Транзистор статической индукции

Транзистор статической индукции (SIT ) - это высокомощное, высокочастотное транзисторное устройство. Это устройство вертикальной конструкции с короткими многоканальными каналами. Будучи вертикальным устройством, структура SIT дает преимущества в получении более высоких напряжений пробоя, чем полевой транзистор (FET). Для SIT он не ограничен поверхностным пробоем между затвором и стоком и может работать при очень высоких токе и напряжении. Это устройство также известно как V-FET, и его можно было найти в некоторых более дорогих усилителях Sony еще в конце 1970-х годов.

• 1 Характеристики
• 2 История
• 3 См. Также
• 4 Ссылки

SIT имеет:

• короткую длину канала
• низкое последовательное сопротивление затвора
• низкая емкость затвор-исток
• небольшое тепловое сопротивление
• низкий уровень шума
• низкий уровень искажений
• высокая частота звука мощность
• короткое время включения и выключения, обычно 0,25 мкс

SIT был изобретен японскими инженерами Дзюн-ичи Нисидзава и Y. Watanabe в 1950 году.

• Аудиоустройства на основе SIT
• Тиристор статической индукции
• JFET