Генрих Велкер

Генрих Иоганн Велкер (9 сентября 1912 года в Ингольштадте - 25 декабря 1981 года в Эрлангене ) был немецкий теоретик и прикладник физик, который изобрел «транзистрон», транзистор, сделанный в Westinghouse независимо от первого успешного транзистора, произведенного в Bell Лаборатории. Он выполнил фундаментальные работы в области III-V сложных полупроводников и проложил путь для микроволновых полупроводниковых элементов и лазерных диодов.

• 1 Биография и важная работа
• 2 Избранная литература
• 3 Патенты
• 4 Ссылки
• 5 Примечания

Начиная с 1931 года, Велкер учился в Мюнхенский университет под руководством Арнольда Зоммерфельда и получил докторскую степень. в 1936 году. Книга Зоммерфельда «Электродинамика - лекции по теоретической физике, том III» была основана на конспектах лекций, подготовленных Велкером в зимнем семестре 1933/1934 годов. Велькер получил степень при Зоммерфельде в 1939 году.

В военные годы, с 1940 по 1945 год Велкер работал в Luftfunkforschungs Institut в Оберпфаффенхофене, но все еще поддерживал связи (1942-1944) с физико-химическим институтом Клауса Клузиуса в Мюнхенском университете. После войны, с 1947 по 1951 год, он устроился на работу в дочернюю компанию Westinghouse в Париже, Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse. С 1951 по 1961 год Велкер возглавлял отдел физики твердого тела в Siemens-Schuckertwerke в Эрлангене, где он разработал новые, соединения III-V, чтобы заменить кремний полупроводники. Его работа привела к широкомасштабному использованию гальваномагнитных и оптоэлектронных эффектов, а также новых схем переключения в микроэлектронике. Велкер и его отдел проложили путь к появлению микроволновых полупроводников и лазерных диодов. Он был директором исследовательской лаборатории Erlangen Siemens-Schuckertwerke с 1961 по 1969 год. С 1969 года и до выхода на пенсию в 1977 году Велкер был директором всех исследовательских лабораторий компании.

Находясь в филиале Westinghouse в Париже, Велкер и немецкий физик Герберт Ф. Матаре разработали точечный полупроводниковый усилитель, продемонстрированный в июне 1948 года. Это совпало с объявлением ученых лаборатории Белла о демонстрации точечного транзистора на 30 июня 1948 года. Французская дочерняя компания Westinghouse подала заявку на патент на устройство того же типа 13 августа 1948 года. 18 мая 1949 года это европейское изобретение, получившее название Le Transistron или «французский транзистор», было представлено публике. в то время как первая партия из 1000 устройств была изготовлена ​​для французских телекоммуникационных компаний. Эта разработка была результатом работы, проделанной двумя независимо друг от друга в Германии в рамках программ по разработке немецкого радара. Французский патент был выдан в 1952 году.

Велкер был избран президентом Deutsche Physikalische Gesellschaft в 1977 году.

Siemens AG, Мюнхен, в 1976 году учредил Мемориал Генриха Велкера. Награда в честь новаторской работы Велкера в области разработки полупроводниковых соединений III-V.

• Sommerfeld, A.; Велкер, Х. (1938). "Künstliche Grenzbedingungen beim Keplerproblem". Annalen der Physik. 424 (1–2): 56–65. Bibcode : 1938AnP... 424... 56S. doi : 10.1002 / andp.19384240109., как указано в Библиография Зоммерфельда
• Арнольд Зоммерфельд и Генрих Велкер Über ein elektronentheoretisches Modell des Supraleiters. Mitteilung über die Arbeit., Sitzungsberichte der Mathematisch-naturwissenschaftlichen Klasse der Bayerischen Akademie der Wissenschaften zu München page 5 (1938), цитируется в Библиография Зоммерфельда
• ноябрь 2005 г. Майкл Риордан. «Как Европа упустила транзистор». IEEE Spectrum. 42 (11): 52–57. DOI : 10.1109 / MSPEC.2005.1526906. Архивировано из оригинального 14 февраля 2008 г.

• FR 1010427 H. Ф. Матаре / Х. Велкер / Вестингауз: «Новая кристаллическая система с большими электронными электродами», подана 13 августа 1948 г.
• US 2673948 H. Ф. Матаре / Х. Велкер / Вестингауз: «Кристаллическое устройство для управления электрическими токами с помощью твердого полупроводника» дата приоритета во Франции 13 августа 1948 г.

• Мера, Джагдиш и Гельмут Рехенберг Историческое развитие квантовой теории. Том 6 Завершение квантовой механики 1926-1941 гг. Часть 2 Концептуальное завершение и расширение квантовой механики 1932-1941 гг. Эпилог: Аспекты дальнейшего развития квантовой теории 1942-1999 (Springer, 2001) ISBN 0-387-95086-9
• Зоммерфельд, Арнольд, перевод с немецкого Эдвард Г. Рамберг Электродинамика - Лекции по теоретической физике, Том III (Academic Press, 1964)

1. ^Проект по математической генеалогии: Велкер Название диссертации: Allgemeine Coordinaten und Bedingungsgleichungen in der Wellenmechanik. Диссертация Велкера.
2. ^Зоммерфельд, 1964, стр. viii.
3. ^Писец делал заметки во время лекций и записывал их для профессора, а иногда и для студенческой библиотеки. Хотя эта задача требовала значительных усилий и навыков, а также понимания предмета, она также предоставляла писцу возможность тесного и частого контакта с профессором - значительную интеллектуальную выгоду для способного студента. Эта задача также входила в компетенцию ассистентов профессоров.
4. ^ Мехра, том 6, часть 2, 2001 г., стр. 868.
5. ^«Как Европа упустила транзистор». Архивировано с оригинального 14 февраля 2008 г. Проверено 7 декабря 2006 г.
6. ^Архив Siemens: Welker
7. ^FR 1010427 H. Ф. Матаре / Х. Велкер / Вестингауз: "Новая кристаллическая система с дополнительными электронными эффектами", поданная 13 августа 1948 г.
8. ^США 2673948 H. Ф. Матаре / Х. Велкер / Вестингауз, "Кристаллическое устройство для управления электрическими токами с помощью твердого полупроводника" Французский приоритет 13 августа 1948 г.
9. ^Арман Ван Дормаэль: "Французский" транзистор. Труды конференции IEEE 2004 г. the History of Electronics, Bletchley Park, июнь 2004.
10. ^У изобретателя транзистора есть свой момент Архивировано 23.06.2009 в Wayback Machine
11. ^MPower Solutions,
12. ^The Industry Era: 1947
13. ^Премия Велкера Архивировано 06.07.2011 на Wayback Machine - Премия памяти Генриха Велкера, Siemens AG. Лауреаты премии выбираются Комитетом по присуждению премий Международного симпозиума по сложным полупроводникам.