Войти
БАРИТ-диод ( время прохождения барьерной инжекции) представляет собой высокочастотный полупроводниковый компонент микроэлектроники. Связанный компонент - диод DOVETT. Диод BARITT использует свойства инжекции и времени прохождения неосновных носителей для создания отрицательного сопротивления на микроволновых частотах. Около смещенного переднего пограничного слоя инжектируются неосновные носители. Вместо этого нет лавинного разрушения. Следовательно, как фазовый сдвиг, так и выходная мощность существенно ниже, чем у IMPATT-диода.
