-hu a Yu | За лидерство в разработке технологии межсоединений для интегральных схем |
| 2014 | Ричард Браун | За вклад в разработку микросистем |
| 2014 | Сейичи Аритоме | За вклад в технологии флэш-памяти |
| 2014 | Бабу Чаламала | За вклад в разработку передовых материалов и технологий устройств для вакуумной микроэлектроники и автоэмиссионных дисплеев |
| 2014 | Шоу-джинн Чанг | За вклад в создание фотонных, электронных и сенсорных устройств нанометрового масштаба |
| 2014 | Цзин Кевин Чен | За вклад в технологии сложных полупроводниковых транзисторов на гетеропереходе |
| 2014 | Дональд Дисней | За вклад в создание силовых интегральных схем и приложений для повышения энергоэффективности |
| 2014 | Ичиро Фухимори | За вклад в преобразователи данных с избыточной дискретизацией и гигабитные проводные трансиверы |
| 2014 | Казунари Ишимару | За вклад в статическую оперативную память и комплемент Металлооксидные полупроводниковые устройства |
| 2014 | Бёнхо Ли | За вклад в дифракционную оптику и технологии трехмерных дисплеев |
| 2014 | Taiichi Otsuji | За вклад в технологию плазмонных полупроводниковых интегральных устройств для терагерцового зондирования |
| 2014 | Дэниел Радак | За лидерство в технологиях интегральных схем микроволнового и миллиметрового диапазонов и технологиях упаковки |
| 2014 | Жан-Пьер Раскин | За вклад в характеристику высокочастотных МОП-транзисторов на основе кремния на изоляторе и устройств МЭМС |
| 2014 | Якобус Сварт | За вклад в образование в области микроэлектроники в Бразилии |
| 2014 | Шринивас Тадигадапа | За вклад в микроэлектромеханические системы для жидкостных и биохимических датчиков |
| 2014 | Мирча Стэн | За вклад в проектирование схем и систем СБИС с учетом мощности и температуры |
| 2015 | Дэвид Эйб | За руководство и вклад в развитие t мощных вакуумных электронных устройств микроволнового и миллиметрового диапазона |
| 2015 | C Auth | За вклад в технологию напряженных кремниевых транзисторов |
| 2015 | Victor Bright | За вклад в микро- и нано-электромеханические системы |
| 2015 | Джон Конли | За вклад в технологию производства полупроводников для улучшения радиационной стойкости МОП-устройств |
| 2015 | Джон Dallesasse | За вклад в окисление полупроводников III-V для производства фотонных устройств |
| 2015 | Weileun Fang | За вклад в методы измерения и технологические процессы для микроэлектрооборудования. -механические системы |
| 2015 | Лоренцо Фараоне | За разработку полупроводниковых оптоэлектронных материалов и устройств |
| 2015 | Д Гупта | За вклад в сверхпроводниковые цифровые радиочастотные приемники |
| 2015 | Ray-hua Horng | За вклад в создание светодиодов высокой яркости |
| 2015 | Giuseppe Iannaccone | За вклад в моделирование процессов переноса и шума в наноэлектронных устройствах |
| 2015 | Сафа Касап | За вкладышами в фотопроводящие датчики для рентгеновской визуализации |
| 2015 | Цуненобу Кимото | За вкладышами материалов и устройств из карбида кремния |
| 2015 | Хироши Кондо | За вклад в технологии МИС СВЧ и миллиметрового диапазона |
| 2015 | Пол Ли | За вклад в развитие технологии CMOS-датчика изображения и сенсора с активными пикселями с закрепленным фотодиодом |
| 2015 | Юн Лю | За вкладыш в упаковку силовой электроники |
| 2015 | Сьюзан Лорд | За профессиональное лидерство и вклад в инженерное |
| 2015 | Роджер Малик | За вкладыш в создание полупроводниковых материалов и устройств с гетеропереходами |
| 2015 | Сократ Пантелидес | За в динамику точечных дефектов в полупроводниковых вкладках устройств |
| 2015 | Luca Селми | Для исследования по транспортировке носителей и надежности полупроводниковых устройств |
| 2015 | Марк Вайхольд | За вклад в международн ое развитие инженерного образования |
| 2015 | Гаочжи Сяо | За в развитии контрольно-измерительной аппаратуры и измерительных технологий для обеспечения безопасности и защиты |
| 2016 | Брюс Карлстен | За вклад в создание электронных пучков высокой яркости и вакуумных электронных устройств |
| 2016 | Чорнг-пинг Чанг | За вклад в замену затвора и изоляцию неглубокой траншеи для технологии CMOS |
| 2016 | Мукта Фарук | За вклад в Технология трехмерной интеграции и межсоединений |
| 2016 | Патрик Фэй | За создание вкладыша в сложных полупроводниковых туннелей и технологии высокоскоростных устройств |
| 2016 | Qing-an Huang | За вклад в моделирование и упаковку микросенсоров и микроактюаторов |
| 2016 | Адриан Ионеску | За вклад в систему новой разработки Устройства для приложений с низким энергопотреблением |
| 2016 | Элвин Джозеф | За вклад в кремний-германиевые биполярные КМОП и ВЧ-технологии к ремний на изоляторе |
| 2016 | Джонг-Хо Ли | За вклад в политику и описание объемных полевых транзисторов с использованием затворами |
| 2016 | Эллис Менг | За вклад в биомедицинские микроэлектромеханические системы |
| 2016 | Леонард Регистр | За вклад в моделирование переноса заряда в наноразмерных КМОП-устройства |
| 2016 | Томас Сильва | За вклад в понимание и приложения динамики намагничивания |
| 2016 | Тору Танзава | За вклад в создание интегральных высоковольтных цепей |
| 2016 | Акира Toriumi | Для вкладки в физику устройств и инженерию материалов для передовой технологии CMOS |
| 2017 | Хуля Киркичи | За вклад в высокочастотный, высокополевой пробой диэлектрика и электроизоляцию для космоса и авиакосмической промышленности производственные системы |
| 2017 | Эдоардо Чарбон | За вклад в твердотельные детекторы одиночных фотонов и их применение в визуализации |
| 2017 | Wei-ting Chien | За лидерство в управлении надежностью |
| 2017 | Кристофер Хиерольд | За вклад в создание микроэлектромеханических датчиков и сбор микротермоэлектрической энергии |
| 2017 | Ру Хуанг | За вкладками в кремниевых нанопроволочных транзисторов с использованием затворов |
| 2017 | Цюаньси Цзя | За вклад в создание сверхпроводников с покрытием и тонких пленок из оксидов металлов для электронных приложений |
| 2017 | Хунжуй Цзян | За вклад в материалы и микроскопические оптические инструменты для медицинской визуализации |
| 2017 | Ричард Кинг | За вклад в высокие -производительные космические и наземные фотоэлектрические технологии |
| 2017 | Стивен Кестер | За вкладки в систему электронных и фотонных устройств IV группы |
| 2017 | Дональд Ли | За взносы в h Кремниевые ВЧ усилители мощности с высокой линейностью и высоким КПД для широкополосных беспроводных приложений |
| 2017 | Тереза Майер | За вклад в интеграцию наноматериалов и направленную сборку |
| 2017 | Junichi Nakamura | За лидерство в области датчиков изображения CMOS |
| 2017 | Borivoje Nikolic | Для вклад в разработку энергоэффективных схем цифровых и смешанных сигналов |
| 2017 | Томас Паласиос | За вклад в электронные устройства из нитрида галлия и двумерные материалы |
| 2017 | Андрей Владимиреску | За вклад в разработку и коммерческое внедрение моделирования схем SPICE |
| 2017 | Сорин Войнигеску | За вклад в кремниевое и кремний-германиевое микроволновое излучение и устройства миллиметрового диапазона и интегральные схемы |
| 2017 | Xin Zhang | За вклад в микроэлектромеханические системы |
| 2018 | Памела Энн Абшир | За вклад в создание КМОП биосенсоров |
| 2018 | Тимоти Бойкин | За вклад в атомистические модели для моделирования полупроводниковых устройств |
| 2018 | Куан-ненг Чен | За взносы в 3 D Интегральные схемы и технологии упаковки |
| 2018 | Мишель Хоусса | За вклад в определение характеристик материалов для передовых МОП-транзисторов |
| 2018 | Ярослав Хайнечек | За вклад в создание твердотельных датчиков изображения |
| 2018 | Майкл Креймс | За лидерство в физике светоизлучающих устройств на основе GaN и их коммерциализацию |
| 2018 | Исаак Лагнадо | За лидерство в разработке технологии кремний-на-сапфире |
| 2018 | Чи Ви Лю | За вклад в создание высокоподвижных полевых МОП-транзисторов на основе Ge и SiGe |
| 2018 | Вэй Лу | За вклад в развитие нейроморфных систем |
| 2018 | Чжэньцян Ма | За вклад в гибкую и биоразлагаемую микроволновую электронику |
| 2018 | Сайбал Мухопадхьяй | За вклад в разработку энергоэффективных и надежных вычислительных систем |
| 2018 | Хидетоши Онодера | За вклад в вариативное проектирование и анализ интегральных схем |
| 2018 | Philippe Paillet | За вклад в понимание радиационных эффектов в электронике |
| 2018 | Джозеф Павловски | За вклад в интерфейсы системы памяти |
| 2018 | Сейджи Самукава | За вклад в безаварийную плазменную обработку для производства наноустройств |
| 2018 | Грегори Снайдер | За вклад в сингл электронные вычислительные технологии |
| 2018 | Сюдзи Танака | За вклад в микроэлектромеханические системы для устройств акустических волн, физических датчиков и производства электроэнергии |
| 2018 | Виктор Велиадис | За вклад в разработку силовых устройств на основе SiC |
| 2018 | Роберт Вайкле | За вклад в электронику миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, а также приборы для терагерцовых частот |
| 2018 | Huikai Xie | За вклад в микроэлектромеханические оптические сканирующие системы |
| 2018 | Цзяньбинь Сю | За вклад в наномасштаб электронный помощник риалы и устройства |
| 2018 | Энтони Йен | За лидерство в ультрафиолетовой литографии для массового производства интегральных схем |
| 2019 | Маттиас Бауэр | За вклад в технологии роста сплавов для транзисторов |
| 2019 | Мэн-фан Чанг | За вклад в статическую и энергонезависимую память для встроенных систем |
| 2019 | Кин Пинг Чунг | За вклад в повреждение интегральных схем, вызванное плазменным процессом |
| 2019 | Хироши Ито | За вклад в высокоскоростные фотодиоды для миллиметровых и генерация терагерцовых волн |
| 2019 | Кристоф Юнгеманн | За вклад в иерархическое моделирование полупроводниковых устройств |
| 2019 | Али Хакифируоз | За вклад в Полностью обедненный кремний-на-изоляторе дополнительный металл-оксид-полупроводник или технология |
| 2019 | Чжи-хуан Лай | За вклад в устройства хранения магнитной информации и спинтронику |
| 2019 | Рог эр Лэйк | За вклад в моделирование квантово-механических электронных устройств |
| 2019 | Мирослав Мичович | За вклад в электронику из нитрида галлия |
| 2019 | Теодор Мойс | За вклад в разработку и проектирование сегнетоэлектрической памяти |
| 2019 | Кацу Накамура | За вклад в интегральные схемы для обработки цифровых изображений |
| 2019 | Стюарт Раух | За вклад в надежность микроэлектроники |
| 2019 | Самар Саха | За вклад в компактное моделирование кремниевых полевых транзисторов |
| 2019 | Сайиф Салахуддин | За вклад в создание маломощных электронных и спинтронных устройств |
| 2019 | Венкат Сельваманикам | За вклад в приложение и производство сверхпроводниковых лент |
| 2019 | Мунехиро Тада | За вклад в создание медных межсоединений для очень крупномасштабной интеграции |
| 2019 | Хархо Тан | За вклад в сложные полупроводниковых оптоэлектронных материалов и устройств |
| 2019 | Дипак Уттамчандани | О вкладе в зондирование на основе фотоники |
