Сатоши Хиямидзу

Сатоши Хиямидзу (冷水 佐 壽, Хиямидзу Сатоши, 25 февраля 1943 г. - 7 февраля 2019 г.) был японским профессором электротехники.

Др. Хиямизу выиграл 1982 Японский журнал прикладной физики Paper Award как ведущий автор статьи о подвижности в двумерных электронных газах, а в Fujitsu Laboratories Limited получил в 1990 году Мемориальная награда Морриса Н. Либмана IEEE за «выдающийся вклад в эпитаксиальный рост составных полупроводниковых материалов и устройств», а в 2001 году была названа Стипендиат IEEE "за вклад в реализацию первого транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT)". Он работал деканом инженерной школы Университета Осаки с 2000 по 2002 год. Он умер в феврале 2019 года в возрасте 75 лет.

• Сатоши Хиямизу и др., "Чрезвычайно высокая подвижность двумерного электронного газа в селективно легированных гетеропереходных структурах GaAs / N-AlGaAs, выращенных методом MBE", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.20 (1981) Pt.2 No. 4, pp. L245-L248.
• Получатели мемориальной премии IEEE Морриса Н. Либмана
• Класс стипендиатов IEEE 2001 г.
• Класс стипендиатов IEEE 2001 г. (Токийская секция)
• Высшая школа инженерии Университета Осаки - история