Войти
Rambus DRAM (RDRAM ) и его преемники Concurrent Rambus DRAM ( CRDRAM ) и Direct Rambus DRAM (DRDRAM ) - это типы синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM), разработанные Rambus с 1990-х до начала 2000-х. Третье поколение Rambus DRAM, DRDRAM, было заменено на XDR DRAM. Rambus DRAM был разработан для приложений с высокой пропускной способностью и позиционируется Rambus как замена для различных типов современной памяти, таких как SDRAM.
Первоначально ожидалось, что DRDRAM станет стандартом в памяти ПК, особенно после того, как Intel согласилась лицензировать технологию Rambus для использования в своих будущих наборах микросхем. Кроме того, ожидалось, что DRDRAM станет стандартом для графической памяти. Однако RDRAM оказалась втянутой в войну стандартов с альтернативной технологией - DDR SDRAM - и быстро проиграла из-за цены, а затем и производительности. Примерно к 2003 году DRDRAM больше не поддерживалась ни одним персональным компьютером.
Первые Материнские платы PC с поддержкой RDRAM дебютировали в конце 1999 года после двух крупных задержек. RDRAM вызывал споры во время его широкого использования Intel из-за высоких лицензионных сборов, высокой стоимости, наличия проприетарного стандарта и преимуществ низкой производительности при увеличении стоимости. RDRAM и DDR SDRAM были вовлечены в войну стандартов. PC-800 RDRAM работал на частоте 400 МГц и передавал 1600 МБ / с полосы пропускания по 16-битной шине. Он был упакован как 184-контактный RIMM (встроенный модуль памяти Rambus ) форм-фактор, аналогичный DIMM (двойной встроенный модуль памяти). Данные передаются как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, метод, известный как DDR. Чтобы подчеркнуть преимущества технологии DDR, этот тип оперативной памяти продавался со скоростью, вдвое превышающей фактическую тактовую частоту, то есть стандарт Rambus 400 МГц был назван PC-800. Это было значительно быстрее, чем предыдущий стандарт, PC-133 SDRAM, который работал на частоте 133 МГц и обеспечивал пропускную способность 1066 МБ / с по 64-битной шине с использованием 168-контактного DIMM <70.>форм-фактор.
Память RDRAM со встроенным теплоотводом 
Samsung RDRAM 6400 128 МБ 
Samsung RDRAM, установленная с Pentium 4 1,5 ГГц Более того, если на материнской плате имеется двойной- или четырехканальная подсистема памяти, все каналы памяти должны обновляться одновременно. 16-битные модули обеспечивают один канал памяти, а 32-битные модули - два канала. Следовательно, двухканальная материнская плата, принимающая 16-битные модули, должна иметь RIMM, добавляемые или удаляемые парами. Двухканальная материнская плата, поддерживающая 32-разрядные модули, также может иметь добавленные или удаленные одиночные RIMM. Обратите внимание, что некоторые из более поздних 32-разрядных модулей имели 232 контакта по сравнению с более старыми 184-контактными 16-разрядными модулями.
| Обозначение | Ширина шины (бит) | Каналы | Тактовая частота (МГц) | Полоса пропускания (МБ / с) |
|---|---|---|---|---|
| PC600 | 16 | Одиночный | 266 | 1066 |
| PC700 | 16 | Одиночный | 355 | 1420 |
| PC800 | 16 | Одинарный | 400 | 1600 |
| PC1066 (RIMM 2100) | 16 | Одинарный | 533 | 2133 |
| PC1200 (RIMM 2400) | 16 | Одинарный | 600 | 2400 |
| RIMM 3200 | 32 | Dual | 400 | 3200 |
| RIMM 4200 | 32 | Dual | 533 | 4200 |
| RIMM 4800 | 32 | Двойной | 600 | 4800 |
| RIMM 6400 | 32 | Dual | 800 | 6400 |
RIMM непрерывности Rambus (CRIMM), также известный как терминатор или dummy Дизайн многих распространенных контроллеров памяти Rambus диктовал • модули памяти устанавливаются комплектами по два. Любые оставшиеся открытые слоты памяти должны быть заполнены модулями RIMM непрерывности (CRIMM). Эти модули не предоставляют дополнительной памяти и служат только для передачи сигнала на согласующие резисторы на материнской плате, а не для создания тупика, в котором будут отражаться сигналы. Модули CRIMM физически похожи на обычные модули RIMM, за исключением того, что в них отсутствуют интегральные схемы (и их теплораспределители).
По сравнению с другими современными стандартами, Rambus показал увеличение задержки, тепловыделения, сложности производства и стоимости. Из-за более сложной схемы интерфейса и увеличения количества банков памяти размер кристалла RDRAM был больше, чем у современных микросхем SDRAM, и приводил к 10–20-процентной надбавке к цене при плотности 16 Мбит (добавление примерно 5-процентного штрафа при 64 Мбит). Обратите внимание, что наиболее распространенные плотности RDRAM составляют 128 Мбит и 256 Мбит.
PC-800 RDRAM работал с задержкой 45 нс, что больше, чем у других разновидностей SDRAM того времени. Микросхемы памяти RDRAM также выделяют значительно больше тепла, чем микросхемы SDRAM, что требует использования теплоотводов на всех устройствах RIMM. RDRAM включает дополнительные схемы (например, демультиплексоры пакетов) на каждом кристалле, что увеличивает сложность производства по сравнению с SDRAM. RDRAM также была в четыре раза дороже PC-133 SDRAM из-за сочетания более высоких производственных затрат и высоких лицензионных сборов. PC-2100 DDR SDRAM, представленный в 2000 году, работал с тактовой частотой 133 МГц и выдавал 2100 МБ / с по 64-битной шине с использованием 184-контактного форм-фактора DIMM.
С появлением чипсетов Intel 840 (Pentium III), Intel 850 (Pentium 4), Intel 860 (Pentium 4 Xeon) Intel добавила поддержку двухканального PC-800. RDRAM, удвоение пропускной способности до 3200 МБ / с за счет увеличения ширины шины до 32 бит. За этим в 2002 году последовал набор микросхем Intel 850E, который представил PC-1066 RDRAM, увеличив общую двухканальную пропускную способность до 4200 МБ / с. В 2002 году Intel выпустила набор микросхем E7205 Granite Bay, который представил поддержку двухканальной памяти DDR (с общей пропускной способностью 4200 МБ / с) с немного меньшей задержкой, чем у конкурирующей RDRAM. Пропускная способность Granite Bay соответствовала пропускной способности чипсета i850E, использующего DRDRAM PC-1066 со значительно меньшей задержкой.
Для достижения тактовой частоты RDRAM 800 МГц модуль памяти работает на 16-битной шине вместо 64-битной шины в современных модулях SDRAM DIMM. На момент выпуска Intel 820 некоторые модули RDRAM работали на частотах менее 800 МГц.
Тесты производительности, проведенные в 1998 и 1999 годах, показали, что большинство обычных приложений работают минимально медленнее с RDRAM. В 1999 году тесты, сравнивающие наборы микросхем Intel 840 и Intel 820 RDRAM с набором микросхем Intel 440BX SDRAM, привели к выводу, что повышение производительности RDRAM не оправдывает ее стоимость по сравнению с SDRAM, за исключением использования на рабочих станциях. В 2001 году тесты показали, что одноканальные модули DDR266 SDRAM могут точно соответствовать двухканальным 800 МГц RDRAM в повседневных приложениях.
В ноябре 1996 года Rambus приступила к разработке и лицензионный договор с Intel. Intel объявила, что будет поддерживать интерфейс памяти Rambus только для своих микропроцессоров, и получила права на покупку одного миллиона акций Rambus по цене 10 долларов за акцию.
В качестве стратегии перехода., Intel планировала поддерживать модули DIMM PC-100 SDRAM в будущих наборах микросхем Intel 82x, используя концентратор преобразования памяти (MTH). В 2000 году Intel отозвала материнскую плату Intel 820, на которой был установлен MTH, из-за случайных зависаний и самопроизвольных перезагрузок, вызванных одновременным шумом переключения. С тех пор никакие серийные материнские платы Intel 820 не содержат MTH.
В 2000 году Intel начала субсидировать RDRAM, объединяя розничные коробки Pentium 4 с двумя RIMM. Intel начала постепенно отказываться от этих субсидий в 2001 году.
В 2003 году Intel представила наборы микросхем 865 и 875 с поддержкой двухканальной памяти DDR SDRAM, которые продавались как высокопроизводительные замены набора микросхем 850. Более того, будущая дорожная карта памяти не включала RDRAM.
RDRAM18-NUS на Nintendo 64 RDRAM Rambus использовалась в двух игровых консолях, начиная с 1996 года с Nintendo 64. Консоль Nintendo использовала 4 МБ RDRAM с тактовой частотой 500 МГц на 9-битной шине, обеспечивая пропускную способность 500 МБ / с. RDRAM позволил оснастить N64 большой пропускной способностью памяти при сохранении более низкой стоимости благодаря простоте конструкции. Узкая шина RDRAM позволила разработчикам печатных плат использовать более простые методы проектирования для минимизации затрат. Однако память не любили из-за ее высоких задержек произвольного доступа. В N64 модули RDRAM охлаждаются узлом пассивного радиатора. Nintendo также предусмотрела возможность расширения памяти системы с помощью аксессуара Expansion Pak, позволяющего улучшить некоторые игры за счет улучшенной графики, более высокого разрешения или увеличения частоты кадров. Манекен Jumper Pak включен в консоль из-за вышеупомянутых особенностей дизайна RDRAM.
Sony PlayStation 2 была оснащена 32 МБ RDRAM и реализована двухканальная конфигурация, обеспечивающая доступную пропускную способность 3200 МБ / с.
RDRAM использовалась в Texas Instruments 'системах цифровой обработки света (DLP).
Cirrus Logic реализовала поддержку RDRAM в своем графическом чипе Laguna с двумя членами этого семейства; только для 2D 5462 и 5464, 2D-чип с 3D-ускорением. RDRAM предлагает потенциально более быстрое взаимодействие с пользователем, чем конкурирующие технологии DRAM с его высокой пропускной способностью. Эти чипы использовались, в частности, в серии Creative Graphics Blaster MA3xx.
 | На Викискладе есть носители, относящиеся к RDRAM. |
