Войти
Металл-индуцированная кристаллизация (MIC) - это метод, с помощью которого аморфный углерод (aC), аморфный кремний (a-Si), аморфные оксиды и аморфный германий (a-Ge) могут быть превращены в их поликристаллические фазы при относительно низких температурах.
В технологически важном случае Si тонкая пленка a-Si наносится на подложку, обычно стекло, а затем покрывается металлом, например алюминием ( кристаллизация, индуцированная алюминием (AIC)). Затем структура отжигается при температурах от 150 ° C до 400 ° C, в результате чего пленки a-Si превращаются в поликристаллический кремний.
В варианте этого метода, называемом боковой кристаллизацией, индуцированной металлом (MILC), металл наносится только на некоторую область a-Si. При отжиге кристаллизация начинается с той части a-Si, которая покрыта металлом, и идет сбоку. В отличие от процесса MIC, где металлическое загрязнение полученного поликремния относительно велико, латерально кристаллизованный кремний в процессе MILC содержит очень небольшое количество металлических примесей. Скорость кристаллизации невысока, но ее вполне достаточно для таких приложений, как изготовление тонкопленочных транзисторов. В этом случае металл осаждается на области истока / стока транзистора, и канал кристаллизуется в поперечном направлении.
Также было показано, что приложение электрического поля резко увеличивает скорость боковой кристаллизации. Причем кристаллизация протекает однонаправленно.
В последнее время кристаллизация, индуцированная металлом, сочетается с кристаллизацией с помощью микроволнового излучения, что снижает температуру и время кристаллизации аморфного диоксида титана. Путем суспендирования аморфного порошка в солевом растворе, содержащем один из различных элементов d-блока или p-блока, и обработки в микроволновой печи кристаллизация может быть вызвана в течение нескольких минут. Считается, что комбинированный эффект миграции металла в сетке оксида и колебаний связи во время микроволнового облучения приводит к быстрой и низкотемпературной кристаллизации.
