Войти
| Мохамед М. Аталла | |
|---|---|
| محمد عطاالله | |
 Мохамед Аталла в качестве директора по исследованиям полупроводников в HP Associates в 1963 году. | |
| Родился | 4 августа 1924 г. Порт-Саид, Египет |
| Умер | 30 декабря 2009 г. (2009-12-30)(85 лет) Атертон, Калифорния, США |
| Национальность | Египетский американец |
| Другие имена | М.М. Аталла "Мартин" М. Аталла "Джон" М. Аталла |
| Образование | Каирский университет ( бакалавр ) Университет Пердью ( магистр, доктор философии ) |
| Известен | MOSFET (МОП-транзистор) Пассивирование поверхности Термическое окисление Интегральная схема PMOS и NMOS MOS Аппаратный модуль безопасности |
| Дети | Билл Аталла |
| Инженерная карьера | |
| Дисциплина | Машиностроение Электротехника Электронная техника Техника безопасности |
| Учреждения | Bell Labs Hewlett-Packard Fairchild Semiconductor Atalla Corporation |
| Награды | Национальный зал славы изобретателей Медаль Стюарта Баллантайна Выдающийся выпускник IEEE Milestones IT Honor Roll |
Мохамед М. Аталла ( арабский : محمد عطاالله ; 4 августа 1924 - 30 декабря 2009) был египетско-американским инженером, физико-химиком, криптографом, изобретателем и предпринимателем. Он был пионером в области полупроводников, внесшим важный вклад в современную электронику. Он известен прежде всего тем, что изобрел MOSFET ( полевой транзистор металл-оксид-полупроводник или МОП-транзистор) в 1959 году (вместе со своим коллегой Давоном Кангом ), который наряду с более ранними процессами пассивации поверхности и термического окисления Аталлы произвел революцию в электронной промышленности.. Он также известен как основатель безопасности данных компании Atalla Corporation (ныне Utimaco Atalla ), основанный в 1972 году получил Стюарт Ballantine медаль (теперь Бенджамин Франклин медаль в физике) и был введен в Национальный зал славы изобретателей для его важный вклад в полупроводниковую технологию, а также в безопасность данных.
Он родился в Порт-Саиде, Египет, получил образование в Каирском университете в Египте, а затем в Университете Пердью в Соединенных Штатах, прежде чем присоединиться к Bell Labs в 1949 году и позже принял более англизированные « Джон » или « Мартин » М. Аталла в качестве профессиональных имен. Он сделал несколько важных вкладов в полупроводниковую технологию в Bell, включая его разработку процессов пассивации поверхности и термического окисления (основы для кремниевых полупроводниковых технологий, таких как планарный процесс и монолитные интегральные микросхемы), его изобретение MOSFET совместно с Кангом в 1959 году., а также процессы изготовления PMOS и NMOS. Новаторская работа Аталлы в Bell способствовала развитию современной электроники, кремниевой революции и цифровой революции. В частности, полевой МОП-транзистор является основным строительным блоком современной электроники и считается одним из самых важных изобретений в электронике. Это также самое широко производимое устройство в истории, и Управление по патентам и товарным знакам США называет его «революционным изобретением, которое изменило жизнь и культуру во всем мире».
Его изобретение MOSFET первоначально не было замечено в Bell, что привело к его отставке из Bell и присоединению к Hewlett-Packard (HP), основавшей свою лабораторию полупроводников в 1962 году, а затем HP Labs в 1966 году, прежде чем уйти, чтобы присоединиться к Fairchild Semiconductor, основав свою микроволновую печь. и оптоэлектроники разделение в 1969 г. Его работы на HP и Fairchild входит исследование на диод Шоттки, арсенида галлия (GaAs), арсенида галлия, фосфид (GaAsP), арсенид индия (InAs) и светодиодные (LED) технологии. Позже он оставил полупроводниковую промышленность и стал предпринимателем в области криптографии и защиты данных. В 1972 году он основал корпорацию Atalla и подал патент на удаленную систему защиты персонального идентификационного номера (PIN). В 1973 году он выпустил первый аппаратный модуль безопасности, «Atalla Box», который зашифровал ПИН-коды и сообщения банкоматов, и продолжил защищать большинство транзакций банкоматов в мире. Позже в 1990-х он основал компанию по обеспечению безопасности в Интернете TriStrata Security. В знак признания его работы над системой ПИН-кода для управления информационной безопасностью, а также кибербезопасности, Аталла был назван «отцом ПИН-кода» и пионером в области информационной безопасности. Он умер в Атертоне, штат Калифорния, 30 декабря 2009 года.
Мохамед Мохамед Аталла родился в Порт-Саиде, Египет. Он учился в Каирском университете в Египте, где получил степень бакалавра наук. Позже он переехал в Соединенные Штаты, чтобы изучать машиностроение в Университете Пердью. Там он получил степень магистра ( MSc ) в 1947 году и докторскую степень ( PhD ) в 1949 году в области машиностроения. Его докторская диссертация была «Высокоскоростной поток в квадратных диффузорах», опубликованная в 1948 году, а докторская диссертация - «Высокоскоростной сжимаемый поток в квадратных диффузорах», опубликованная в январе 1949 года.
После получения докторской степени в Университете Пердью Аталла работал в Bell Telephone Laboratories (BTL) в 1949 году. В 1950 году он начал работать в подразделении Bell в Нью-Йорке, где он работал над проблемами, связанными с надежностью электромеханических реле, и работал над телефонные сети с коммутацией каналов. С появлением транзисторов, Atalla был перемещен в Мюррей - Хилл лаборатории, где он начал вести небольшой транзисторный исследовательскую группу в 1956 году Несмотря на приход из машиностроения фон и, не имея формального образования в области физической химии, он зарекомендовал себя как быстрый изучающий физическую химию и физику полупроводников, со временем продемонстрировав высокий уровень навыков в этих областях. Он исследовал, среди прочего, поверхностные свойства кремниевых полупроводников и использование кремнезема в качестве защитного слоя кремниевых полупроводниковых устройств. В конце концов он принял псевдонимы «Мартин» М. Аталла или «Джон» М. Аталла для своей профессиональной карьеры.
В период с 1956 по 1960 год Аталла возглавлял небольшую группу из нескольких исследователей BTL, включая Эйлин Танненбаум, Эдвина Джозефа Шейбнера и Давона Канга. Они были новичками в BTL, как и он сам, без старших исследователей в команде. Их работа была изначально не серьезно высшим руководством в БТЛ и его владелец AT amp; T, в связи с командой, состоящей из новых рекрутов, и из - за лидера команды Atalla сам наступающем от машиностроения фона, в отличие от физиков, физико - химиков и математики, которых воспринимали более серьезно, несмотря на то, что Аталла продемонстрировал передовые навыки в области физической химии и физики полупроводников.
Несмотря на то, что Аталла и его команда работали в основном самостоятельно, они добились значительных успехов в полупроводниковой технологии. По словам инженера Fairchild Semiconductor Чих-Танга Саха, работа Аталлы и его команды в 1956–1960 годах была «самым важным и значительным технологическим достижением» в технологии кремниевых полупроводников, включая историю транзисторов и микроэлектроники.
Первоначальной целью исследований Аталлы было решение проблемы поверхностных состояний кремния. В то время, электропроводность из полупроводниковых материалов, такие как германий и кремний была ограничена нестабильными квантовыми поверхностными состояниями, в которых электроны оказалось в ловушке на поверхности, из - за оборванные связи, которые возникают из - ненасыщенных связей присутствуют на поверхности. Это препятствовало тому, чтобы электричество надежно проникало через поверхность и достигало слоя полупроводящего кремния. Из-за проблем с поверхностным состоянием германий был преобладающим полупроводниковым материалом, который выбирали для транзисторов и других полупроводниковых устройств в ранней полупроводниковой промышленности, поскольку германий был способен к более высокой подвижности носителей.
Он совершил прорыв в разработке процесса пассивации поверхности. Это процесс, при котором поверхность полупроводника становится инертной и не меняет свойств полупроводника в результате взаимодействия с воздухом или другими материалами, контактирующими с поверхностью или краем кристалла. Процесс пассивации поверхности был впервые разработан компанией Atalla в конце 1950-х годов. Он обнаружил, что образование термически выращенного слоя диоксида кремния (SiO 2) значительно снижает концентрацию электронных состояний на поверхности кремния, и обнаружил важное качество пленок SiO 2, заключающееся в сохранении электрических характеристик p − n-переходов и предотвращении их возникновения. электрические характеристики от ухудшения газообразной окружающей среды. Он обнаружил, что слои оксида кремния можно использовать для электрической стабилизации кремниевых поверхностей. Он разработал процесс пассивации поверхности, новый метод изготовления полупроводниковых устройств, который включает покрытие кремниевой пластины изолирующим слоем оксида кремния, чтобы электричество могло надежно проникать в проводящий кремний внизу. Выращивая слой диоксида кремния поверх кремниевой пластины, Аталла смог преодолеть поверхностные состояния, которые не позволяли электричеству достигать полупроводникового слоя. Его метод пассивации поверхности стал решающим шагом, сделавшим возможным повсеместное распространение кремниевых интегральных схем, а позже стал критически важным для полупроводниковой промышленности. Для процесса пассивации поверхности он разработал метод термического окисления, который стал прорывом в технологии кремниевых полупроводников.
Процесс пассивации поверхности стал прорывом в исследованиях кремниевых полупроводников, поскольку он позволил кремнию превзойти по проводимости и характеристикам германий и стал прорывом, который привел к тому, что кремний заменил германий в качестве доминирующего полупроводникового материала. Этот процесс также заложил основу для монолитной интегральной микросхемы, поскольку это был первый случай, когда высококачественные изолирующие пленки из диоксида кремния могли быть выращены термическим способом на поверхности кремния для защиты находящихся под ними кремниевых диодов и транзисторов с pn-переходом. До разработки микросхем интегральных схем дискретные диоды и транзисторы демонстрировали относительно высокие утечки на переходах обратного смещения и низкое напряжение пробоя, вызванное большой плотностью ловушек на поверхности монокристаллического кремния. Решением этой проблемы стал процесс пассивации поверхности Atalla. Он обнаружил, что когда тонкий слой диоксида кремния был выращен на поверхности кремния, где p − n-переход пересекает поверхность, ток утечки перехода уменьшился в 10-100 раз. Это показало, что оксид восстанавливается и стабилизирует многие границы раздела фаз и окислительные ловушки. Оксидная пассивация кремниевых поверхностей позволила изготавливать диоды и транзисторы со значительно улучшенными характеристиками устройства, в то время как путь утечки по поверхности кремния также был эффективно перекрыт. Его метод поверхностного окисления позволил получить поверхность полупроводника, нечувствительную к окружающей среде. Это стало фундаментальной возможностью изоляции p – n-перехода, необходимой для планарной технологии и микросхем интегральных схем.
Аталла впервые опубликовал свои открытия в записках BTL в 1957 году, прежде чем представить свою работу на собрании Электрохимического общества в 1958 году, конференции по исследованиям полупроводниковых устройств радиоинженеров. Полупроводниковая промышленность увидела потенциальную значимость метода поверхностного окисления Аталлы, и RCA назвала его «вехой в области поверхностного окисления ». В том же году он вместе со своими коллегами Эйлин Танненбаум и Эдвином Джозефом Шейбнером усовершенствовал процесс, прежде чем они опубликовали свои результаты в мае 1959 года. По словам инженера Fairchild Semiconductor Чих-Танга Саха, процесс пассивации поверхности разработан Аталлой и его командой. «проложил путь», который привел к разработке кремниевых интегральных схем. Atalla в кремниевый транзистор метод пассивации путем термического оксида послужил основой для нескольких важных изобретений в 1959: МОП - транзистор (МОП - транзистор) с помощью Atalla и Давон Канг в Bell Labs, в процессе плоскостного по Жан Хоерни в Fairchild Semiconductor, и монолитной интегральной микросхемы по Роберт Нойс из Fairchild в 1959 году. К середине 1960-х процесс Аталлы для окисленных кремниевых поверхностей использовался для изготовления практически всех интегральных схем и кремниевых устройств. Помимо технологии кремниевых полупроводников, процесс пассивации поверхности также имеет решающее значение для технологий солнечных элементов и углеродных квантовых точек.
МОП - транзистор был изобретен Atalla со своей коллегой Давон Канг в 1959 году, основываясь на ранее Atalla в пассивации поверхности и термическое окисление процессах. Опираясь на свои более ранние новаторские исследования процессов пассивации поверхности и термического окисления, Аталла разработал процесс металл-оксид-полупроводник (МОП). Затем Аталла предложил, чтобы полевой транзистор - концепция, впервые представленная в 1920-х годах и подтвержденная экспериментально в 1940-х годах, но не реализованная в качестве практического устройства, - был построен из оксида металла и кремния. Аталла поручил ему помочь Давону Кангу, корейскому ученому, который недавно присоединился к его группе. Это привело к изобретению в МОП - транзистора (металл-оксид-полупроводник полевой транзистор) с помощью Atalla и Kahng, в ноябре 1959 г. и Atalla Kahng впервые продемонстрировал МОП - транзистор в начале 1960 г. Благодаря высокой масштабируемости и гораздо более низким энергопотреблением и Более высокая плотность, чем у транзисторов с биполярным переходом, полевые МОП-транзисторы позволили создавать микросхемы интегральных схем (ИС) высокой плотности.
Первоначально существовало два типа логики MOSFET: PMOS ( MOS p-типа ) и NMOS ( MOS n-типа ). Оба типа были разработаны Аталлой и Кангом, когда они изначально изобрели полевой МОП-транзистор. Они производили как PMOS, так и NMOS-устройства по технологии 20 мкм. Однако в то время практическими рабочими устройствами были только устройства PMOS.
Аталла предложил концепцию микросхемы МОП-интегральной схемы в 1960 году. Он отметил, что простота изготовления МОП-транзистора сделала его полезным для микросхем ИС. Однако Bell Labs изначально проигнорировала технологию MOS, поскольку в то время компания не интересовалась микросхемами. Несмотря на это, MOSFET вызвал значительный интерес у RCA и Fairchild Semiconductor. Вдохновленные первой демонстрацией полевого МОП-транзистора Аталлой и Кангом в начале 1960 года, исследователи из RCA и Fairchild изготовили полевые МОП-транзисторы позже в том же году: Карл Зайнингер и Чарльз Меллер изготовили полевой МОП-транзистор в RCA, а Чих-Тан Сах построил управляемый МОП-транзистор тетрод в Фэрчайлде.. Его концепция МОП-микросхемы в конечном итоге стала реальностью, начиная с экспериментальной МОП-микросхемы, продемонстрированной Фредом Хейманом и Стивеном Хофштейном на RCA в 1962 году, после чего МОП-микросхема стала доминирующим процессом производства микросхем. CMOS, сочетающая в себе аспекты PMOS и NMOS, была позже разработана Chih-Tang Sah и Frank Wanlass в Fairchild в 1963 году. Разработка технологии MOS, способной увеличивать миниатюризацию, в конечном итоге стала центром внимания RCA, Fairchild, Intel. и другие полупроводниковые компании в 1960-х годах, что способствовало технологическому и экономическому росту ранней полупроводниковой промышленности в Калифорнии (сосредоточенной вокруг того, что позже стало известно как Силиконовая долина ), а также в Японии.
MOSFET был первым по-настоящему компактным транзистором, который можно было миниатюризировать и выпускать серийно для широкого спектра применений, и он произвел революцию в электронной промышленности. MOSFET составляет основу современной электроники и является основным элементом большинства современного электронного оборудования. Это наиболее широко используемое полупроводниковое устройство в мире и наиболее широко производимое устройство в истории: по состоянию на 2018 год было произведено около 13 секстиллионов МОП-транзисторов. MOSFET является центральным элементом революции в микроэлектронике, кремниевой революции и революции микрокомпьютеров, а также является фундаментальным строительным блоком современной цифровой электроники во время цифровой революции, информационной революции и информационной эпохи. Он используется в широком спектре электронных приложений, таких как компьютеры, синтезаторы, коммуникационные технологии, смартфоны, Интернет- инфраструктура, цифровые телекоммуникационные системы, видеоигры, карманные калькуляторы и цифровые наручные часы, а также во многих других областях. Его называют «рабочей лошадкой электронной промышленности», поскольку он является строительным блоком каждого используемого микропроцессора, микросхемы памяти и телекоммуникационной схемы. Управление по патентам и товарным знакам США называет MOSFET «революционным изобретением, которое изменило жизнь и культуру во всем мире». Изобретение Аталлой и Кангом полевого МОП-транзистора считается «рождением современной электроники» и считается, возможно, самым важным изобретением в электронике.
В 1960 году Atalla и Kahng изготовлен первый МОП - транзистор с оксидом затвора толщиной 100 нм, наряду с затвором длиной 20 мкм. В 1962 году, Atalla и Kahng изготовили нанослоя -BASE металл-полупроводник перехода (М-S - перехода) транзистора. Это устройство имеет металлический слой нанометрической толщины, расположенный между двумя полупроводниковыми слоями, причем металл образует основу, а полупроводники образуют эмиттер и коллектор. Благодаря низкому сопротивлению и короткому времени прохождения в тонкой металлической нанослойной основе, устройство было способно работать на высокой рабочей частоте по сравнению с биполярными транзисторами. Их новаторская работа заключалась в нанесении металлических слоев (основы) поверх монокристаллических полупроводниковых подложек (коллектора), при этом эмиттер представлял собой кристаллический полупроводниковый элемент с вершиной или тупым углом, прижатым к металлическому слою (точечный контакт). Они нанесли тонкие пленки золота (Au) толщиной 10 нм на германий n-типа (n-Ge), а точечный контакт - кремний n-типа (n-Si). Аталла ушел из BTL в 1962 году.
Расширяя свою работу над технологией MOS, Аталла и Канг затем выполнили новаторскую работу над устройствами с горячим носителем, в которых использовалось то, что позже будет называться барьером Шоттки. Диод Шоттки, также известный как барьер Шоттки диод, теоретизировались в течение многих лет, но впервые был практически реализован в результате работы Atalla и Kahng в течение 1960-1961 гг. Они опубликовали свои результаты в 1962 году и назвали свое устройство триодной структурой «горячих электронов» с эмиттером полупроводник-металл. Это был один из первых транзисторов на металлической основе. Диод Шоттки стал играть важную роль в смесителях.
В 1962 году Аталла присоединился к Hewlett-Packard, где он стал соучредителем Hewlett-Packard and Associates (HP Associates), которая предоставила Hewlett-Packard фундаментальные возможности твердотельного оборудования. Он был директором по исследованиям полупроводников в HP Associates и первым менеджером лаборатории полупроводников HP.
Он продолжил исследования диодов Шоттки, работая с Робертом Дж. Арчером в HP Associates. Они разработали высокого вакуум металлической пленки осаждение технологии, и изготовлено стабильно упаривает / распыленные контакты, публикации своих результатов в январе 1963 г. Их работа была прорывом в металле-полупроводнике и барьер Шоттки исследованиях, так как он преодолел большую часть изготовления проблем, присущую точка -контактные диоды и позволили построить практичные диоды Шоттки.
В 1960-х годах в лаборатории полупроводников он запустил программу исследований в области материаловедения, которая обеспечила базовую технологию для устройств на основе арсенида галлия (GaAs), арсенида галлия (GaAsP) и арсенида индия (InAs). Эти устройства стали основной технологией, используемой подразделением СВЧ HP для разработки свиперов и анализаторов цепей, которые увеличивают частоту 20–40 ГГц, давая HP более 90% рынка военной связи.
Аталла помог создать HP Labs в 1966 году. Он руководил ее твердотельным подразделением.
Вместе с Ховардом К. Борденом и Джеральдом П. Пигини он руководил исследованиями и разработками (Ramp;D) практических светодиодов (LED) HP в период с 1962 по 1969 год. Первые практические светодиодные дисплеи были построены в лаборатории полупроводников Аталлы. Они представили первый коммерческий светодиодный дисплей в 1968 году. Это было одно из первых применений светодиодных ламп, наряду со светодиодной индикаторной лампой, представленной компанией Monsanto в том же году.
В феврале 1969 года та же команда HP под руководством Бордена, Пигини и Аталлы представила цифровой индикатор HP модели 5082-7000, первое светодиодное устройство, в котором используется технология интегральных схем. Это был первый интеллектуальный светодиодный дисплей, который произвел революцию в технологии цифровых дисплеев, заменив трубку Nixie и став основой для более поздних светодиодных дисплеев.
В 1969 году он покинул HP и присоединился к Fairchild Semiconductor. Он был вице-президентом и генеральным менеджером подразделения СВЧ и оптоэлектроники с момента его создания в мае 1969 года до ноября 1971 года. Он продолжал свою работу над светодиодами (светодиодами), предлагая их использовать для индикаторных ламп и оптических считывателей. в 1971 году. Позже он покинул Fairchild в 1972 году.
Он оставил полупроводниковую промышленность в 1972 году и начал новую карьеру в качестве предпринимателя в области защиты данных и криптографии. В 1972 году он основал Atalla Technovation, позже названную Atalla Corporation, которая занималась проблемами безопасности банковских и финансовых учреждений.
Он изобрел первый аппаратный модуль безопасности (HSM), так называемый « Atalla Box », систему безопасности, которая сегодня защищает большинство транзакций с банкоматов. В то же время Atalla внесла свой вклад в разработку системы персонального идентификационного номера (PIN), которая, в частности, стала стандартом для идентификации в банковской сфере.
Работа Atalla в начале 1970-х годов привела к использованию модулей с высокой степенью защиты. Его «Atalla Box», система безопасности, которая шифрует сообщения PIN и банкоматов, а также защищает автономные устройства с помощью непонятного ключа для генерации PIN-кода. Он коммерчески выпустил "Atalla Box" в 1973 году. Продукт был выпущен как Identikey. Это был считыватель карт и система идентификации клиентов, обеспечивающая терминал с возможностью ввода пластиковой карты и PIN-кода. Система была разработана, чтобы позволить банкам и сберегательным учреждениям перейти на среду пластиковых карт с программы сберегательных книжек. Система Identikey состояла из консоли считывателя карт, двух контактных панелей клиентов, интеллектуального контроллера и встроенного электронного интерфейса. Устройство состояло из двух клавиатур, одной для клиента и одной для кассира. Это позволяло клиенту вводить секретный код, который преобразуется устройством с помощью микропроцессора в другой код для кассира. Во время транзакции считыватель карт считал номер счета клиента. Этот процесс заменил ручной ввод и позволил избежать возможных ошибок нажатия клавиш. Это позволило пользователям заменить традиционные методы проверки клиентов, такие как проверка подписи и тестовые вопросы, на безопасную систему PIN.
Ключевым нововведением Atalla Box стал ключевой блок, который необходим для безопасного обмена симметричными ключами или PIN-кодами с другими участниками банковской отрасли. Этот безопасный обмен осуществляется с использованием формата блока ключей Аталлы (AKB), который лежит в основе всех форматов криптографических блоков, используемых в рамках стандартов безопасности данных индустрии платежных карт (PCI DSS) и Американского национального института стандартов (ANSI).
Опасаясь, что Atalla будет доминировать на рынке, банки и компании, выпускающие кредитные карты, начали работать над международными стандартами. Его процесс проверки PIN был похож на более поздний IBM 3624. Аталла был одним из первых конкурентов IBM на банковском рынке, и сотрудники IBM, которые работали над стандартом шифрования данных (DES), указали на его влияние. В знак признания его работы над системой ПИН-кода для управления информационной безопасностью Аталлу называют «отцом ПИН-кода» и отцом технологии защиты информации.
Atalla Box защищал более 90% всех сетей банкоматов, действующих по состоянию на 1998 год, и обеспечивал 85% всех транзакций банкоматов во всем мире по состоянию на 2006 год. По состоянию на 2014 год продукты Atalla по-прежнему обеспечивают безопасность большинства мировых транзакций с использованием банкоматов.
В 1972 году Аталла подала патент США 3938091 на систему удаленной проверки PIN-кода, в которой использовались методы шифрования для обеспечения безопасности телефонной линии при вводе личной идентификационной информации, которая будет передаваться в виде зашифрованных данных по телекоммуникационным сетям в удаленное место для проверки. Это было предшественником телефонного банкинга, интернет-безопасности и электронной коммерции.
На конференции Национальной ассоциации банков взаимных сбережений (NAMSB) в январе 1976 года компания Atalla объявила об обновлении своей системы Identikey, получившей название Interchange Identikey. Он добавил возможности обработки онлайн-транзакций и решения проблем сетевой безопасности. Система Identikey, разработанная с упором на проведение банковских транзакций в режиме онлайн, была расширена до операций с общими средствами. Он был согласован и совместим с различными коммутационными сетями, а также был способен переустанавливаться в электронном виде на любой из 64 000 необратимых нелинейных алгоритмов в соответствии с информацией о данных карты. Устройство Interchange Identikey было выпущено в марте 1976 года. Оно было одним из первых продуктов, предназначенных для работы с онлайн-транзакциями, наряду с продуктами Bunker Ramo Corporation, представленными на той же конференции NAMSB. В 1979 году компания Atalla представила первый процессор сетевой безопасности (NSP).
В 1987 году корпорация Atalla объединилась с Tandem Computers. Аталла ушел на пенсию в 1990 году.
По состоянию на 2013 год продуктами Atalla ежедневно защищается 250 миллионов транзакций по картам.
Вскоре несколько руководителей крупных банков убедили его разработать системы безопасности для работы Интернета. Их беспокоил тот факт, что в то время невозможно было бы создать полезную основу для электронной коммерции без инноваций в области компьютерной и сетевой безопасности. По запросу бывшего президента Wells Fargo Bank Уильяма Зуэндта в 1993 году Аталла приступила к разработке новой технологии Интернет-безопасности, позволяющей компаниям шифровать и передавать через Интернет защищенные компьютерные файлы, электронную почту, цифровое видео и аудио.
В результате этой деятельности в 1996 году он основал компанию TriStrata Security. В отличие от большинства обычных компьютерных систем безопасности того времени, которые возводили стены вокруг всей компьютерной сети компании для защиты внутренней информации от воров или корпоративных шпионов, TriStrata взял другой подход. Его система безопасности заключала в безопасный зашифрованный конверт отдельные фрагменты информации (например, текстовый файл, базу данных клиентов или электронную почту), которые можно открыть и расшифровать только с помощью электронного разрешения, что позволяет компаниям контролировать, какие пользователи доступ к этой информации и необходимые разрешения. В то время это считалось новым подходом к безопасности предприятия.
Аталла был председателем A4 System с 2003 года.
Он жил в Атертоне, Калифорния. Аталла умер 30 декабря 2009 года в Атертоне.
Аталла был награжден медалью Стюарта Баллантина (ныне медалью Бенджамина Франклина по физике) на церемонии вручения наград Института Франклина 1975 года за его важный вклад в технологию кремниевых полупроводников и изобретение полевого МОП-транзистора. В 2003 году Аталла получил докторскую степень выдающегося выпускника Университета Пердью.
В 2009 году он был занесен в Национальный зал славы изобретателей за его важный вклад в полупроводниковую технологию, а также в безопасность данных. Его называли одним из «султанов кремния» вместе с несколькими другими пионерами полупроводников.
В 2014 году изобретение MOSFET в 1959 году было включено в список вех в электронике IEEE. В 2015 году Аталла был занесен в список почета IT History Society за его важный вклад в информационные технологии.
Несмотря на то, что полевой МОП-транзистор позволил получить Нобелевскую премию за прорывы, такие как квантовый эффект Холла и устройство с зарядовой связью (ПЗС), сам полевой МОП-транзистор никогда не присуждался Нобелевской премии. В 2018 году Шведская королевская академия наук, присуждающая Нобелевские премии по науке, признала, что изобретение MOSFET Аталлой и Кангом было одним из самых важных изобретений в микроэлектронике и в информационных и коммуникационных технологиях (ИКТ).
