Подписаться

Массив транзисторов

Последняя правка сделана 2021-06-11 09:52:35 Править
Массив транзисторов B342D (HFO ) - 4 NPN транзистора (здесь в кассетном магнитофоне магнитофоне). Транзисторная матрица ULN2803APG (Toshiba ) - 8 пар Дарлингтона.

Транзисторная матрица состоят из двух или более транзисторов на общей подложке. В отличие от более сложных интегральных схем, транзисторы могут использоваться индивидуально, как дискретные транзисторы. То есть транзисторы в массиве не соединены друг с другом для реализации определенной функции. Матрицы транзисторов могут состоять из транзисторов с биполярным переходом или полевых транзисторов. Есть три основных мотивации для объединения нескольких транзисторов на одной микросхеме и в одном корпусе:

  • для экономии места на печатной плате и для снижения стоимости производства платы (необходимо установить только один компонент вместо нескольких)
  • для обеспечения близкого соответствия параметров транзисторов (что почти гарантировано, когда транзисторы на одной микросхеме производятся одновременно и подвержены идентичным изменениям производственного процесса)
  • для обеспечения близкого теплового дрейфа параметры между транзисторами (что достигается за счет чрезвычайно близкого расположения транзисторов)

Параметры согласования и тепловой дрейф имеют решающее значение для различных аналоговых схем, таких как дифференциальные усилители, токовые зеркала и логарифмические усилители.

Уменьшение площади печатной платы особенно существенно для цифровых схем, в которых несколько переключающих транзисторов объединены в одном корпусе. Часто здесь используются транзисторы пары Дарлингтона с общим эмиттером и обратные диоды, например ULN2003A. Хотя это несколько расширяет приведенное выше определение массива транзисторов, этот термин все еще широко применяется.

Особенность массивов транзисторов заключается в том, что подложка часто доступна в виде отдельного вывода (с маркировкой подложка, массив или земля). При подключении подложки необходимо соблюдать осторожность, чтобы обеспечить изоляцию между транзисторами в массиве, поскольку обычно используется изоляция p – n-перехода. Например, для массива NPN-транзисторов подложка должна быть подключена к наиболее отрицательному напряжению в цепи.

Ссылки

Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: mail@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте
Список материалов:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26