Войти
Датчики поверхностных акустических волн представляют собой класс микроэлектромеханических систем (МЭМС), которые полагаются на модуляцию поверхностных акустических волн для определения физического явления. Датчик преобразует входной электрический сигнал в механическую волну, на которую, в отличие от электрического сигнала, могут легко влиять физические явления. Затем устройство преобразует эту волну обратно в электрический сигнал. Изменения амплитуды, фазы, частоты или временной задержки между входными и выходными электрическими сигналами можно использовать для измерения наличия желаемого явления.
Схема встречно-штыревого преобразователя датчика поверхностных акустических волн Базовое устройство на поверхностных акустических волнах состоит из пьезоэлектрической подложки с входным встречно-штыревым преобразователем (IDT) на одной стороне поверхности подложки и выходным IDT на другой стороне подложки. Пространство между IDT, через которое распространяется поверхностная акустическая волна, известно как линия задержки; сигнал, создаваемый входным IDT - физическая волна - движется намного медленнее, чем связанная с ним электромагнитная форма, вызывая измеримую задержку.
Технология поверхностных акустических волн использует пьезоэлектрический эффект в своей работе. В большинстве современных датчиков поверхностных акустических волн используется входной встречно-штыревой преобразователь (IDT) для преобразования электрического сигнала в акустическую волну.
Синусоидальный электрический входной сигнал создает переменную полярность между пальцами встречно-штыревого преобразователя. Между двумя соседними наборами пальцев будет переключаться полярность пальцев (например, + - +). В результате направление электрического поля между двумя пальцами будет меняться между соседними наборами пальцев. Это создает чередующиеся области растяжения и сжатия между пальцами электрода за счет пьезоэлектрического эффекта, создавая на поверхности механическую волну, известную как поверхностная акустическая волна. Поскольку пальцы на одной стороне устройства будут на одном уровне сжатия или растяжения, расстояние между ними, известное как шаг, является длиной волны механической волны. Мы можем выразить синхронную частоту f 0 устройства с фазовой скоростью v p и шагом p как:
Синхронная частота - это собственная частота, на которой должны распространяться механические волны. В идеале входной электрический сигнал должен иметь синхронную частоту, чтобы минимизировать вносимые потери.
Поскольку механическая волна будет распространяться в обоих направлениях от входного IDT, половина энергии формы волны будет распространяться через линию задержки в направлении выходного IDT. В некоторых устройствах между IDT и краями подложки добавляется механический поглотитель или отражатель, чтобы предотвратить интерференционные картины или уменьшить вносимые потери, соответственно.
Акустическая волна проходит через поверхность подложки устройства к другому встречно-штыревому преобразователю, преобразуя волну обратно в электрический сигнал за счет пьезоэлектрического эффекта. Любые изменения, внесенные в механическую волну, будут отражены в выходном электрическом сигнале. Поскольку характеристики поверхностной акустической волны могут быть изменены путем изменения свойств поверхности подложки устройства, датчики могут быть разработаны для количественной оценки любого явления, которое изменяет эти свойства. Обычно это достигается добавлением массы к поверхности или изменением длины подложки и расстояния между пальцами.
Конструкция базового датчика поверхностных акустических волн позволяет определять такие явления, как давление, деформация, крутящий момент, температура и масса. Механизмы этого обсуждаются ниже:
Явления давления, деформации, крутящего момента, температуры и массы могут восприниматься базовым устройством, состоящим из двух IDT, разделенных некоторым расстоянием на поверхности пьезоэлектрической подложки. Все эти явления могут вызвать изменение длины поверхности устройства. Изменение длины повлияет как на расстояние между встречно-штыревыми электродами - изменение шага - так и на расстояние между IDT - изменение задержки. Это может быть воспринято как фазовый сдвиг, частотный сдвиг или временная задержка выходного электрического сигнала.
Когда диафрагма помещается между окружающей средой с переменным давлением и эталонной полостью с фиксированным давлением, диафрагма изгибается в ответ на перепад давления. По мере изгиба диафрагмы расстояние по сжатой поверхности увеличивается. Датчик давления на поверхностных акустических волнах просто заменяет диафрагму пьезоэлектрической подложкой с встречно-штыревыми электродами. Напряжение и крутящий момент действуют аналогичным образом, поскольку приложение к датчику вызовет деформацию пьезоэлектрической подложки. Датчик температуры на поверхностных акустических волнах может быть изготовлен из пьезоэлектрической подложки с относительно высоким коэффициентом теплового расширения в направлении длины устройства.
Накопление массы на поверхности датчика акустических волн будет влиять на поверхностную акустическую волну, когда она проходит через линию задержки. Скорость v волны, проходящей через твердое тело, пропорциональна квадратному корню из произведения модуля Юнга E и плотности материала.
Следовательно, скорость волны будет уменьшаться с добавлением массы. Это изменение можно измерить по изменению временной задержки или фазового сдвига между входными и выходными сигналами. Также можно измерить ослабление сигнала, так как связь с дополнительной массой поверхности снизит энергию волны. В случае массового зондирования, так как изменение сигнала всегда будет связано с увеличением массы от опорного сигнала нулевого дополнительной массы, ослабление сигнала может быть эффективно использована.
Присущие датчику поверхностных акустических волн функциональные возможности могут быть расширены путем нанесения тонкой пленки материала поперек линии задержки, которая чувствительна к интересующим физическим явлениям. Если физическое явление вызывает изменение длины или массы нанесенной тонкой пленки, на поверхностную акустическую волну будут воздействовать механизмы, упомянутые выше. Некоторые примеры расширенной функциональности перечислены ниже:
Химические датчики паров используют нанесение тонкой пленки полимера через линию задержки, которая избирательно поглощает интересующий газ или газы. Множество таких датчиков с различными полимерными покрытиями можно использовать для измерения большого диапазона газов на одном датчике с разрешением до частей на триллион, что позволяет создать чувствительную «лабораторию на кристалле».
Между встречно-штыревыми электродами может быть помещен биологически активный слой, содержащий иммобилизованные антитела. Если соответствующий антиген присутствует в образце, антиген свяжется с антителами, вызывая массовую нагрузку на устройство. Эти датчики могут использоваться для обнаружения бактерий и вирусов в образцах, а также для количественной оценки наличия определенных мРНК и белков.
Для датчиков влажности на поверхностных акустических волнах в дополнение к устройству на поверхностных акустических волнах требуется термоэлектрический охладитель. Термоэлектрический охладитель расположен под устройством на поверхностных акустических волнах. Оба размещены в полости с входом и выходом для газов. При охлаждении устройства водяной пар будет конденсироваться на поверхности устройства, вызывая массовую нагрузку.
Устройства на поверхностных акустических волнах становятся чувствительными к длинам оптических волн благодаря явлению, известному как перенос акустического заряда (ACT), который включает взаимодействие между поверхностной акустической волной и фотогенерированными носителями заряда из фотопроводящего слоя. Датчики ультрафиолетового излучения используют тонкий слой оксида цинка поперек линии задержки. Под воздействием ультрафиолетового излучения оксид цинка генерирует носители заряда, которые взаимодействуют с электрическими полями, создаваемыми в пьезоэлектрической подложке бегущей поверхностной акустической волной. Это взаимодействие вызывает ощутимое уменьшение как скорости, так и амплитуды сигнала акустической волны.
Ферромагнитные материалы (такие как железо, никель и кобальт) изменяют свои физические размеры в присутствии приложенного магнитного поля - свойство, называемое магнитострикцией. Модуль Юнга материала зависит от напряженности внешнего магнитного поля. Если пленка из магнитострикционного материала нанесена на линию задержки датчика поверхностных акустических волн, изменение длины нанесенной пленки в ответ на изменение магнитного поля вызовет нагрузку на нижележащую подложку. Результирующая деформация (т. Е. Деформация поверхности подложки) вызывает измеримые изменения фазовой скорости, фазового сдвига и временной задержки сигнала акустической волны, предоставляя информацию о магнитном поле.
Устройства на поверхностных акустических волнах могут использоваться для измерения изменений вязкости помещенной на них жидкости. По мере того, как жидкость становится более вязкой, соответственно изменяется резонансная частота устройства. Для просмотра резонансной частоты необходим сетевой анализатор.
