Эффект Де Хааса – ван Альфена

редактировать
Квантово-механический магнитный эффект

Эффект де Хааса – ван Альфена, часто сокращенно к dHvA, является квантово-механическим эффектом, при котором магнитная восприимчивость чистого металла кристалла колеблется как интенсивность увеличивается магнитное поле B. Другие величины также колеблются, например, удельное электрическое сопротивление (эффект Шубникова – де Гааза ), удельная теплоемкость, затухание звука и скорость. Он назван в честь Вандера Йоханнеса де Хааса и его ученика Питера М. ван Альфена. Эффект dHvA возникает из-за орбитального движения странствующих электронов в материале. Эквивалентное явление в слабых магнитных полях известно как диамагнетизм Ландау.

Содержание
  • 1 Описание
  • 2 История
  • 3 Ссылки
  • 4 Внешние ссылки
Описание

Дифференциальная магнитная восприимчивость материала определяется как

χ = ∂ M ∂ H {\ displaystyle \ chi = {\ frac {\ partial M} {\ partial H}}}{\ displaystyle \ chi = {\ frac {\ partial M} {\ partial H}}}

где H {\ displaystyle H}H - приложенное внешнее магнитное поле, а M {\ displaystyle M}M - намагниченность материала. Таким образом, что B = μ 0 (H + M) {\ displaystyle B = \ mu _ {0} (H + M)}{\ displaystyle B = \ mu _ {0} (H + M)} , где μ 0 {\ displaystyle \ mu _ {0}}\ mu _ {0} - проницаемость для вакуума. Для практических целей прикладываемое и измеренное поле примерно одинаковы B ≈ μ 0 H {\ displaystyle B \ приблизительно \ mu _ {0} H}{\ displaystyle B \ приблизительно \ mu _ {0} H} (если материал не ферромагнетик ).

Колебания дифференциальной восприимчивости при построении графика относительно 1 / B {\ displaystyle 1 / B}1 / B имеют период P {\ displaystyle P}P теслах ), который обратно пропорционален площади S {\ displaystyle S}S внешней орбиты поверхности Ферми ( м) в направлении приложенного поля, то есть

P (B - 1) = 2 π e ℏ S {\ displaystyle P \ left (B ^ {- 1} \ right) = {\ frac {2 \ pi e} {\ hbar S}}}{\ displaystyle P \ left (B ^ {- 1} \ right) = {\ гидроразрыва {2 \ pi e} {\ hbar S}}} ,

, где ℏ {\ displaystyle \ hbar}\ hbar - постоянная Планка и e {\ displaystyle e}e - элементарный заряд.

. Современная формулировка позволяет экспериментально определять поверхность Ферми металла на основе измерений, выполненных с различной ориентацией магнитного поля вокруг образца.

История

Экспериментально он был обнаружен в 1930 году W.J. de Haas и P.M. ван Альфеном при тщательном изучении намагниченности монокристалла висмута. Намагниченность колебалась как функция поля. Вдохновением для эксперимента послужил недавно открытый эффект Шубникова-де Гааза Львом Шубниковым и де Гаасом, который показал колебания удельного электросопротивления как функцию сильного магнитного поля. Де Хаас считал, что магнитосопротивление должно вести себя аналогичным образом.

Теоретическое предсказание этого явления было сформулировано перед экспериментом, в том же году Львом Ландау, но он отбросил это, так как думал, что магнитные поля, необходимые для его демонстрации, еще не могут быть созданы в лаборатории. Эффект был описан математически с использованием квантования Ландау энергий электронов в приложенном магнитном поле. Сильное однородное магнитное поле - обычно несколько тесла - и низкая температура требуются для того, чтобы материал проявил эффект dHvA. Позже в частной беседе Дэвид Шенберг спросил Ландау, почему он считает, что экспериментальная демонстрация невозможна. Он ответил, сказав, что Петр Капица, советник Шенберга, убедил его, что такая однородность поля непрактична.

После 1950-х годов эффект dHvA приобрел большую актуальность после Ларса Онсагер (1952) и независимо Илья Лифшиц и Арнольд Косевич (1956) указали, что это явление можно использовать для изображения поверхности Ферми металла.

Ссылки
Внешние ссылки
Последняя правка сделана 2021-05-17 04:36:49
Содержание доступно по лицензии CC BY-SA 3.0 (если не указано иное).
Обратная связь: support@alphapedia.ru
Соглашение
О проекте